隨著高速數(shù)據(jù)通信的進步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備之一。

在可穿戴設(shè)備中，電池使用壽命對于良好的用戶體驗至關(guān)重要?？纱┐髟O(shè)備應(yīng)用中的顯示屏消耗了大部分電池電力。解決方法之一是直接提高電池容量，但是大容量電池會加大尺寸和重量，對可穿戴設(shè)備不合適，尤其是在市場不斷追求更小型化的新款產(chǎn)品時更是如此。更具挑戰(zhàn)性的是，電池技術(shù)的發(fā)展跟不上日益增長的系統(tǒng)需求。因此最大限度降低顯示屏功耗成為可穿戴設(shè)備市場的關(guān)鍵設(shè)計因素。

1、使用國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC

在系統(tǒng)設(shè)計中，由于可使用多種功耗模式并結(jié)合不同的喚醒次數(shù)，因此開發(fā)人員可根據(jù)應(yīng)用需求降低總功耗水平。當穿戴產(chǎn)品顯示器處于使用狀態(tài)時，鐵電存儲器PB85RS2MC可根據(jù)何時被訪問以進行突發(fā)讀取，而交替處于工作模式和待機模式。當顯示器需要短時間暫停使用時，可使用深度待機模式。當顯示器將在較長時間內(nèi)停止使用時，可使用休眠模式。

鐵電存儲器PB85RS2MC還能用作預(yù)渲染圖像存儲器，從而釋放閃存空間。這樣還能為幀緩存節(jié)省初始設(shè)置時間。

2、鐵電存儲器PB85RS2MC應(yīng)用介紹：

? PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。

? PB85RS2MC具有讀寫速度快（最高100萬次）、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點。

? PB85RS2MC最低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。

? PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

? PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

綜上所述，相比快閃存儲器、可擦除可編程式存儲器，鐵電存儲器在所有非易失性存儲器件當中將更有潛質(zhì)，并有取代目前動態(tài)隨機存儲器和靜態(tài)隨機存儲器等主流存儲產(chǎn)品的趨勢，PB85RS2MC為國產(chǎn)，價格優(yōu)勢遠高于進口型號，國芯思辰可提供相關(guān)的技術(shù)支持和穩(wěn)定的供貨渠道。

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