根據(jù)市場研究，高功率EEL邊發(fā)射芯片市場正在經(jīng)歷快速發(fā)展。到2025年，全球高功率EEL邊發(fā)射芯片市場規(guī)模預計將達到10億美元，年復合增長率達到10%。全球市場對于高效、高功率、小體積的激光光源的需求不斷增長。

45W 976nm單管激光芯片

這些市場需求預示著更高的技術(shù)門檻、更先進生產(chǎn)工藝挑戰(zhàn)。檸檬光子憑借生產(chǎn)工藝的進步和技術(shù)創(chuàng)新，研發(fā)45W高功率單管EEL激光芯片完美滿足這些需求。

976nm 45W高功率單管邊發(fā)射芯片的技術(shù)特點：

高功率EEL邊發(fā)射芯片，作為激光應(yīng)用中的"動力源泉"已在泵浦源、激光加工等領(lǐng)域展現(xiàn)出極大的潛能。檸檬光子45W單管激光芯片的最大特點是在高電流密度下能產(chǎn)生令人矚目的高光功率，同時保持出色的高偏振度、高電光轉(zhuǎn)化效率及小發(fā)散角，使其在許多高要求的應(yīng)用中成為理想選擇。

1、高功率

高功率EEL邊發(fā)射芯片可在45A條件下，光功率>47W，具有出色的功率輸出能力，滿足了泵浦源和激光加工等領(lǐng)域?qū)Ω吣芰棵芏鹊男枨蟆?/p>

976nm45WEEL芯片光譜圖@45A

2、高電光轉(zhuǎn)化效率

PCE高達64%，使得芯片在運行過程中產(chǎn)生的熱能最小化，提高了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

976nm45WEEL芯片LIV圖

3、高偏振度

偏振度PER>95%，表明該芯片輸出的光具有高度的偏振性，這有助于提高激光設(shè)備的性能和減小系統(tǒng)復雜性。

4、小發(fā)散角

慢軸遠場角＜9°，這一特性使得輸出的光束質(zhì)量更佳，有利于提高激光加工的精度和效率。

976nm45WEEL芯片遠場發(fā)散角

高功率EEL邊發(fā)射芯片的出色性能使其成為激光泵浦源的理想選擇，尤其在固體激光器、光纖激光器、準分子激光器中具有廣泛的應(yīng)用。在激光切割、激光打標和激光焊接等激光加工領(lǐng)域展現(xiàn)出更強的競爭力。

激光泵浦源：光纖激光器、固體激光器、準分子激光器應(yīng)用

目前，檸檬光子EEL激光芯片系列產(chǎn)品有920nm、976nm波長可選，光功率覆蓋18W、25W、35W、45W，可滿足多場景應(yīng)用需求。此外，產(chǎn)品系列均已通過頭部客戶的性能驗證，步入量產(chǎn)階段。

EEL激光芯片列表

激光技術(shù)的快速發(fā)展、激光加工需求的增加，以及固體激光器和光纖激光器市場的繁榮，使得高功率EEL邊發(fā)射芯片的市場需求也在持續(xù)增長，預計未來將在更多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

審核編輯：湯梓紅