碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類(lèi)封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹(jǐn)慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車(chē) (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。

物理現(xiàn)象既會(huì)帶來(lái)優(yōu)勢(shì)，也會(huì)產(chǎn)生弊端。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙材料構(gòu)建而成的器件，可為設(shè)計(jì)人員提供能夠保持高功率密度的晶體管，因?yàn)檫@些晶體管的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗較低，而且工作結(jié)溫高，開(kāi)關(guān)速度快。高功率密度的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)更小的功率控制和轉(zhuǎn)換電路有非常大的幫助，但僅僅改變半導(dǎo)體材料是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，還需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247，以便輕松散熱。不幸的是，這又是一個(gè)物理難題：TO-247 封裝的連接往往電感較高，這會(huì)限制開(kāi)關(guān)速度。

物理現(xiàn)象有利有弊，而在這種情況下，使用開(kāi)爾文連接技術(shù)可以解決電感問(wèn)題。但是我們必須謹(jǐn)慎實(shí)現(xiàn)此類(lèi)連接，以避免發(fā)生更糟糕的物理現(xiàn)象。

蘇格蘭/愛(ài)爾蘭實(shí)驗(yàn)主義者開(kāi)爾文男爵非常關(guān)注物理現(xiàn)象（如電流）的測(cè)量精度。他明白，要想通過(guò)檢測(cè)給定電流下低電阻導(dǎo)致的壓降，并結(jié)合使用歐姆定律來(lái)得出其阻值，就必須精確地測(cè)量電阻上的電壓，并且要將測(cè)量電壓的線路和載流路徑分開(kāi)。這種方法被稱(chēng)為開(kāi)爾文連接。

開(kāi)爾文連接最初用于測(cè)量電路中適當(dāng)位置的靜態(tài)電壓，但也可以用于在適當(dāng)位置注入電壓。例如：當(dāng)以高頻率驅(qū)動(dòng) MOSFET 開(kāi)關(guān)的柵極時(shí)，器件的源連接就是柵極驅(qū)動(dòng)電壓與漏極-源極電流的共用點(diǎn)。如果存在共源電感 L（如圖 1中所示），則電流的變化就會(huì)影響柵極電壓，且影響程度與電感 L 和電流變化率成正比。在柵極被驅(qū)動(dòng)關(guān)斷時(shí)，電感 L 兩端產(chǎn)生的電壓就會(huì)使柵極更長(zhǎng)時(shí)間地保持接通狀態(tài)，從而降低電流減小的速度。相反，在接通期間，電感 L 上的電壓就會(huì)降低電流增加的速度。

電感 L 來(lái)源于 MOSFET 的內(nèi)部焊線，通常約為 1nH/mm。如果器件帶有引腳（比如 TO-247 封裝），則那些外部連接也會(huì)導(dǎo)致 L 增加。

圖 1：共源電感會(huì)產(chǎn)生瞬態(tài)柵極電壓，從而降低開(kāi)關(guān)電流速度

當(dāng)以微秒為單位計(jì)算開(kāi)關(guān)時(shí)間時(shí)，數(shù)安培的開(kāi)關(guān)電流只會(huì)產(chǎn)生幾毫伏的瞬態(tài)電壓，從而使柵極驅(qū)動(dòng)電壓幾乎保持不變。但是，寬帶隙 (WBG) 器件可在數(shù)納秒時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)十安培的開(kāi)關(guān)電流，這樣每 nH 連接電感就會(huì)產(chǎn)生大約 2-5V 瞬態(tài)電壓。如果柵極驅(qū)動(dòng)中增加了這種瞬態(tài)電壓，就會(huì)阻止 MOSFET 關(guān)斷，從而產(chǎn)生振鈴風(fēng)險(xiǎn)，甚至?xí)?dǎo)致器件故障。

對(duì)于 Si MOSFET，可以在柵極關(guān)閉時(shí)施加加負(fù)電壓（或許為 -10V）以克服柵極電壓尖峰造成的偏壓降低。但這會(huì)導(dǎo)致更高的柵極驅(qū)動(dòng)功耗，該功耗會(huì)隨總柵極驅(qū)動(dòng)電壓波動(dòng)一同變化。這一問(wèn)題對(duì)于采用 SiC 或氮化鎵的 WBG 器件更為嚴(yán)重，因?yàn)榇祟?lèi)器件只支持大約 -3V 的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓。解決方案就是使用開(kāi)爾文連接，以確保柵極驅(qū)動(dòng)回路盡可能靠近 MOSFET 晶粒的源連接。盡管使用芯片級(jí)封裝比較容易實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，但如果制造商想要使用 TO-247 封裝以獲得出色的散熱特性，則必須增加第 4 個(gè)引腳，以便進(jìn)行開(kāi)爾文連接（圖 2）。

圖 2：TO-247 封裝的第 4 個(gè)引腳可提供至源極的開(kāi)爾文連接

使用開(kāi)爾文連接可控制引腳電感及其對(duì)柵極偏置電壓的潛在影響，讓寬帶隙器件以其真實(shí)的開(kāi)關(guān)速度運(yùn)行，無(wú)需使用柵極負(fù)電壓。這可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路。效果非常明顯：當(dāng)UnitedSiC 的 SiC JFET 共源共柵使用三引腳封裝時(shí)，必須降低器件的速度才能保持其可靠性。而使用四引腳封裝以及開(kāi)爾文連接時(shí)，電流壓擺率可超過(guò)5000 A/μs，從而實(shí)現(xiàn)更高效率，且不會(huì)影響柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

物理現(xiàn)象并非盡如人意，即使是采用 TO-247 封裝，也有需要處理的器件引腳電感。常用的處理方式是跨漏極-源極放置一個(gè)小型緩沖電路，以防止功率路徑中出現(xiàn)電壓過(guò)沖。我們還必須小心部署柵極驅(qū)動(dòng)回路，以盡可能地減少回路中的電感，同時(shí)防止出現(xiàn)由主換向回路導(dǎo)致的外部磁場(chǎng)拾取問(wèn)題。

使用開(kāi)爾文連接時(shí)還會(huì)遇到其他實(shí)際問(wèn)題。如果柵極驅(qū)動(dòng)回路的電壓為主系統(tǒng) 0V 電壓，也就是與電源地線連接，則可能難以成為開(kāi)爾文連接至開(kāi)關(guān)的共用點(diǎn)。如果電路為全橋，那么至少會(huì)有兩個(gè)低側(cè)器件，如果都采用開(kāi)爾文連接，則應(yīng)將哪個(gè)連接至系統(tǒng) 0V？如果在器件源極引腳中使用電阻式電流感測(cè)，那么這個(gè)問(wèn)題會(huì)變得更加復(fù)雜：如果開(kāi)爾文連接的電壓為系統(tǒng) 0V 電壓，則電阻中的電壓將為負(fù)電壓。

解決這個(gè)問(wèn)題的一個(gè)方法就是，通過(guò)光耦合器或變壓器來(lái)隔離柵極驅(qū)動(dòng)，這也是任何高側(cè)驅(qū)動(dòng)都需使用的辦法。如果此類(lèi)隔離用于低側(cè)，則可以靈活實(shí)現(xiàn)開(kāi)爾文連接，與系統(tǒng) 0V 隔離（圖 3）。此外，使用變壓器意味著，設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)需要生成關(guān)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)負(fù)電壓，并且可以通過(guò)調(diào)整匝比將驅(qū)動(dòng)正電壓調(diào)整至其最佳值。

圖 3：隔離的變壓器柵極驅(qū)動(dòng)

使用開(kāi)爾文接法連接帶引腳的寬帶隙器件還可使用 TO-247 封裝，從而具有出色的散熱性能。這使我們更接近于理想電氣開(kāi)關(guān)，并且實(shí)際上還可在較高功率水平下使用。