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PN8306M/H-5v3a反激同步整流芯片方案

深圳市驪微電子科技 ? 2022-01-05 15:23 ? 次閱讀
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PN8306M/H同步整流電源芯片,與PN8370、PN8386配合使用,輕松實現(xiàn)5V2A、5V2.4A、5V3.4A六級能效電源方案。

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PN8306M 5v同步整流降壓芯片特性:
1、適用于DCM/QR工作模式的反激變換器,效率提高3%以上;
2、內(nèi)置6/14mΩ 55V Trench MOSFET,典型應(yīng)用5V2.4A/3.4A;/3、Smart控制算法實現(xiàn)零直通炸機風險;
4、VIN耐壓高達24V,抗沖擊能力強;
5、內(nèi)置高壓供電模塊,同步控制不受輸出電壓波動影響,更可靠;
6、高精度次級電流檢測,同步整流關(guān)斷點精準,提高轉(zhuǎn)換效率,避免倒灌電流;
7、超強HBM ESD設(shè)計, VIN、VDET無需外串電阻,可滿足15kV空氣/8kV接觸ESD標準;
8、最小導(dǎo)通時間可通過RT電阻調(diào)整以匹配變壓器設(shè)計,避免同步整流干擾PSR采樣;
9、ESOP8裸銅散熱封裝,溫升更低;
10、VIN欠壓保護/過壓鉗位。

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PN8370M+PN8306M 內(nèi)置mos同步整流芯片六級能效方案亮點 :
外圍簡潔(節(jié)省8顆元件):PN8370M節(jié)省2顆啟動電阻;PN8306M獨特控制技術(shù)可實現(xiàn)零外圍工作,節(jié)省傳統(tǒng)SR方案的供電RC濾波,SW偵測電阻,RT電阻,RC吸收等6顆元件。
高可靠性:a.方案三道防線,實現(xiàn)SR與PSR零直通風險;b.芯片HBM ESD大于4kV,latchup電流大于400mA,顯著提高系統(tǒng)安規(guī)能力,接觸靜電高達15kV; c.PSR與SR匹配工作,徹底避免小載采樣沖突,異常工況下,SR做好配角,PSR主導(dǎo)所有異常保護。
低待機功耗:PN8370M內(nèi)置高壓啟動,可輕松實現(xiàn)50mW待機功耗。

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PN8306內(nèi)置mos同步整流芯片因外圍精簡、EMC性能卓越、支持任意工作模式、貼片封裝并無需散熱片,驪微電子廣泛于5V2A、5V2.4A、5V3.4A六級能效電源方案。

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