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理一理 OC/OD 門、開漏輸出、推挽輸出等一些相關(guān)概念

矜辰所致 ? 2023-05-24 10:49 ? 次閱讀
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電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),講一講OC/OD門,開漏/推挽輸出,以及圖騰柱    ... 矜辰所致

前言

前幾天有小伙伴問我能不能講講開漏輸出,我回答了可以安排,寫了這么多博文我確實(shí)沒有寫過關(guān)于這方面的文章,因?yàn)橐郧拔乙恢备杏X有一些基礎(chǔ)的簡單的東西實(shí)在是沒寫的必要,感覺大家都懂,不懂網(wǎng)上一搜一大堆。

但是有些朋友對我還是比較支持,覺得我寫的文章解釋很通俗易懂,而且也很詳細(xì),希望我多整理一些基礎(chǔ)的知識(shí) = =!

既然如此,那么本文我們就來理一理 OC/OD門 以及與其有關(guān)的一些基礎(chǔ)知識(shí)。

一、OC/OD 門

在說明這些基本概念之前,我們簡單復(fù)習(xí)一下 NPN 三極管和 NMOS,主要提一下他們的引腳名字:

圖片.png

稍微記一下上面的引腳名字,我們來進(jìn)行今天的介紹。

認(rèn)識(shí) MOS 管的文章我已經(jīng)寫過了:[全面認(rèn)識(shí)MOS管,一篇文章就夠了],對于發(fā)燒友的小伙伴來說,稍等等我也會(huì)帶給大家,三極管的兄弟們還在催 = =!

1.1 OC 門

OC門 :Open Collector ,又稱集電極開路,結(jié)合上面三極管的引腳很好理解,三極管的 C 集電極開路的電路。

電路示意圖如下:

圖片.png

1.2 OD 門

OD門:Open Drain,漏極開路門,和上面其實(shí)是一樣的,只不過上面是針對三極管而言,OD們是針對場效應(yīng)管而言,也很好理解,MOS管的 D 漏極開路 的電路。

電路示意圖如下:

圖片.png

以前講過,MOS管在很多場合性能要比晶體管要好,所以很多開漏輸出電路都用MOS管實(shí)現(xiàn)。

在有些時(shí)候, 開漏輸出可以泛指 OC門和 OD門電路。

1.3 電路說明

在分析 OC/OD 門的時(shí)候,分析原理 是類似的:

input 輸入高電平,output 輸出低電平; input 輸入低電平,output 呈現(xiàn)高阻態(tài),電平不確定。

有一個(gè)細(xì)節(jié)得說明一下:

OC 門input 為高電平的時(shí)候,output 實(shí)際輸出不是 0V, 因?yàn)槿龢O管存在飽和壓降,一般小功率三極管大概在0.2~ 0.3V,所以output 其實(shí)為 0.3V左右。

OD 門input 為高電平的時(shí)候,output 幾乎等于 0V,因?yàn)?MOS管的導(dǎo)通阻抗很低。

因?yàn)?OC/OD 門電路不具備輸出高電平的能力,所以在一般應(yīng)用中,是需要外接上拉電阻的。

如下圖:

圖片.png

上拉電阻的選擇:

上拉電阻過大,會(huì)影響信號切換的速度,就類似于 IO 口的翻轉(zhuǎn)速度,如下圖:

圖片.png

上拉電阻過小,會(huì)更加功耗,甚至可能燒壞 OC/OD 門。其實(shí)就是影響了回路中的電流大小,上拉電阻過小,回路電流就越大,電流越大,功耗越大,甚至超過 三極管或者 MOS 管的最大電流,燒壞管子。

在實(shí)際使用中,個(gè)人經(jīng)驗(yàn) 1K ~ 10K 都是沒問題的,我在 I2C 通訊中用用過10K ,也用過 3.3K 都沒什么問題。

1.4 應(yīng)用

電平轉(zhuǎn)換:

看過我電路小課堂的小伙伴,結(jié)合上面的電路說明應(yīng)該可以聯(lián)想到,OC/OD 門以前出現(xiàn)過,那就是電平轉(zhuǎn)換電路:

結(jié)合實(shí)際聊聊電平轉(zhuǎn)換電路(常用電平轉(zhuǎn)換電路總結(jié))

截取幾張電平轉(zhuǎn)換電路圖:

圖片.png

圖片.png

線與邏輯

兩個(gè)或者多個(gè) 輸出端(output) 直接連接就可以實(shí)現(xiàn)與邏輯功能。

典型的場合我們熟悉的 I2C 總線就是OC/OD門,也是因?yàn)檫@種 IO 的高阻態(tài)輸出和線與邏輯才能讓 I2C 總線能夠有一個(gè)master,多個(gè)slave 。

二、開漏/推挽輸出

講完了 OC/OD 門,那么繼續(xù)跟著節(jié)奏,說明一下使用單片機(jī)時(shí)候 IO口設(shè)置的開漏輸出,推挽輸出的概念。

2.1 開漏輸出

開漏輸出,其實(shí)就是上面說的 OD 門,比如使用我們常用的 STM32 舉例子,STM32 IO 口結(jié)構(gòu)如下圖:

圖片.png

我們這里主要分析輸出,對于開漏輸出來說,輸出部分的 PMOS 不工作,只有 NMOS 工作,就是上面我們介紹和 OD 門一模一樣的電路。

所以開漏輸出所有的介紹都可以直接參考上面的 OD 門電路。

這里額外提一下,對于單片機(jī)使用軟件 I2C 進(jìn)行設(shè)備通訊, IO 口模式就需要設(shè)置為開漏輸出,通過外接上拉電阻進(jìn)行通信。

2.2 推挽輸出

推挽輸出 :Push–pull output

百度百科說:

推挽輸出是一種使用一對選擇性地從相連負(fù)載灌電流或者拉電流的器件的電路。

推挽電路使用兩個(gè)參數(shù)相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在于電路中。

電路工作時(shí),兩只對稱的開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通,所以導(dǎo)通損耗小、效率高。

輸出既可以向負(fù)載灌電流,也可以從負(fù)載抽取電流。推拉式輸出級既提高電路的負(fù)載能力,又提高開關(guān)速度。

這里我們簡單分析一下,首先看一下標(biāo)準(zhǔn)的推挽輸出電路:

圖片.png

推挽輸出兩個(gè)管子始終處在一個(gè)導(dǎo)通另一個(gè)截止的狀態(tài)。

原理分析:

當(dāng) input 輸出高電平時(shí),上面的 NPN 導(dǎo)通,下面的 PNP 截止, output 輸出高電平;

當(dāng) input 輸出低電平時(shí),上面的 NPN 截止,下面的 PNP 導(dǎo)通, output 輸出低電平;

這里說明一下,只從上面原理電路來分析, MOS管和三極管的高低電平是相反的:

當(dāng) input 輸出高電平時(shí),上面的 PMOS 截止,下面的 NMOS 導(dǎo)通, output 輸出低電平;

當(dāng) input 輸出低電平時(shí),上面的 PMOS 導(dǎo)通,下面的 NMOS 截止, output 輸出高電平;

在我們的 STM32 中,使用的是兩個(gè) MOS 的推挽方式作為 IO 口的輸出控制電路。

推挽輸出結(jié)構(gòu)的低電平輸出能力與OC/OD門是一樣的,但是高電平輸出能力比OC門或OD門強(qiáng)很多。

推挽輸出直接上拉到了電源,可以輸出很高的電流。

比如可以直接作為 三極管 的控制 IO,如下圖:

圖片.png

要注意,推挽輸出的兩個(gè)管腳,output 不能和 OC/OC 門的 output 一樣連接在一起,如果2個(gè)推挽輸出的IO一個(gè)設(shè)置為高電平,一個(gè)設(shè)置為低電平,這樣就等于 VCC 和 GND 短路,會(huì)燒壞 IO 口。

圖片.png

2.3 圖騰柱

提到開推挽輸出,就得順帶提一下圖騰柱電路,圖騰柱其實(shí)就是上面推挽輸出的兩個(gè)三極管電路。

而且圖騰柱電路這里必須是三極管,不是2個(gè)MOS管。

圖片.png

電路的原理我們在上面推挽輸出的部分已經(jīng)分析過了,現(xiàn)在來說算是很簡單了,那么一般什么情況下會(huì)使用圖騰柱電路呢?

那就得說一下圖騰柱電路的主要作用,就是提升電流驅(qū)動(dòng)能力,迅速完成對于門極電荷的充電或者放電的過程。

前面提升電流驅(qū)動(dòng)能力好理解,但是后面一句話怎么理解? 我們往下接著看一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路

圖片.png

這里有個(gè)疑問,我們講過MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)器件,因?yàn)镸OS管的柵極輸入電阻極大,基本可以認(rèn)為開路,給他施加電壓應(yīng)該基本沒有電流才對,為什么還需要圖騰柱驅(qū)動(dòng)?

而且在某些情況下為什么要用圖騰柱,一個(gè)三極管可以嗎?如下圖:

圖片.png

首先說一下,上圖這種一個(gè)三極管的情況,很多情況下也是可以的,要看具體的應(yīng)用,但是圖騰柱驅(qū)動(dòng)的開通和關(guān)斷加速效果比單個(gè)三極管要好。

那我們這里主要說明一下,為什么 MOS 管需要圖騰柱驅(qū)動(dòng):

還是因?yàn)榧纳?a href="http://m.sdkjxy.cn/tags/電容/" target="_blank">電容,在我的 全面認(rèn)識(shí) MOS 管文章中著重提到過寄生電容:

圖片.png

如果柵極信號是脈沖,脈沖信號跳變的時(shí)候柵極的寄生電容就會(huì)充電或者放電,從而產(chǎn)生電流。

當(dāng)脈沖頻率非常高時(shí),電容所造成的影響會(huì)非常突出,開關(guān)電源中為了確保 MOS幾乎不在線性區(qū)域內(nèi)停留,需要盡最大的可能去加快柵極的跳變沿,這就使得驅(qū)動(dòng)電路必須以非常大的電流去給柵極電容充電和放電,才能確保柵極電壓以極快的速度跳變,由此所產(chǎn)生的柵極電流峰值甚至可以超過10A,這種情況下當(dāng)然首選驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的電路來提供柵極信號。

當(dāng)然一般的應(yīng)用中,基本不會(huì)遇到此類的情況,至少在我正常工作的產(chǎn)品上,沒有遇到過這個(gè)問題 = =!

講圖騰柱,沒想到把 MOS 管知識(shí)復(fù)習(xí)了一遍 。

結(jié)語

本文我們從 OC/OD 門開始說起,然后引入到開漏輸出,推挽輸出,最后再介紹了一下 圖騰柱。

都是一些基本知識(shí),簡單的總結(jié)說明了一下,希望對大家有所幫助,后面對于電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)部分,會(huì)來整理一下運(yùn)放的相關(guān)內(nèi)容。

本文就到這里,謝謝大家。

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