超輻射發(fā)光二極管(Super Luminescent Diode，SLD)是一種性能介于激光二極管(Laser Diode，LD)與發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)之間的一種半導體光電器件。通常將放大的自發(fā)輻射叫做超輻射。超輻射是介質在強激光狀態(tài)下的一種定向輻射現(xiàn)象，光由自發(fā)輻射產(chǎn)生，經(jīng)受激光輻射產(chǎn)生放大。

在普通半導體激光二極管中，由于腔體兩端面的反射作用會形成法布里－珀羅諧振，當注入電流高于閾值電流時，端面輸出增大，會形成激光。但在SLD中，器件后端面處的反射強度不足以形成光的反饋諧振，因此SLD輸出的是非相干光。

所以，SLD是一種寬光譜、弱時間相干性、大功率、高效率的半導體光發(fā)射器件。其光學性質介于LD和LED之間，具有比LD更寬的發(fā)光光譜和更短的相干長度，比LED有更高的輸出功率，更高的調(diào)制帶寬。

	LD	SLD	LED
發(fā)光	受激發(fā)射	放大的自發(fā)輻射	自發(fā)輻射
光譜波形	LD	SLD	LED
半高全寬	數(shù)nm或更小	10~50nm	最大100nm
半高全寬	數(shù)百毫瓦	最大10毫瓦	幾毫瓦

SLD的這些特性使得在需要平滑的寬光譜（低的時間相干性）和高的空間相干性、相對較高強度光源的領域中必不可少。目前主要集中在光纖陀螺(FOG)、光學弱相干層析術(OCT)、低相干時域反射儀(OTDR)、可調(diào)諧外腔激光器、光纖通信、光纖傳感器、光器件測試儀表等領域。功率更大、光譜更寬、紋波更小、溫度穩(wěn)定性更好的SLD是實際應用的必然要求。

日前，天津見合八方光電科技有限公司推出了首款1310nm的8pin SLD蝶形器件，該款器件輸出光功率在3dbm，譜寬50nm。后續(xù)還會陸續(xù)推出應用于不同類型的SLD器件,包括大功率和保偏的SLD器件。公司在天津搭建了完整的器件封裝產(chǎn)線，可為客戶提供不同的定制封裝服務。

公司目前建立了萬級超凈間，具有光有源芯片和光無源芯片的集成微封裝能力，包括在片測試、切片、解理、剪薄、以及光芯片的耦合、楔焊和球焊打線鍵合、共晶、平行封焊等。公司主要產(chǎn)品包括SOA系列光芯片和光器件，以及光電芯片微封裝服務。