9.1.7集電區(qū)的大電流效應:二次擊穿和基區(qū)擴散效應
9.1雙極結(jié)型晶體管(BJT)
第9章雙極型功率開關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》



代理產(chǎn)品線:
1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明
2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義
3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、國科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清視頻編碼
7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP攝像機IC
8、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機
9、中國芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替換XX2401
章轉(zhuǎn)載請注明出處。
-
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
7229瀏覽量
141667
發(fā)布評論請先 登錄
onsemi FFSH5065A碳化硅肖特基二極管的技術(shù)解析
onsemi FFSP1065A碳化硅肖特基二極管技術(shù)解析
onsemi FFSP2065B碳化硅肖特基二極管技術(shù)剖析
安森美1700V碳化硅肖特基二極管NDSH10170A的特性與應用
onsemi碳化硅肖特基二極管NDSH30120CDN技術(shù)解析
onsemi碳化硅肖特基二極管PCFFS40120AF的特性與應用解析
技術(shù)突圍與市場破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實現(xiàn)大規(guī)模商用
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量中的各向異性效應及其修正算法
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅襯底 TTV 厚度測量中邊緣效應的抑制方法研究
9.1.7 集電區(qū)的大電流效應:二次擊穿和基區(qū)擴散效應∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和
評論