帶極性反接保護(hù)-差共模4KV浪涌防護(hù)方案

帶極性反接保護(hù)-差共模4KV浪涌防護(hù)方案

1、通過在電路上并接電壓精度高、響應(yīng)速度快、鉗位電壓低的TVS器件對后端電路進(jìn)行精準(zhǔn)保護(hù)；

2、在TVS管保護(hù)后級串接PMOS管或者低壓降的肖特基二極管做極性反接保護(hù)，低內(nèi)阻的MOS管可以有效降低功率損耗，減少發(fā)熱量；

3、靠近芯片端并聯(lián)一顆低VF的肖特基二極管，有利于負(fù)壓浪涌防護(hù)與模擬雷擊浪涌測試；

4、共模防護(hù)部分通過GND對PE并接陶瓷氣體放電管，提供浪涌泄放路徑；

5、產(chǎn)品若涉及到絕緣耐壓測試，可以通過提高GND對PE并接的陶瓷氣體放電管的電壓實(shí)現(xiàn)；

6、通過選擇不同功率大小的TVS管，可以滿足不同等級的測試需求。

兩級帶過流保護(hù)-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

兩級帶過流保護(hù)-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

1、方案采用多級保護(hù)的方式，擁有更高的浪涌防護(hù)能力、更低的鉗位電壓、更好的防護(hù)效果，同時具有更強(qiáng)的設(shè)計兼容性；

2、初級通過在電源正負(fù)之間并接3PIN的陶瓷氣體放電管，中間PIN腳接大地PE，做差共模保護(hù)；

3、過陶瓷管后串接自恢復(fù)保險絲做后端負(fù)載過流、短路及TVS管失效異常保護(hù)；

4、通過在中間級串接一定感量的差模電感做退耦，使前端大通流，高電壓的GDT能夠快速響應(yīng)；

5、次級通過在電路上并接電壓精度高、響應(yīng)速度快、鉗位電壓低的TVS器件對后端電路進(jìn)行精準(zhǔn)保護(hù)；

6、通過選擇不同的保護(hù)器件，可以滿足不同等級的測試保護(hù)需求。

防雷模塊型-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

防雷模塊型-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

1、通過在電源輸入端口并接浪涌保護(hù)模塊對后端電路進(jìn)行保護(hù)；

2、能夠解決多級防護(hù)電路中額定工作電流較大的情況下，中間退耦的選擇麻煩的問題；

3、小尺寸、大通流、差共模保護(hù)一體化設(shè)計，使其擁有卓越防護(hù)效果的同時，能最大程度縮減PCB板的占用空間；

4、簡易的設(shè)計，降低了用戶的使用門檻。

兩級帶EMI抑制-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

兩級帶EMI抑制-差共模4KV浪涌保護(hù)方案

1、方案采用多級保護(hù)的方式，擁有更高的浪涌防護(hù)能力、更低的鉗位電壓、更好的防護(hù)效果，同時具有更強(qiáng)的設(shè)計兼容性；

2、初級防護(hù)通過在電源正負(fù)之間并接壓敏串放電管做差模保護(hù)，陶瓷放電管的高阻抗，能有效降低并聯(lián)支路的漏電流，提升方案的可靠性

3、通過共模電感、X電容、Y電容組成的EMI濾波器能有效抑制EMI干擾；

4、通過在中間級串接一定感量的差模電感做退耦，使前端大通流，高電壓的MOV和GDT能夠快速響應(yīng)；

5、次級通過在電路上并接電壓精度高、響應(yīng)速度快、鉗位電壓低的TVS器件對后端電路進(jìn)行精準(zhǔn)保護(hù)；

6、靠近芯片端并聯(lián)一顆低VF的肖特基二極管，有利于負(fù)壓浪涌防護(hù)與模擬雷擊浪涌測試，此肖特基選型時需要注意IPP；

7、共模防護(hù)部分通過GND對PE并接陶瓷氣體放電管，提供浪涌泄放路徑；

8、產(chǎn)品若涉及到絕緣耐壓測試，可以通過提高GND對PE并接的陶瓷氣體放電管的電壓實(shí)現(xiàn)；

9、通過選擇不同的保護(hù)器件，可以滿足不同等級的測試保護(hù)需求。

以上方案符合標(biāo)準(zhǔn)要求：

IEC 61000-4-2、EN 61000-4-2、GB/T 17626.2、IEC 61000-4-5、EN 61000-4-5、GB/T 17626.5

審核編輯 黃宇