描述

NY8A051F是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器，專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。採用CMOS製程並同時(shí)提供客戶低成本、高性能等顯著優(yōu)勢。NY8A051F核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制，共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個(gè)時(shí)序，大多數(shù)指令都是 1 個(gè)時(shí)序即能完成，可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應(yīng)用。

在I/O的資源方面，NY8A051F有 6 根彈性的雙向I/O腳，每個(gè)I/O腳都有單獨(dú)的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個(gè)I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產(chǎn)品方面，NY8A051F內(nèi)建了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。

NY8A051F有兩組計(jì)時(shí)器，可用系統(tǒng)頻率當(dāng)作一般的計(jì)時(shí)的應(yīng)用或者從外部訊號觸發(fā)來計(jì)數(shù)。另外NY8A051F提供 1組 8 位元解析度的PWM輸出或者蜂鳴器輸出，可用來驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、LED、或蜂鳴器等等。NY8A051F採用雙時(shí)鐘機(jī)制，高速振盪或者低速振盪都由內(nèi)部RC振盪輸入。在雙時(shí)鐘機(jī)制下，NY8A051F可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節(jié)省電力消耗延長電池壽命。

在省電的模式下如待機(jī)模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中，有多種事件可以觸發(fā)中斷喚醒NY8A051F進(jìn)入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來處理突發(fā)事件。

產(chǎn)品特點(diǎn)

寬廣的工作電壓：

2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率≦8MHz。

2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率＞8MHz。

寬廣的工作溫度：

-40°C ~ 85°C。

高 達(dá) ±5KV 的ESD。

內(nèi)建 11 階準(zhǔn)確的低電壓偵測電路LVD)

有需要詳細(xì)資料或樣品測試可加+V:runzexin-18

在NY8A051F中有一個(gè)由WDT使用的片上自由運(yùn)行的振蕩器。由于該振蕩器獨(dú)立于其他振蕩電路，WDT在備用模式和停止模式下仍可以繼續(xù)工作。WDT可以通過一個(gè)配置字來啟用或禁用。當(dāng)WDT通過配置字啟用時(shí)，在程序執(zhí)行過程中仍然可以通過寄存器位WDTEN(PCON[7])來控制其操作。此外，WDT超時(shí)后的機(jī)制可以重置NY8A051F或發(fā)出由另一個(gè)配置字決定的中斷請求。同時(shí)，在WDT超時(shí)后，將注冊位/TO（狀態(tài)[4]）清除為0。WDT超時(shí)時(shí)間的基線可為3.5ms、15ms、60ms或250ms，由兩個(gè)配置字決定。如果將前置計(jì)算器0分配給WDT，則可以延長超時(shí)時(shí)間。通過寫入1來注冊位PS0WDT，將前置服務(wù)器0分配給WDT。WDT的預(yù)計(jì)算器0的劃分速率由寄存器位PS0SEL[2：0]決定，并取決于WDT的超時(shí)機(jī)制。如果WDT超時(shí)將重置NY8A051F，則除法速率從1：1到1：128；如果WDT超時(shí)將中斷NY8A051F，則除法速率從1：2到1：256

NY8A051F將通過寫0來注冊位自我控制來進(jìn)入慢速模式。在慢速模式下，選擇FLOSC作為系統(tǒng)振蕩，以節(jié)省功耗，但仍能保持IC運(yùn)行。但是，NY8A051F不會(huì)自動(dòng)禁用FHOSC。因此，用戶可以寫0，以慢速模式注冊位stphosc(OSCCR[1])，以進(jìn)一步降低功耗。但需要注意的是，禁止進(jìn)入慢模式，同時(shí)停止FHOSC，必須先進(jìn)入慢模式，然后禁用FHOSC，否則程序可能會(huì)掛起。

審核編輯黃宇