引言

每個(gè)半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百道工序。經(jīng)過(guò)排序，整個(gè)制造過(guò)程分為八個(gè)步驟：Wafer Processing、Oxidation、Photography、Etching、Film Deposition、Interconnection、Test、Package。

圖 1. 半導(dǎo)體零件制造過(guò)程

晶圓加工

很少有人知道，所有的半導(dǎo)體工藝都是從一粒沙開(kāi)始的。因?yàn)樯匙又兴墓枋巧a(chǎn)晶圓所需要的原料。晶片是通過(guò)切割由硅 (Si) 或砷化鎵 (GaAs) 制成的單晶柱而形成的圓形切片。提取高純度硅材料需要硅砂，這是一種二氧化硅含量高達(dá)95%的特殊材料，也是制造晶圓的主要原料。晶圓加工是制造和獲得晶圓的過(guò)程。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

氧化

氧化工藝的作用是在晶圓表面形成一層保護(hù)膜。它可以保護(hù)晶圓免受化學(xué)雜質(zhì)的影響，防止漏電流進(jìn)入電路，防止離子注入時(shí)的擴(kuò)散，以及蝕刻時(shí)晶圓的滑落。

圖 2. 氧化

氧化過(guò)程的第一步是通過(guò)四個(gè)步驟去除雜質(zhì)和污染物，如有機(jī)物、金屬和蒸發(fā)殘留水分。清洗完成后，可將晶圓置于800~1200攝氏度的高溫環(huán)境中，通過(guò)氧氣或水蒸氣的流動(dòng)在晶圓表面形成一層二氧化硅。氧氣通過(guò)氧化層擴(kuò)散并與硅反應(yīng)形成不同厚度的氧化層，氧化完成后可以測(cè)量。

干式氧化和濕式氧化法

根據(jù)氧化反應(yīng)中所用氧化劑的不同，熱氧化過(guò)程可分為干法氧化和濕法氧化。前者利用純氧產(chǎn)生二氧化硅層，速度慢但氧化層薄且致密。后者既需要氧氣又需要高溶解度。水蒸氣的特點(diǎn)是生長(zhǎng)速度快，但保護(hù)層比較厚，密度低。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

圖 3. 干法氧化和濕法氧化法

除了氧化劑之外，還有其他變量會(huì)影響二氧化硅層的厚度。首先，晶圓結(jié)構(gòu)、表面缺陷和內(nèi)部摻雜濃度都會(huì)影響氧化層的形成速率。另外，氧化設(shè)備產(chǎn)生的壓力和溫度越高，氧化層形成的速度就越快。在氧化過(guò)程中，還需要根據(jù)晶圓在單元中的位置使用假晶圓來(lái)保護(hù)晶圓，減少氧化程度的差異。

光罩

光掩模是利用光將電路圖案“印刷”到晶圓上。我們可以理解為繪制在晶圓表面的半導(dǎo)體零件。電路圖形的精細(xì)度越高，產(chǎn)品芯片的集成度就越高，這只有通過(guò)先進(jìn)的光掩模技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)。具體可分為光刻膠涂布、曝光、顯影三個(gè)步驟。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

圖 4. 涂層光刻膠

江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司主要從事濕法制程設(shè)備，晶圓清潔設(shè)備，RCA清洗機(jī)，KOH腐殖清洗機(jī)等設(shè)備的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和維護(hù)。

審核編輯：湯梓紅