聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3874瀏覽量
70199
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
安森美1700V碳化硅肖特基二極管NDSH10170A的特性與應(yīng)用
安森美1700V碳化硅肖特基二極管NDSH10170A的特性與應(yīng)用 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)器件正憑借其卓越的性能逐漸成為主流選擇。
onsemi碳化硅肖特基二極管NDSH30120CDN技術(shù)解析
onsemi碳化硅肖特基二極管NDSH30120CDN技術(shù)解析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)
碳化硅肖特基二極管 NVDSH20120C:電力電子領(lǐng)域的新寵兒
碳化硅肖特基二極管 NVDSH20120C:電力電子領(lǐng)域的新寵兒 一、引言 在電力電子領(lǐng)域,半導(dǎo)體器件的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,
onsemi碳化硅肖特基二極管PCFFS40120AF的特性與應(yīng)用解析
onsemi碳化硅肖特基二極管PCFFS40120AF的特性與應(yīng)用解析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角,成為提升系統(tǒng)性
碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與工程實(shí)踐
在電力電子行業(yè)向高效化、高功率密度轉(zhuǎn)型的背景下,碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表,正憑借其優(yōu)異的物理特性重塑功率器件市場格局。電子聚焦新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,代理并力
碳化硅MOS管測試技術(shù)及儀器應(yīng)用(上)
碳化硅(SiC)MOS管作為寬禁帶半導(dǎo)體的核心器件,憑借高耐壓、高頻化、低損耗及耐高溫特性,在新能源汽車、光伏逆變、工業(yè)電源等領(lǐng)域逐步替代傳統(tǒng)硅基IGBT器件。精準(zhǔn)的測試
功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用
傾佳電子功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告
基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南
傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破
傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例 傾佳電子(Changer Tech)是
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用
的專利申請量就增長了約 200%。Wolfspeed 強(qiáng)大的知識產(chǎn)權(quán)組合支撐著材料和器件方面的關(guān)鍵突破,這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長工藝參
碳化硅功率器件的基本特性和主要類型
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現(xiàn)代電力電子
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑
在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機(jī)遇。
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC
6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》



評論