東芯半導體股份有限公司作為Fabless芯片企業(yè)，聚焦中小容量存儲芯片獨立研發(fā)、設計與銷售的，是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。公司以“提供可靠高效的存儲產品及設計方案”為使命，以“成為中國領先的存儲芯片設計企業(yè)”為愿景，致力于用獨立自主的知識產權、穩(wěn)定的供應鏈體系和高可靠性的產品為客戶提供高品質的存儲產品及解決方案。產品廣泛應用于網絡通信、監(jiān)控安防、消費類電子、工業(yè)與醫(yī)療等領域。

始終堅持技術創(chuàng)新，保證產品的技術先進性，產品與技術自主可控

SLC NAND Flash產品存儲容量覆蓋 512Mb 至 32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類型接口，搭配 3.3V/1.8V兩種電壓，量產以38nm、2xnm制程為主，并在2xnm制程上持續(xù)開發(fā)新產品，不斷擴充SLC NAND Flash產品線，同時先進制程的1xnm NAND Flash產品已完成首輪晶圓流片并已完成功能性驗證。同時，產品核心技術優(yōu)勢明顯，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了業(yè)內領先的單顆集成技術，將存儲陣列、ECC 模塊與接口模塊統(tǒng)一集成在同一芯片內，有效節(jié)約了芯片面積。公司產品在耐久性、數據保持特性等方面表現穩(wěn)定，不僅在工業(yè)溫控標準下單顆芯片擦寫次數已經超過 10 萬次，同時可在-40℃-105℃的極端環(huán)境下保持數據有效性長達 10 年，產品可靠性逐步從工業(yè)級標準向車規(guī)級標準邁進。

NOR Flash產品容量從64Mb到1Gb，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、DTR傳輸模式和多種封裝方式。公司在48nm制程上持續(xù)進行更高容量的新產品開發(fā)，目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash產品都已有樣品可提供。

同時，東芯半導體聚焦高附加值產品， 38nm工藝平臺的SLC NAND Flash以及48nm工藝平臺的NOR Flash均有產品通過AEC-Q100測試，將適用于要求更為嚴苛的車規(guī)級應用環(huán)境。在DRAM領域也在持續(xù)進行新產品的研發(fā)設計，助力公司產品多樣性發(fā)展，設計研發(fā)的LPDDR4X及PSRAM產品均已完成工程樣片。

結合產業(yè)上下游產業(yè)鏈，強化產品質量，提供優(yōu)質服務

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憑借對產品下游應用細分市場的分析累積和產品優(yōu)勢特點，準確把握市場應用需求，聚焦投入，形成了完整的NAND Flash、NOR Flash、DRAM及MCP的產品供應鏈。

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加強供應鏈合作，保證產能穩(wěn)定，秉持著“本土深度，全球廣度”的供應鏈布局，以國產化供應鏈安全和自主可控為目標，重視與晶圓廠和與封測廠的合作，將持續(xù)深化業(yè)務往來與技術協(xié)作，建立健全的全球化供應鏈以滿足不同客戶的需求。

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秉持著“品質”“競爭力”“客戶滿意”“持續(xù)改進”的質量方針不斷優(yōu)化服務流程和運營系統(tǒng)，持續(xù)提升相應的產品質量與服務質量管理體系，能夠為全球客戶第一時間提供高效的服務支持。針對關鍵工藝細節(jié)管控及關鍵原材料把關，公司將在充實相關部門人力資源的同時，持續(xù)加強與代工廠的深入合作，整合各方資源，優(yōu)化整體制造環(huán)境，從而不斷提升產品生產制造品質。

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建立優(yōu)秀的客戶服務團隊，并制定了客戶技術支持的服務規(guī)范、客戶投訴的處理流程、不合格產品的管控程序、產品失效分析程序等一系列制度規(guī)則，旨在高效率、高質量地應對不同客戶的服務需求。公司將客戶服務理念貫穿到產品研發(fā)至售后的各個環(huán)節(jié)，在內部形成一個良好的處理閉環(huán)，持續(xù)提升品質管控體系，推動公司產品不斷精益求精。

東芯半導體也在“成為中國領先的存儲芯片設計企業(yè)”的道路上持續(xù)努力，為日益發(fā)展的存儲需求提供高效可靠的解決方案。