瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開(kāi)發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z(1200V 40mΩSiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證證書(shū)，而且通過(guò)了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導(dǎo)入測(cè)試，正式開(kāi)啟量產(chǎn)交付。

這不僅驗(yàn)證了瞻芯電子第二代SiC MOSFET工藝平臺(tái)的可靠性，也為后續(xù)即將量產(chǎn)的其他SiC MOSFET產(chǎn)品奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，同時(shí)也標(biāo)志著瞻芯電子碳化硅晶圓廠邁進(jìn)新的階段。

產(chǎn)品特性

瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiCMOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。同時(shí)，第二代SiC MOSFET產(chǎn)品依然保持高可靠性與強(qiáng)魯棒性，在AEC-Q101車規(guī)可靠性認(rèn)證、短路測(cè)試、浪涌測(cè)試中等評(píng)估中表現(xiàn)優(yōu)良。

此外，瞻芯電子將在2023年陸續(xù)推出更多規(guī)格類型的第二代SiC MOSFET，耐壓等級(jí)包括650V/750V/1200V/1700V，導(dǎo)通電阻覆蓋14mΩ-50Ω，并且大都采用車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，如下：

IV2Q12040T4Z是一款車規(guī)級(jí)1200V40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品，導(dǎo)通電流Ids=65A(Tc=25℃)，可耐受工作結(jié)溫高達(dá)175℃，在對(duì)比同類產(chǎn)品測(cè)試中，其比導(dǎo)通電阻較低，開(kāi)關(guān)損耗與寄生電容更小，適用于更高開(kāi)關(guān)頻率。

注：所有數(shù)據(jù)均由瞻芯電子通過(guò)同一雙脈沖測(cè)試平臺(tái)實(shí)測(cè)所得。

Eon/Eoff測(cè)試條件為VDS=800VIDS=30A

在25℃調(diào)整Rg_on和Rg_off，使dV/dt和di/dt達(dá)到目標(biāo)值；175℃下Rg不變

備注：所有數(shù)據(jù)均由瞻芯電子通過(guò)同一雙脈沖測(cè)試平臺(tái)實(shí)測(cè)所得

反向恢復(fù)測(cè)試條件為VDS=800VIDS=30A

在25℃調(diào)整Rg使di/dt達(dá)到目標(biāo)值；175℃下Rg不變

IV2Q12040T4Z的可靠性與魯棒性也表現(xiàn)不俗，能通過(guò)嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，包括100% Vds HTRB、HV-H3TRB等加嚴(yán)項(xiàng)目)。

IV2Q12040T4Z在短路測(cè)試中，可耐受500A峰值脈沖電壓，短路時(shí)間大于3uS，波形圖如下：

IV2Q12040T4Z在單次10ms浪涌電流測(cè)試中，可耐受峰值電流高達(dá)214A，波形圖如下：

IV2Q12040T4Z采用T0247-4封裝，具備開(kāi)爾文源極引腳，能減小主回路對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的影響，因此更適合高功率、高頻率、高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。

典型應(yīng)用

1.電機(jī)驅(qū)動(dòng)

2.光伏逆變器、儲(chǔ)能

3.車載直流變換器(DC-DC)

4.車載空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)

5.開(kāi)關(guān)電源

6.充電樁

7.特種工業(yè)電源

審核編輯：彭菁