新能源汽車的發(fā)展，對充電樁提出了高功率密度、大功率以及高效率等需求。充電模塊作為充電樁的核心部件，其核心功能的實現(xiàn)主要依托于功率半導體器件發(fā)揮整流、 穩(wěn)壓開關(guān)、變頻等作用，隨著用戶更加追求充電系統(tǒng)的小型化、高效化，功率器件作為充電樁的核心器件也面臨著不斷優(yōu)化和升級。

充電樁所采用的功率器件主要是IGBT和MOSFET，兩者均為硅基產(chǎn)品，而充電樁向直流快充的發(fā)展，對功率器件提出了更高的要求。為了讓汽車充電變得像加油站加油一樣快，車廠正在積極尋求能夠提高效率的材料，目前碳化硅在其中會更具備優(yōu)勢。碳化硅具有耐高溫、耐高壓、大功率等優(yōu)點，可提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積，本文主要介紹基本半導體1200V的碳化硅MOSFETB2M035120YP在充電樁中的應用優(yōu)勢。

基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。B2M035120YP導通電阻(Rdson)為35mΩ@VGS=18V，連續(xù)漏記電流ID (TC=25°C)為86A，耐高溫(175℃)，可以完全替代英飛凌IMZ120R030M1H和安森美NVH4L030N120M3S，并且B2M035120YP在高溫下性能略占優(yōu)勢。

目前，大多數(shù)純電動車都采用車載交流充電方案，必須花上好幾個小時才能充滿電。大功率化 (比如30kW及以上)以實現(xiàn)電動車的快速充電也順理成章成為充電樁的下一個重要布局方向。而大功率充電樁，也會帶來不小的挑戰(zhàn)，例如需要實現(xiàn)大功率高頻轉(zhuǎn)換開關(guān)操作，轉(zhuǎn)換損耗所產(chǎn)生的熱量。但B2M035120YP憑借以上優(yōu)勢可以很好地用于充電樁模塊中、能夠增強充電樁的穩(wěn)定性。

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