日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

30V超低內(nèi)阻mos管系列,鋰電池專用mos管方案

深圳市驪微電子科技 ? 2022-08-30 13:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

30V超低內(nèi)阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)晶體管,采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造。具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。

2fda202f21794c1a8ddde333d2ea15d9~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=dRYPKR2tD81PSqUqV9u%2BFmh9brs%3D

30v大電流mos管SVG030R7NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:282A,導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=0.7mΩ@VGs=10V,具有低柵極電荷、快關(guān)速度快、低反向傳輸電容等特點(diǎn)。

4f7d90e8945b40b28be97cd8eb39b9d3~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=p165BP%2BOfib0lmMefZmJSHUH25Y%3D

30V低壓mos管SVG031R1NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:229A,導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=1.1mΩ@VGs=10V。

8ff5b2520dac42c6be70b4889a2fb6b8~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=w1uU%2BFbeeWhCqOYiWTY9E2tfyZA%3D

30v貼片mos管SVG031R7NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:138A,導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=1.7mΩ@VGs=10V。

9b7c978f19ba44dd8d6746c79e7a87e4~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=H6dhAs%2BNVnLp1m%2BslGlRa8kYlGI%3D

耐壓30v mos管SVG032R4NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:100A,導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=2.4mΩ@VGs=10V。

d51a2d4fc2114f8fa50504881234e4ca~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1662170970&x-signature=ndeiCVfnIUIN1EQqqqr0TcobPzU%3D

30V超低內(nèi)阻mos管系列均采用PDFN-8-5X6封裝,并已大批量量產(chǎn),典型應(yīng)用于電源市場同步整流、小功率電機(jī)/電動工具、電子煙、鋰電分容柜等不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域,更多MOS管產(chǎn)品手冊、參數(shù)等資料請向士蘭微代理驪微電子申請。>>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    XZ8921A兩節(jié)充電8.4V 1.8A 耐壓30V鋰電池充電管理芯片

    XZ8921A是一款輸入電源30V高耐壓、同時 BAT引腳同樣具備30V高耐壓。內(nèi)置OVP保護(hù)功能完整的升壓開關(guān)型2節(jié)串聯(lián)鋰電池充電管理芯片。其ESOP-8的封裝與簡單的外圍電路,使得XZ8921A
    發(fā)表于 04-11 10:09

    MOS在24V無刷電機(jī)風(fēng)扇應(yīng)用參數(shù)詳解與選型指南

    GINKGO MICRO MOS在24V無刷電機(jī)風(fēng)扇應(yīng)用參數(shù)詳解與選型指南應(yīng)用背景與拓?fù)?b class='flag-5'>方案24V無刷電機(jī)風(fēng)扇主流采用三相半橋6
    發(fā)表于 03-30 16:29 ?1次下載

    兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片IC 的原理和電路圖應(yīng)用指南

    (3)過流/短路保護(hù):防止輸出端短路或電流過大燒毀電池2. 兩節(jié)鋰電池保護(hù)板電路的要點(diǎn)(1)為什么需要MOS:(芯片是大腦,MOS
    發(fā)表于 03-20 17:30

    JZ4056H高耐壓30V單節(jié)線性1A鋰電池充電管理參考設(shè)計

    JZ4056H高耐壓30V單節(jié)線性1A鋰電池充電管理參考設(shè)計
    發(fā)表于 01-11 17:11 ?0次下載

    貼片MOS100N03 TO-252規(guī)格書

    貼片MOS100N03 TO-252電流100A 30V
    發(fā)表于 12-04 17:12 ?0次下載

    合科泰MOS鋰電保護(hù)場景中的應(yīng)用

    在消費(fèi)電子與電動工具的鋰電保護(hù)場景中,MOS 的選型對保護(hù)板的性能、可靠性有著直接影響。本文結(jié)合典型應(yīng)用場景介紹常見方案,并圍繞合科泰 HKTD040N03、HKTD030N03 兩
    的頭像 發(fā)表于 12-03 16:11 ?1677次閱讀

    合科泰TO-252封裝N溝道MOSHKTD100N03的核心優(yōu)勢

    如BMS、電機(jī)控制、電力開關(guān)的12V系統(tǒng)對低內(nèi)阻MOS的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設(shè)計的解決方案。而HKTD1
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:44 ?1144次閱讀
    合科泰TO-252封裝N溝道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTD100N03的核心優(yōu)勢

    30P06貼片MOS規(guī)格書

    30P06 TO-252貼片MOS規(guī)格書
    發(fā)表于 11-25 10:26 ?0次下載

    PD快充MOS高性能低內(nèi)阻SGT工藝場效應(yīng)HG5511D應(yīng)用方案

    組成部分。 快充關(guān)鍵元器件的性能適配方向 在 USB PD 快充電源方案中,同步整流用 MOS 需滿足多維度性能要求,以適配快充場景的實(shí)際需求,主要包括以下三個方向: 低內(nèi)阻與低功耗
    發(fā)表于 11-03 09:28

    HGE028N15L DCDC應(yīng)用電路中MOS的選型指南20-250V系列內(nèi)阻MOS

    HGE028N15L DCDC應(yīng)用電路中MOS的選型指南20-250V系列內(nèi)阻MOS
    發(fā)表于 10-30 09:13

    飛虹MOSFHS100N8F6A在鋰電池保護(hù)板中的應(yīng)用

    鋰電池保護(hù)板的設(shè)計中,MOS作為關(guān)鍵功率開關(guān)器件,直接影響系統(tǒng)的安全性、效率和可靠性。選擇合適的MOS,不僅關(guān)系到
    的頭像 發(fā)表于 10-23 09:45 ?2138次閱讀
    飛虹<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>FHS100N8F6A在<b class='flag-5'>鋰電池</b>保護(hù)板中的應(yīng)用

    ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS,重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿

    在低壓大電流功率電子領(lǐng)域,MOS的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道MOS
    的頭像 發(fā)表于 10-22 09:42 ?803次閱讀
    ZK<b class='flag-5'>30</b>N140T:Trench工藝賦能的<b class='flag-5'>30V</b>/140AN溝道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>,重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿

    PD快充MOSHG5511D高性能低內(nèi)阻SGT工藝應(yīng)用方案 內(nèi)阻僅11mΩ 小尺寸DFN封裝

    的一款高性能低內(nèi)阻SGT工藝MOSHG5511D可應(yīng)用于PD快充充電器同步整流位置,內(nèi)阻僅11mΩ,可以解決充電器功耗大發(fā)熱的問題;超低
    發(fā)表于 09-10 09:24

    常用的mos驅(qū)動方式

    本文主要探討了MOS驅(qū)動電路的幾種常見方案,包括電源IC直接驅(qū)動、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動等。電源IC直接驅(qū)動的簡約哲學(xué)適合小容量MOS
    的頭像 發(fā)表于 06-19 09:22 ?1370次閱讀
    常用的<b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>驅(qū)動方式

    如何準(zhǔn)確計算 MOS 驅(qū)動電流?

    驅(qū)動電流是指用于控制MOS開關(guān)過程的電流。在MOS的驅(qū)動過程中,需要將足夠的電荷注入或抽出MOS
    的頭像 發(fā)表于 05-08 17:39 ?4931次閱讀
    如何準(zhǔn)確計算 <b class='flag-5'>MOS</b> <b class='flag-5'>管</b>驅(qū)動電流?
    陆丰市| 景谷| 湖南省| 怀化市| 龙川县| 扎囊县| 山丹县| 玉门市| 湖北省| 宁陕县| 新宾| 金门县| 涟源市| 扎鲁特旗| 天祝| 专栏| 赞皇县| 五常市| 清新县| 增城市| 深圳市| 凯里市| 潼关县| 万源市| 浮山县| 泸西县| 黄陵县| 德化县| 兴仁县| 闵行区| 齐齐哈尔市| 绥芬河市| 汉阴县| 彰化市| 正镶白旗| 建阳市| 东丽区| 临高县| 六盘水市| 博爱县| 株洲市|