目前，我們?cè)谠S多的應(yīng)用中都能看到能量采集的身影，例如傳感器節(jié)點(diǎn)、風(fēng)力渦輪機(jī)和室內(nèi)供能應(yīng)用等；在電力線無(wú)法到達(dá)的偏遠(yuǎn)地區(qū)，風(fēng)能或太陽(yáng)能采集可以為電池供電系統(tǒng)提供一個(gè)可行的替代能源。

太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)由太陽(yáng)能電池組、太陽(yáng)能控制器、蓄電池 (組) 組成，通常需要一塊物理尺寸很大的太陽(yáng)能板和一套巨大的熱能采集裝置，系統(tǒng)在工作中需要記錄從傳感器的發(fā)電，功率消耗，日照和溫度數(shù)據(jù)等；一般設(shè)計(jì)人員希望將傳感器或其它數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中，因?yàn)榧词乖陔娏χ袛鄷r(shí)，也可以恢復(fù)采集到的數(shù)據(jù)。所以，例如EEPROM或FLASH現(xiàn)存的通用存儲(chǔ)器技術(shù)在這些能量受限的情況下并不是最佳選擇。

使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC：

鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)是將SRAM存儲(chǔ)器的很多優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起，而同時(shí)又具有FLASH存儲(chǔ)器的非易失性。一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)就是超低功耗非易失性FRAM的寫(xiě)入，與FLASH不同的是，這些寫(xiě)入無(wú)需預(yù)擦除周期，從而節(jié)省了時(shí)間和電能。另外一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是鐵電存儲(chǔ)器單元的固有低壓寫(xiě)入，傳統(tǒng)閃存或EEPROM技術(shù)需要一個(gè)集成電荷泵來(lái)完成預(yù)擦除周期，而這通常需要5-10mA的電流，運(yùn)行時(shí)間則需要數(shù)百毫秒，在需要頻繁非易失性寫(xiě)入的應(yīng)用中，這個(gè)額外的能耗會(huì)消耗可觀的電池電量或采集得來(lái)的能量。

PB85RS2MC性能優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用特征：

1、PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。

2、PB85RS2MC具有讀寫(xiě)速度快（最高100萬(wàn)次）、寫(xiě)入壽命長(zhǎng)、寫(xiě)入耗能小等優(yōu)點(diǎn)。

3、PB85RS2MC最低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。

4、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

5、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

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