一、前言

充電樁按照技術(shù)分類，可分為交流充電樁也叫“慢充”，直流充電樁也叫“快充”，隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)的發(fā)展前景也更加廣闊。目前充電樁的母線電壓范圍通常為400V～700V，但隨著快速充電的需求不斷增加，整個(gè)電壓平臺(tái)都會(huì)向800～1000V以上提升，電壓等級(jí)提升的同時(shí)也凸顯了SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)，下面參照瑞森半導(dǎo)體SiC功率器件系列產(chǎn)品做詳細(xì)介紹：

二、產(chǎn)品應(yīng)用

目前市面上的充電樁分為五大應(yīng)用市場(chǎng)：公交、出租、網(wǎng)約、物流、個(gè)人，其中電動(dòng)公交充電站市場(chǎng)尤其突出。交流充電樁輸出單相/三相交流電通過車載充電機(jī)轉(zhuǎn)換成直流電給車載電池充電，功率一般較小（有 7kW、22kW、40kW 等功率），充電速度較慢，故一般安裝在小區(qū)停車場(chǎng)等地。直流充電樁則是直接輸出直流電給車載電池進(jìn)行充電，功率較大（有 60kW、120kW、200kW 甚至更高），充電速度較快，故一般安裝在高速公路旁的充電站。

三、典型應(yīng)用拓?fù)鋱D

四、典型應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

隨著對(duì)快速充電發(fā)展的要求，加上對(duì)高效率、高功率密度以及低系統(tǒng)成本的要求，也加速推進(jìn)了三相解決方案的應(yīng)用。瑞森半導(dǎo)體的超結(jié)Cool MOSFET系列、SiC MOSFET系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求。

超結(jié)Cool MOSFET系列：

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

采用多層外延工藝，優(yōu)化了元胞結(jié)構(gòu)，可靠性高，一致性好。

產(chǎn)品特性：超小內(nèi)阻，超小封裝，超低結(jié)電容，EMI余量大，

對(duì)標(biāo)英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品。

SiC MOSFET系列：

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

基于國(guó)家軍標(biāo)生產(chǎn)線研制生產(chǎn)，工藝穩(wěn)定，質(zhì)量可靠。

產(chǎn)品特性：

極低的門電荷（QG)、極低反向恢復(fù)的快速本征體二極管、可最大限度減少傳導(dǎo)損失，提供卓越的開關(guān)性能和強(qiáng)大的雪崩能力。

SiC SBD系列：

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

極小的反向恢復(fù)電流、大幅降低開關(guān)損耗；低VF、高浪涌電流耐量，出色的熱管理、可降低冷卻要求；軍工民用考核標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性：

GJB 7400-2011、器件參數(shù)一致性好;高頻率的運(yùn)行、能讓被動(dòng)元器件做得更小。

五、產(chǎn)品選型

瑞森半導(dǎo)體在充電樁產(chǎn)品應(yīng)用上主推如下產(chǎn)品選型表：