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高壓放大器基于干涉儀的設(shè)計與優(yōu)化中的應(yīng)用

Aigtek安泰電子 ? 2022-01-07 15:10 ? 次閱讀
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實驗名稱:

高壓放大器基于掃描式固體腔F-P干涉儀的設(shè)計與優(yōu)化中的應(yīng)用

測試設(shè)備:

光源,準直擴束系統(tǒng),待測電光晶體(包含驅(qū)動),4f系統(tǒng)和CCD,信號源,ATA-2161高壓放大器,示波器等。

實驗內(nèi)容:

為實現(xiàn)全天時邊界層內(nèi)大氣溫度絕對探測,即精細獲取大氣Rayleigh散射譜形,借鑒F-P干涉濾波技術(shù)和晶體的電光特性,設(shè)計了一種掃描式固體腔F-P干涉儀,測試其濾波性能并進行優(yōu)化。

實驗過程:

如圖是搭建的透射型馬赫曾德干涉儀光路,此光路用做全息圖的記錄,主要包括以下幾個部分:光源,準直擴束系統(tǒng),待測電光晶體(包含驅(qū)動),4f系統(tǒng)和CCD。電光晶體高壓驅(qū)動,函數(shù)發(fā)生器,使其產(chǎn)生一個脈沖方波信號,然后經(jīng)過ATA-2161高壓放大器使其放大,最終把放大后的信號加載到晶體上,完成晶體電光性能的測試。

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測量晶體內(nèi)部均勻性和折射率調(diào)制度關(guān)系的系統(tǒng)圖

實驗結(jié)果:

01

不同電壓下CCD上記錄的全息圖;

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02

不同電壓場下,對應(yīng)晶體折射率的改變量。

對圖相位圖中晶體相位的改變量進行平均處理,得到不同電壓場下,對應(yīng)的晶體的相位改變量,再由公式計算得出,不同電壓場下,對應(yīng)晶體折射率的改變量。

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高壓放大器ATA-2161參數(shù)指標:

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注:此實驗案例參考至知網(wǎng)論文《掃描式固體腔F-P干涉儀的設(shè)計與優(yōu)化》

關(guān)于安泰電子

西安安泰電子科技有限公司(Aigtek)是國內(nèi)領(lǐng)先從事測量儀器研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)。公司致力于功率放大器、計量校準產(chǎn)品、線束測試儀等產(chǎn)品為核心的相關(guān)行業(yè)測試解決方案的研發(fā)和生產(chǎn)。提供免費樣機試用,免費專業(yè)工程師培訓(xùn),免費測試技術(shù)交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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