GaN材料相信大家都不陌生了，就連電梯廣告的快充都打著第三代GaN快充技術。氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。業(yè)界認為，在未來數(shù)年間，氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等價格。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機車、工業(yè)電機等領域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

最近看了一篇GaN技術和市場的技術報告，寫的還是很全面的，

GaN器件的功率密度是砷化鎵（GaAs）器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率，這是由于器件外圍更小。

GaN場效應晶體管（FET）器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的電壓下工作，因此設計人員可以更輕松地在窄帶放大器設計上實現(xiàn)阻抗匹配。阻抗匹配是以這樣的方式設計電負載的輸入阻抗的實踐，其最大化從設備到負載的功率傳輸。

GaNFET器件的電流是GaAsFET器件的兩倍。由于GaNFET器件可提供的電流是GaAsFET器件的兩倍，因此GaNFET器件具有更高的帶寬能力。大部分的半導體器件對于溫度的變化都是非常敏感的，為了保證可靠性，半導體的溫度變化必須被控制在一定范圍內(nèi)。

里面還有很多GaN專利的爭斗事件，也可以看看，挺有意思的，想要PDF的可以公眾號聯(lián)系我。