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技術(shù)迭代，驅(qū)動挑戰(zhàn)

用芯智測，啟智未來

立足根本，測試為先

TIF 2023是一個融合性、持續(xù)性的全方位共創(chuàng)交流平臺。

我們邀請半導體，汽車行業(yè)的領(lǐng)導者與泰克公司的測試專家匯聚一堂，共同見證新形態(tài)和新生態(tài)下，如何從測試維度及大數(shù)據(jù)來加速新技術(shù)的迭代！

論壇時間：2023年6月29-30日

+

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2023泰克創(chuàng)新論壇

今日分論壇日程安排

會議日程

9:00

-

9:20

開幕致辭

Chris Bohn

Tektronix全球總裁

9:20

-

9:50

主題演講：經(jīng)歷分享|火星與未知生命領(lǐng)域的探索

Jordan P. Evans

NASA航天工程師

9:50

-

10:20

主題演講：探究AI終身學習、超圖靈計算和設(shè)備端計算

Hava Siegelmann

馬薩諸塞大學計算機科學系教授

10:20

-

10:50

主題演講：自動駕駛未來誰將掌舵？

Chris Gerdes

斯坦福大學機械工程學 名譽教授 & 斯坦福汽車研究中心（CARS）聯(lián)合主任

10:50

-

11:20

功率電子市場概況及主要趨勢

Ana Villamor

Yole Group能源電子團隊首席分析師

11:20

-

11:50

雙脈沖測試：智能探測免受連線困擾

Masashi Nogawa

Qorvo高級系統(tǒng)工程師

11:50

-

13:30

午間休閑時刻：參觀泰克古董博物館

13:30

-

14:00

三代半導體可靠性測試方案

孫川

Tektronix資深業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理

14:00

-

14:30

接地環(huán)路的問題成因、影響及對策

Steve Sandler

Picotest創(chuàng)始人兼董事總經(jīng)理

14:45

-

15:45

SiC如何推動電動汽車革命

Dr. Peter Gammond

華威大學電力電子器件教授

15:45

-

15:50

反饋與抽獎

2023泰克創(chuàng)新論壇

論壇內(nèi)容摘要

寬禁帶半導體的測試和應用

功率電子市場概況及主要趨勢

電動化車輛是過去幾年中促使功率電子領(lǐng)域大量投資的重要推動因素。本次演講將重點關(guān)注系統(tǒng)和器件要求、技術(shù)趨勢、供應鏈和預測，以及直流充電基礎(chǔ)設(shè)施等應用的影響。參與演講，了解功率電子市場的概況和主要趨勢。

雙脈沖測試：智能探測免受連線困擾

參加本次演講，了解正確測試碳化硅（SiC）器件的技術(shù)。我們將討論創(chuàng)建雙脈沖測試裝置的考慮因素。我們將概述基本設(shè)備、設(shè)置、連接和探針。隨后，我們將探討探針策略的技術(shù)考慮因素。

三代半導體可靠性測試方案

新型半導體功率器件因為出現(xiàn)時間較短，在可靠性上仍然有諸多問題尚未清晰解決。在工業(yè)領(lǐng)域，電動汽車，航空航天等領(lǐng)域，由于對產(chǎn)品極高的可靠性要求，生產(chǎn)廠商將面臨嚴格的可靠性測試標準。

新型功率器件由于材料和器件結(jié)構(gòu)的改變，傳統(tǒng)硅基器件的可靠性測試方法已經(jīng)不再適用，新的可靠性測試方法，如動態(tài)老化測試，高溫工況測試等芯的標準呼之欲出。泰克與方案合作伙伴合作推出的面向三代半導體的新型可靠性測試測試系統(tǒng)，將為客戶解決可靠性測試問題提供新的工具和手段。

（注：本議題為6月29日線下峰會課程回顧）

接地環(huán)路的問題成因、影響及對策

電源軌噪聲是高速系統(tǒng)中抖動、射頻系統(tǒng)中相位噪聲以及A/D和D/A轉(zhuǎn)換器中噪聲的最主要來源之一。半導體制造商通過不斷改進電源抑制比（PSRR）來應對這一問題。

SiC如何推動電動汽車革命

SiC MOSFET正在取代電動汽車主驅(qū)逆變器中的硅IGBT。盡管目前SiC僅占市場的約5％，但絕大多數(shù)汽車制造商都有SiC逆變器的開發(fā)計劃，預計十年內(nèi)SiC將成為大多數(shù)新逆變器的主流趨勢。

在本次演講中，我們將討論SiC被稱為高壓、快速開關(guān)和高溫功率半導體的材料特性。與此同時，我們還將關(guān)注目前仍存在的挑戰(zhàn)，特別是在SiC供應鏈上降低成本方面，創(chuàng)新的襯底市場結(jié)合逐漸提高的制造產(chǎn)量和器件加工，將在未來幾年內(nèi)降低成本。

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