羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億
羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場30%的份額。到2027財(cái)年,將碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的銷售額提升到2700億日元(約人民幣139億)。
為此,羅姆在收購端開始發(fā)力,羅姆已與Solar Frontier達(dá)成協(xié)議,收購Solar Frontier公司的原國富工廠。收購計(jì)劃將于2023年10月完成,2024年開始運(yùn)營工廠,到2030年將碳化硅產(chǎn)能提升至2021年的35倍。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
功率半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1507瀏覽量
45291 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3557瀏覽量
52674 -
羅姆
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
448瀏覽量
67957
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
碳化硅肖特基二極管 NVDSH50120C:開啟功率半導(dǎo)體新時(shí)代
碳化硅肖特基二極管 NVDSH50120C:開啟功率半導(dǎo)體新時(shí)代 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著電子系統(tǒng)的效率、可靠性和成本
《氧化鋁、碳化硅、氮化硅,誰才是工業(yè)陶瓷老大?》
浪潮和產(chǎn)業(yè)風(fēng)頭來看,碳化硅無疑是時(shí)下最當(dāng)紅的“霸主”。它在半導(dǎo)體設(shè)備和新能源產(chǎn)業(yè)中扮演著關(guān)鍵角色,勢頭迅猛,市場規(guī)模正在快速超越。而如果從綜合力學(xué)性能和應(yīng)用潛力來看,氮化硅才是真正站在塔尖的“無冕之王
發(fā)表于 04-29 07:23
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電源拓?fù)渑c解析
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電源拓?fù)渑c解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告
基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接
簡單認(rèn)識博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和
傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破
傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例 傾佳電子(Changer Tech)是
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
)、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢,尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來自兩家行業(yè)領(lǐng)先
羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新
2025 年 9 月 24 日,在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場,羅姆(ROHM)攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室介紹
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,2025年1月,在上海正式設(shè)立碳化硅
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅
基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?;?b class='flag-5'>半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(
羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億
評論