優(yōu)恩半導(dǎo)體-SIM 卡 - 靜電放電及插拔脈沖電壓防護
方案簡介：SIM 卡是 GSM 手機連接到 GSM 網(wǎng)絡(luò)的鑰匙，一旦 SIM 卡從手機拔出，除了緊急呼叫外，手機將無法享受網(wǎng)絡(luò)運營者提供的各種服務(wù)。SIM 卡除了能作為鑰匙外，還為用戶提供很多方便。用戶只需將 SIM 卡插入或嵌入任何一臺 GSM 終端，即能實現(xiàn)通信，SIM 卡在與手機連接時，最少需要 5 根連線，如圖所示。圖中，Vcc 為電源，CLK 為時鐘，Reset 為復(fù)位，N.C 為未用，Gnd 為接地端、I/O 為數(shù)據(jù)輸入輸出接口，Vpp 為編程電壓，具有廣泛的應(yīng)
用范圍怎么避免因頻繁的插拔電纜所造成的 ESD 損害，怎么讓產(chǎn)品穩(wěn)定可靠的運行，成為我們迫切需要處理的問題，常規(guī)的靜電防護器件可能會影響數(shù)據(jù)的傳輸，造成音質(zhì)失真等現(xiàn)象；此方案采用集成多路 ESD 防護元器件，具有導(dǎo)通電壓精度高、響應(yīng)速度快、寄生電容值低、鉗位電壓低的特性，在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足 IEC61000-4-2 Level 4 靜電放電防護需求，且做到成本優(yōu)化。
產(chǎn)品圖示：
SR05-04A應(yīng)用示例：符合要求 : ESD IEC 61000-4-2 Level 4
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
ESD
+關(guān)注
關(guān)注
50文章
2428瀏覽量
180453 -
電子元器件
+關(guān)注
關(guān)注
134文章
3970瀏覽量
114487 -
SIM卡
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
293瀏覽量
30830 -
電路防護
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
64瀏覽量
8429
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
電子設(shè)備防護器件選型指南：守住電路的第一道防線
（ESD）專用器件
靜電放電是電子設(shè)備最常遇到的威脅，尤其是在插拔接口、按鍵、外殼縫隙等處。
1. 關(guān)鍵參數(shù)
動態(tài)電阻 ：比鉗位電壓更能反映ESD抑制能力。低動態(tài)電阻（＜0.5Ω）的器
發(fā)表于 04-29 08:54
DC12V供電端口差共模4KV浪涌防護-優(yōu)恩半導(dǎo)體
帶極性反接保護-差共模4KV浪涌防護方案 ? 帶極性反接保護-差共模4KV浪涌防護方案 1、通過在電路上并接電壓精度高、響應(yīng)速度快、鉗位電壓低的TVS器件對后端電路進行精準保護； 2、
SIM卡靜電放電防護方案
方案簡介SIM卡，全稱為“用戶識別模塊”（SubscriberIdentityModule），是移動通信網(wǎng)絡(luò)中用于存儲用戶簽約信息的智能卡。SIM卡
關(guān)于“靜電放電（ESD）現(xiàn)象”的詳解
對于集成電路芯片領(lǐng)域，靜電放電就是一個不可忽視的重大問題，因為靜電放電可以在短時間內(nèi)產(chǎn)生幾百甚至幾千伏高壓，雖然持續(xù)時間很短，但是足以給半導(dǎo)體
ESD防護入門：靜電放電的本質(zhì)與測試體系
講解冬天脫毛衣時聽到“噼啪”聲，摸門把手時被“電”了一下？這就是生活中最常見的靜電放電（ESD）現(xiàn)象?？此莆⑿〉?b class='flag-5'>靜電，對電子設(shè)備來說可能是“致命殺手”——手機屏幕失靈、傳感器誤觸發(fā)、芯片燒毀，很多時候都和ESD脫不了干系。今天我
靜電放電？ZLG致遠電子的“防護盾”了解一下
ESD是電子設(shè)備的常見隱患，它可能在不經(jīng)意間對設(shè)備造成嚴重損害。本文將探討ESD的成因、危害，以及ZLG致遠電子如何通過其靜電防護方案，確保電子設(shè)備的穩(wěn)定運行。靜電放電的成因與危害
半導(dǎo)體器件的靜電放電（ESD）失效機理與防護設(shè)計
靜電在自然界中無處不在。從芯片制造、封裝測試、運輸存儲到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對芯片造成不可逆損。半導(dǎo)體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)
MDD靜電二極管選型只看“靜電電壓等級”就夠了嗎？
在電子產(chǎn)品設(shè)計中，MDD辰達半導(dǎo)體的靜電二極管是最常用的接口防護器件。許多工程師在選型時，往往會首先關(guān)注器件的ESD等級，例如標(biāo)稱可承受±8kV接觸放電或±15kV空氣
TVS布局對靜電放電防護效果的影響分析
在產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計的過程中發(fā)現(xiàn),即使靜電防護器件的選型足夠嚴謹,器件設(shè)計參數(shù)的裕度足夠充分,有時也不能達到理想的設(shè)計效果,在靜電放電 (ESD) 測試過程中,常會出現(xiàn)功能丟失、死機等軟失效
射頻（RF）接口的ESD靜電防護
? 上一期我們揭開了智能手環(huán)整體ESD防護的“防御體系”，從傳感器到電路，每一層防護都在與靜電這個“隱形殺手”博弈。而在這些防護環(huán)節(jié)中，射頻（RF）接口堪稱智能手環(huán)的“數(shù)據(jù)咽喉”——它
意法半導(dǎo)體全新eSIM解決方案ST4SIM-300介紹
在當(dāng)前快速演進的數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施中，智慧城市與工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)所需的不只是基礎(chǔ)的聯(lián)網(wǎng)能力，更要求安全、可擴展、且可在全球部署的解決方案，同時兼顧持續(xù)創(chuàng)新與長期可靠性。意法半導(dǎo)體
深度解析：雙卡切換的SIM卡電路設(shè)計原則與實現(xiàn)！
要實現(xiàn)穩(wěn)定的雙卡切換功能，電路設(shè)計必須遵循嚴格的技術(shù)規(guī)范。本文系統(tǒng)梳理SIM卡接口的電氣特性、時序要求及ESD防護策略，揭秘雙卡切換背后的電
mos管對靜電的防護電路
本文主要介紹了MOS管的靜電防護問題。通過從源頭隔絕靜電入侵、加裝電壓保險絲和優(yōu)化PCB布局等方式，可以有效防止靜電擊穿。
半導(dǎo)體芯片的ESD靜電防護：原理、測試方法與保護電路設(shè)計
半導(dǎo)體芯片易受大電流與高電壓現(xiàn)象影響。為實現(xiàn)元件級保護，我們采用片上ESD保護電路來提供安全的靜電放電電流泄放路徑。靜電
時源芯微ESD防護ANT靜電防護方案
時源芯微專業(yè)EMC/EMI/EMS整改? EMC防護器件 這張電路圖展示了一個IEC 61000-4-2 ANT靜電防護方案，該方案旨在保護電路免受靜電
評論