鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒(méi)有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì)，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長(zhǎng)，芯片的擦寫次數(shù)為100萬(wàn)次，比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。

電能記憶原理：電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測(cè)芯片的精度有關(guān)，而且與其存儲(chǔ)方式有關(guān)，如果檢測(cè)到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫入存儲(chǔ)器或?qū)懭氪鎯?chǔ)器過(guò)程出錯(cuò)，電表的精度就會(huì)大大降低。

基于FRAMPB85RS2MC存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，本文將對(duì)傳統(tǒng)電表的電量存儲(chǔ)方案設(shè)計(jì)進(jìn)行改革，由于PB85RS2MC的讀寫次數(shù)為100萬(wàn)次，微處理器(MCU)檢測(cè)到一個(gè)脈沖就可以寫入FRAM內(nèi)，由于電量數(shù)據(jù)是實(shí)時(shí)寫入FRAM，所以，掉電后數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。由于FRAM不會(huì)像普通存儲(chǔ)器那樣有10ms的寫周期，不用擔(dān)心電容的容量變小后會(huì)對(duì)FRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)有影響，因?yàn)殍F電存儲(chǔ)器內(nèi)沒(méi)有緩沖區(qū)，數(shù)據(jù)是直接寫入FRAM對(duì)應(yīng)的地址中，所以寫入的數(shù)據(jù)也不會(huì)出錯(cuò)。

國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC應(yīng)用特點(diǎn)：

1、PB85RS2MC通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。

2、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

3、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

4、PB85RS2MC最低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。

綜上，通過(guò)采用PB85RS2MC存儲(chǔ)器的電能數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，可以使電能計(jì)量系統(tǒng)十分準(zhǔn)確，降低了功耗，而且具有結(jié)構(gòu)緊湊，接口線少，控制方式簡(jiǎn)單，抗干擾能力強(qiáng)，通信速率較高，擴(kuò)展靈活等許多優(yōu)點(diǎn)。隨著FRAM技術(shù)的不斷發(fā)展，其應(yīng)用范圍會(huì)更加廣泛，并且國(guó)芯思辰可提供專業(yè)的技術(shù)指導(dǎo)。

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