半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司日前發(fā)生工商變更，新增合肥建晶股權(quán)投資合伙企業(yè)、蔚來(lái)資本旗下合肥蔚來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展股權(quán)投資合伙企業(yè)等為股東，同時(shí)公司注冊(cè)資本由約7459萬(wàn)人民幣增至約7691萬(wàn)人民幣。

圖源：企查查官網(wǎng)截圖

據(jù)了解，2022年，晶湛半導(dǎo)體先后完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資和C輪數(shù)億元融資。其中，C輪融資本是由蔚來(lái)資本、美團(tuán)龍珠領(lǐng)投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟(jì)基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。

晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開(kāi)拓者程凱博士于2012年3月回國(guó)創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國(guó)際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國(guó)際上唯一可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商，技術(shù)實(shí)力處于國(guó)際領(lǐng)先地位。

圖源：晶湛半導(dǎo)體官網(wǎng)

在公司發(fā)展過(guò)程中，晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過(guò)多項(xiàng)第一。2014年底，晶湛半導(dǎo)體就率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗(yàn)證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。

2021年9月，晶湛半導(dǎo)體又成功全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。2022年11月，晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項(xiàng)目封頂，該項(xiàng)目預(yù)期建成后，將成為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的氮化鎵電力電子材料和微顯示材料生產(chǎn)基地。

經(jīng)過(guò)多年的專注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過(guò)與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級(jí)期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國(guó)際頂級(jí)會(huì)議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國(guó)際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評(píng)。

晶湛半導(dǎo)體將繼續(xù)秉承“成為世界領(lǐng)先的第三代氮化鎵半導(dǎo)體材料供應(yīng)商”的愿景，堅(jiān)持“追求卓越、勇于擔(dān)當(dāng)、求真創(chuàng)新、誠(chéng)實(shí)守信”的核心價(jià)值觀，以完成“發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，為社會(huì)創(chuàng)造價(jià)值”的使命，砥礪前行，腳踏實(shí)地，為客戶與半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造更大的價(jià)值。