接下來我們就詳細(xì)的看一下這三者有何區(qū)別。

1、睡眠（Sleep）模式

● 進入睡眠模式

進入睡眠模式有兩種指令：WFI（等待中斷）和WFE（等待事件）。根據(jù)Cortex-M內(nèi)核的SCR（系統(tǒng)控制）寄存器可以選擇使用立即休眠還是退出時休眠，當(dāng) SCR 寄存器的 SLEEPONEXIT（bit1）位為 0 的時候使用立即休眠，當(dāng)為 1的時候使用退出時休眠。

CMSIS（Cortex 微控制器軟件接口標(biāo)準(zhǔn)）提供了兩個函數(shù)來操作指令 WFI 和 WFE，我們可以 直接使用這兩個函數(shù)：__WFI和__WFE。FreeRTOS 系統(tǒng)會使用 WFI 指令進入休眠模式。

● 退出休眠模式

如果使用 WFI 指令進入休眠模式的話那么任意一個中斷都會將 MCU 從休眠模式中喚醒，如果使用 WFE指令進入休眠模式的話那么當(dāng)有事件發(fā)生的話就會退出休眠模式，比如配置一個 EXIT 線作為事件。

當(dāng) STM32F103 處于休眠模式的時候 Cortex-M3 內(nèi)核停止運行，但是其他外設(shè)運行正常，比如 NVIC、SRAM等。休眠模式的功耗比其他兩個高，但是休眠模式?jīng)]有喚醒延時，應(yīng)用程序可以立即運行。

2、停止（Stop）模式

停止模式基于 Cortex-M3 的深度休眠模式與外設(shè)時鐘門控，在此模式下 1.2V 域的所有時鐘都會停止，PLL、HSI 和 HSE RC振蕩器會被禁止，但是內(nèi)部 SRAM 的數(shù)據(jù)會被保留。調(diào)壓器可以工作在正常模式，也可配置為低功耗模式。如果有必要的話可以通過將 PWR_CR 寄存器的FPDS位置 1 來使 Flash 在停止模式的時候進入掉電狀態(tài)，當(dāng) Flash 處于掉電狀態(tài)的時候MCU從停止模式喚醒以后需要更多的啟動延時。停止模式的進入和退出如表所示：

3、待機（Standby）模式

相比于前面兩種低功耗模式，待機模式的功耗最低。待機模式是基于 Cortex-M3 的深度睡眠模式的，其中調(diào)壓器被禁止。1.2V 域斷電，PLL、HSI振蕩器和 HSE 振蕩器也被關(guān)閉。除了備份區(qū)域和待機電路相關(guān)的寄存器外，SRAM 和其他寄存器的內(nèi)容都將丟失。待機模式的進入和退出如表所示：

退出待機模式的話會導(dǎo)致 STM32F1 重啟，所以待機模式的喚醒延時也是最大的。實際應(yīng)用中要根據(jù)使用環(huán)境和要求選擇合適的待機模式。