實時數(shù)據(jù)處理的需求在飛速增長，在各行各業(yè)均已得到證實。而我們同時也看到，各行業(yè)、企事業(yè)單位對于實時數(shù)據(jù)處理的需求，與其目前的項目開發(fā)方式和配套工具不適配的問題也在逐漸凸顯。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。

在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計算的擴展，客戶提出了許多要求，他們希望增加讀/寫周期、縮短數(shù)據(jù)寫入時間并提高存儲密度。這款新產(chǎn)品是為了滿足對現(xiàn)有 EEPROM 不滿意的客戶的要求而提供的解決方案。

MB85RS4MT 非常適合需要實時或頻繁數(shù)據(jù)記錄的各種應用，例如行車/導航記錄儀、工業(yè)機器人、計算機數(shù)控 (CNC) 機床、測量設備、智能電表和消費設備。

MB85RS4MT封裝

4Mbit FeRAM 產(chǎn)品 MB85RS4MT是富士通半導體的串行外設接口 (SPI) 產(chǎn)品 FeRAM 系列中密度最高的。富士通半導體近20年來量產(chǎn)的FeRAM非易失性存儲器產(chǎn)品具有高讀寫耐久性、高速寫入操作和低功耗等特點。

該 FeRAM 產(chǎn)品可保證 10 萬億次讀/寫周期，約為競爭性非易失性存儲器 EEPROM 的 1000 萬倍。

因此，即使MB85RS4MT用于邊緣計算中傳感器信息的頻繁數(shù)據(jù)記錄的存儲器，保證的讀/寫周期限制也不會成為客戶產(chǎn)品設計的瓶頸。（圖1）

圖1：讀/寫周期比較

FeRAM 產(chǎn)品還具有高速寫入操作的特點，通過覆蓋序列寫入數(shù)據(jù)，無需擦除操作。而傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如 EEPROM 和閃存）除了正常的寫入操作之外還需要額外的時間進行擦除操作。

這種快速寫入操作有助于保護數(shù)據(jù)免受突然電壓下降（例如寫入期間斷電）的影響。（圖2）

圖2：寫入時間比較（電壓下降時）

由于 MB85RS4MT 在 1.8V 至 3.6V 的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，因此它可與其他工作電壓為 1.8V 或 3.6V 的外圍電子元件一起用于客戶端產(chǎn)品。其工作電流非常小，1MHz工作時最大工作電流為250μA，最大待機電流為50μA。這意味著，該 FeRAM 產(chǎn)品由于其低工作電壓和低工作電流而具有低功耗的優(yōu)勢。

FeRAM 產(chǎn)品采用行業(yè)標準的 8 引腳 SOP 封裝，可以輕松替換 8 引腳 SOP 中的現(xiàn)有 EEPROM。這使得客戶能夠改用 FeRAM 產(chǎn)品，而無需對最終產(chǎn)品中的主板進行重大設計更改。

MB85RS4MT的主要規(guī)格

關于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

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