9.6.7 化學機械拋光液∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
Chemical Mechanical Polishing Slurry
撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司 王淑敏
http://page.anjimicro.com
審稿人：浙江大學 余學功
https://www.zju.edu.cn
9.6 工藝輔助材料
第9章 集成電路專用材料
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5465文章
12695瀏覽量
375851
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
芯片制造中的硅片表面細拋光與最終拋光加工工藝介紹
硅片表面細拋光作為實現(xiàn)超精密加工的關(guān)鍵工序，其核心在于通過精準調(diào)控拋光布材質(zhì)、拋光液成分及工藝參數(shù)，在5-8μm的加工量范圍內(nèi)實現(xiàn)局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm的極致控制，同時進一步降低金屬離子污染。
芯片制造中硅片的表面拋光加工工藝介紹
硅片表面拋光作為半導體制造中實現(xiàn)超光滑、無損傷表面的核心工藝，其核心目標在于通過系統(tǒng)性化學機械拋光（CMP）去除前道工序殘留的微缺陷、應(yīng)力損傷層及金屬離子污染，最終獲得滿足先進IC器件要求的局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm的鏡面級表面。
功率放大器在超聲化學機械拋光設(shè)備研究中的應(yīng)用
固態(tài)照明，作為全球公認的高效節(jié)能途徑，隨著高亮度發(fā)光二極管（LED）的出現(xiàn)，實現(xiàn)了從指示燈到照明領(lǐng)域的重大變革。我國半導體照明工程的啟動，更是推動了LED產(chǎn)業(yè)邁向快速發(fā)展階段。在半導體照明產(chǎn)業(yè)中
集成電路制造中常用濕法清洗和腐蝕工藝介紹
集成電路濕法工藝是指在集成電路制造過程中，通過化學藥液對硅片表面進行處理的一類關(guān)鍵技術(shù)，主要包括濕法清洗、化學機械拋光、無應(yīng)力拋光和電鍍四大
功率放大器在UV-CMP拋光機中的應(yīng)用
電信號達到超聲轉(zhuǎn)換裝置工作的電壓和功率；第三，放大的電信號傳輸給超聲轉(zhuǎn)換裝置，使得超聲電信號轉(zhuǎn)換成同頻率的機械振動。經(jīng)過上面的三個步驟，CMP拋光機升級為UV-CMP，傳統(tǒng)的化學機械拋光也升級為超聲振動輔助
【「芯片設(shè)計基石——EDA產(chǎn)業(yè)全景與未來展望」閱讀體驗】--全書概覽
國內(nèi)集成電路設(shè)計EDA行業(yè)領(lǐng)頭羊一員，以實事求是、開拓創(chuàng)新，積極進取精神 向讀者展現(xiàn)講解，也是在激勵集成電路EDA產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展壯大，勇立潮頭。
發(fā)表于 01-18 17:50
研磨液供液系統(tǒng)工作原理
研磨液供液系統(tǒng)是半導體制造中化學機械拋光（CMP）工藝的核心支持系統(tǒng)，其工作原理涉及流體力學、自動化控制及材料科學等多學科技術(shù)融合。以下是系統(tǒng)的工作流程與關(guān)鍵技術(shù)解析：一、核心組件與驅(qū)動方式動力驅(qū)動
功率放大器賦能：超聲化學機械拋光設(shè)備研究的高效驅(qū)動力
固態(tài)照明，作為全球公認的高效節(jié)能途徑，隨著高亮度發(fā)光二極管（LED）的出現(xiàn)，實現(xiàn)了從指示燈到照明領(lǐng)域的重大變革。我國半導體照明工程的啟動，更是推動了LED產(chǎn)業(yè)邁向快速發(fā)展階段。在半導體照明產(chǎn)業(yè)中
研磨盤在哪些工藝中常用
的背面減薄，通過研磨盤實現(xiàn)厚度均勻性控制（如減薄至50-300μm），同時保證表面粗糙度Ra≤0.1μm。 在化學機械拋光（CMP）工藝中，研磨盤配合拋光液對晶圓表面進行全局平坦化，滿足集成電路對層間平整度的要求。 ? 芯片封裝
半導體國產(chǎn)替代材料 | CMP化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization）
一、CMP工藝與拋光材料的核心價值化學機械拋光（ChemicalMechanicalPlanarization，CMP）是半導體制造中實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過“化學腐蝕+機械
深度解析芯片化學機械拋光技術(shù)
化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, 簡稱 CMP）技術(shù)是一種依靠化學和機械的協(xié)同作用實現(xiàn)工件表面材料去除的超精密加工技術(shù)。下圖是一個典型的 CMP 系統(tǒng)示意圖：
全球CMP拋光液大廠突發(fā)斷供？附CMP拋光材料企業(yè)盤點與投資邏輯（21361字）
(CMP)DSTlslurry斷供：物管通知受臺灣出口管制限制，F(xiàn)ab1DSTSlury(料號:M2701505,AGC-TW)暫停供貨，存貨僅剩5個月用量(267桶)。DSTlslurry?是一種用于半導體制造過程中的拋光液，主要用于化學機械拋光（CMP）工藝。這種
一文詳解銅互連工藝
銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù)，其核心在于通過“大馬士革”（Damascene）工藝實現(xiàn)銅的嵌入式填充。該工藝的基本原理是：在絕緣層上先蝕刻出溝槽或通孔，然后在溝槽或通孔中沉積銅，并通過化學機械拋光
注塑加工半導體CMP保持環(huán)：高性能材料與精密工藝的結(jié)合
在半導體制造領(lǐng)域，化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，而CMP保持環(huán)（固定環(huán)）則是這一工藝中不可或缺的核心組件。CMP保持環(huán)的主要作用是固定晶圓位置，均勻分布拋光壓力，防止晶圓
化學機械拋光液的基本組成
化學機械拋光液是化學機械拋光（CMP）工藝中關(guān)鍵的功能性耗材，其本質(zhì)是一個多組分的液體復合體系，在拋光過程中同時起到化學反應(yīng)與機械研磨的雙重
評論