如果非要在氧化鋁、碳化硅和氮化硅這三大工業(yè)陶瓷中選出一個(gè)“老大”,我們不妨借用一個(gè)形象的比喻來理解它們各自的“江湖地位”:坐鎮(zhèn)中樞的氧化鋁是“丞相”,攻城拔寨的碳化硅是“征北大將軍”,而銳不可當(dāng)
發(fā)表于 04-29 07:23
,市場對高性能內(nèi)膽的需求缺口正在放大。國內(nèi)部分技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)已開始布局,例如海合精密陶瓷有限公司等具備先進(jìn)陶瓷制備能力的廠商,正通過優(yōu)化氮化硅-碳化硅復(fù)合材料的配方與燒結(jié)工藝,力圖在保
發(fā)表于 03-20 11:23
碳化硅(SiC)MOS管作為寬禁帶半導(dǎo)體的核心器件,憑借高耐壓、高頻化、低損耗及耐高溫特性,在新能源汽車、光伏逆變、工業(yè)電源等領(lǐng)域逐步替代傳統(tǒng)硅基IGBT器件。精準(zhǔn)的測試技術(shù)是挖掘其性
發(fā)表于 02-28 11:51
?319次閱讀
基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
發(fā)表于 12-14 07:32
?1742次閱讀
)、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢,尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來
發(fā)表于 10-02 17:25
?2015次閱讀
一、引言
碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo),其精確測量對保障
發(fā)表于 09-22 09:53
?2028次閱讀
的專利申請量就增長了約 200%。Wolfspeed 強(qiáng)大的知識產(chǎn)權(quán)組合支撐著材料和器件方面的關(guān)鍵突破,這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。
發(fā)表于 09-22 09:31
?1062次閱讀
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長工藝參
發(fā)表于 09-18 14:44
?1121次閱讀
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討
發(fā)表于 09-03 17:56
?1852次閱讀
碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個(gè)關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅襯底:作為整個(gè)器件
發(fā)表于 09-03 10:01
?2397次閱讀
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下
發(fā)表于 08-27 16:17
?2054次閱讀
,正逐漸取代硅(Si)器件,在工業(yè)自動(dòng)化、電力電子、能源轉(zhuǎn)換等多領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用。本文將深入分析碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢、主要應(yīng)用場景及未來發(fā)展趨勢,幫助讀者全面了
發(fā)表于 08-25 14:10
?1976次閱讀
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
發(fā)表于 07-15 15:00
?1462次閱讀
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
發(fā)表于 06-18 17:24
?1851次閱讀
隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅(SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的各類應(yīng)用中,SiC
發(fā)表于 05-29 17:32
?1426次閱讀
評論