目前高校實(shí)驗(yàn)室儀器的設(shè)備管理，主要為使用信息系統(tǒng)記錄儀器設(shè)備的登記入庫(kù)以及報(bào)廢信息，同時(shí)手工記錄設(shè)備的借用、歸還和維修等信息，容易造成儀器設(shè)備信息的差錯(cuò)與滯后。因此，使用射頻識(shí)別（RFID）標(biāo)簽是提高高校實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備管理的效率，增強(qiáng)可追溯性與信息完備性的有效解決方法。

射頻識(shí)別又稱電子標(biāo)簽，是通過(guò)射頻信號(hào)進(jìn)行快速非接觸式信息讀取與識(shí)別的技術(shù)，并具有耐磨、防水、防磁等特點(diǎn)。非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)其使用鐵電材料作為數(shù)據(jù)載體，存儲(chǔ)容量大讀寫速度快、耗電量低、抗輻射性強(qiáng)。本文主要介紹基于國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC和RFID融合型電子標(biāo)簽用于高校實(shí)驗(yàn)設(shè)備管理硬件方案，實(shí)現(xiàn)儀器設(shè)備的信息記錄與掃描跟蹤，提高高校實(shí)驗(yàn)設(shè)備管理的效率與準(zhǔn)確性。

RFID是一種非接觸式自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過(guò)射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象，可快速地進(jìn)行信息交換與跟蹤，實(shí)現(xiàn)非接觸式通信，完成信息交換與物體識(shí)別。FRAM PB85RS2MC是利用鐵電薄膜材料的極化隨電場(chǎng)反轉(zhuǎn)并在斷電狀態(tài)下仍可保持的特性，制成的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不管外界條件如何，F(xiàn)RAM里的內(nèi)容不會(huì)受到影響，與其它存儲(chǔ)器相比較具有讀寫時(shí)間快、可擦寫次數(shù)多、功耗低、存儲(chǔ)密度高、抗輻射性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，將FRAM與RFID兩種技術(shù)進(jìn)行融合，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)質(zhì)存儲(chǔ)載體電子標(biāo)簽的應(yīng)用。

國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC在RFID標(biāo)簽中的應(yīng)用特征：

1、PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。

2、PB85RS2MC具有讀寫速度快（最高100萬(wàn)次）、寫入壽命長(zhǎng)、寫入耗能小等優(yōu)點(diǎn)。

3、PB85RS2MC最低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。

4、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

5、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

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