SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓，散熱要求低，是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場(chǎng)上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主，但由于各種因素，許多工程師正在尋求替代器件。

本文重點(diǎn)提到基本半導(dǎo)體的B2D30120HC1，該器件可pin-to-pin替代C4D30120D，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳定義基本一致，B2D30120HC1和C4D30120D的參數(shù)對(duì)比：

●由上圖可知，二者的反向重復(fù)峰值電壓均為1200V，此外，B2D30120HC1反向漏電流（VR=1200V , TJ=25°C）最大值為120uA，C4D30120D最大值為200uA，相比之下，在反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)B2D30120HC1具有更低的電能消耗，熱損更低，產(chǎn)品效率高；

●正向平均電流（TC=25?C），B2D30120HC1為108A，C4D30120D為88A；

●正向重復(fù)峰值電流方面，B2D30120HC1為30A，C4D30120D為68A，二者均能抵抗開(kāi)關(guān)瞬間的電力波動(dòng)，有較好的安全性；

●結(jié)溫溫度是電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體碳化硅二極管所能耐受的最高溫度，反應(yīng)了產(chǎn)品對(duì)環(huán)境溫度的適應(yīng)能力。二者的結(jié)溫溫度范圍為-55°C-175°C，均符合軍工級(jí)器件的溫度要求，能夠適應(yīng)苛刻的溫度環(huán)境。

綜合以上參數(shù)及封裝對(duì)比，B2D30120HC1碳化硅二極管與C4D30120D，典型電性能參數(shù)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳定義基本一致，可實(shí)現(xiàn)完美的pin-to-pin兼容設(shè)計(jì)，無(wú)需更改任何外部電路。

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