與普通電路的版圖設(shè)計順序不同，I/O單元環(huán)設(shè)計首先進行版圖設(shè)計，之后再進行電路版圖設(shè)計。這是因為設(shè)計者需要根據(jù)主體電路的面積來擺放合適的單元，即做到最大程度地使用單元，又沒有浪費寶貴的芯片面積。

1、參考工藝廠提供的設(shè)計文檔，確定I/O換上所使用的單元為PANA2APWA（I/O單元）、PVDD5APW（I/O單元電源）、PVSS5APW（I/O單元環(huán)的地平面）、PVDDIAPW（主體電路電源單元）、PVSS1APW（主體電路地單元）或不同尺寸的填充單元（如PFILL50AW表示填充單元寬度為50um）

2、在CIW主窗口中執(zhí)行菜單命令“File”->“New”->“Cellview”，彈出“Create New File”對話框，在“Library Name”欄中選擇已經(jīng)建好的庫“EDA_test”，在“Cell Name”欄中輸入“io_ring”，并在“Tool”欄中選擇“Virtuoso”。

3、單機“OK”按鈕，彈出版圖設(shè)計窗口，采用創(chuàng)建元器件命令從EDA_test庫中調(diào)取已經(jīng)設(shè)計好的反相器鏈版圖作為參照。單擊圖標或通過快捷鍵“i”啟動創(chuàng)建元器件命令，彈出“Create Instance”對話框，單擊“browse”按鈕，從EDA_test庫中選擇INV所在位置，在“View”欄中選擇“Layout”進行調(diào)用。然后單機“close”按鈕，返回“Create Instance”對話框，單機“Hide”按鈕完成添加。

4、依據(jù)主體電路信號所在的位置，進行總體版圖規(guī)劃。在左側(cè)擺放輸入信號A（使用PANA2APW單元），在右側(cè)擺放輸出信號Z（使用PANA2APW單元），I/O單元電源和地擺放在下側(cè)（分別使用PVDD5APW單元和PVSS5APW單元），電路電源和地（分別使用PVDD1APW單元和PVSS1APW單元）擺放在上側(cè)，其余空間由填充單元和電源、地單元填充，四個角用單元填充。完成規(guī)劃后，依次按“i”鍵，從“smic_IO_ANALOG”庫中調(diào)用上述單元進行擺放，特別要注意每個單元的邊界層要嚴絲合縫地對齊，否則會造成錯誤，相鄰兩個單元的邊界如同所示。最終完成擺放的I/O單元環(huán)如圖：

（5）完成單元擺放后，需要對這些單元進行標注。注意，這里一般用頂層金屬的標志層對單元進行標志，鼠標在LSW窗口層中單擊M6_TXT/dg，然后在版圖設(shè)計區(qū)域單擊圖標或按快捷鍵“l(fā)”。在相應(yīng)的單元版圖層上單擊即可，首先添加電路電源“vdda”的標志。

（6）之后繼續(xù)完成電路地“gnda”、I/O單元電源“SAVDD”、I/O單元“SAVSS”、輸入信號“A”和輸出信號“Z”的標志，全部標志完成后，刪除調(diào)用的INV版圖，保存版圖。

（7）經(jīng)過上述步驟就完成I/O單元環(huán)的版圖設(shè)計，然后要對版圖進行電路圖的設(shè)計。在CIW對話框中執(zhí)行菜單命令“File”-“New”-“Cellview”，彈出“Creat New File”對話框，在“Cell Name”欄中輸入“io_ring”，在“Tool”欄中選擇“Composer-Schematic”，單擊“OK”按鈕，打開原理圖設(shè)計窗口。

（8）單擊“Instance”按鈕或按“i”鍵，從“smic_IO_ANALOG”庫中調(diào)用與版圖對應(yīng)的單元電路；單擊“Pin”按鈕或按“p”鍵，設(shè)置I/O單元電源引腳“SAVDD”，I/O單元地引腳“SAVSS”，電路電源引腳“VDDA”電路地引腳“GNDA”，輸入引腳“A”，輸出引腳“Z”；單擊“Wire（narrow）”按鈕或按“w”進行連接，最終建立I/O單元環(huán)電路。

（9）為了進行后續(xù)調(diào)用，還需要I/O單元環(huán)建立電路符號（Symbol）。在原理圖設(shè)計窗口中執(zhí)行菜單命令“Design”-“Create Cellview”-“From Cellview”，彈出“Cellview From Cellview”對話框，單擊“OK”按鈕，彈出“Symbol Generation Options”對話框。在各欄中分配端口后，單擊“OK”按鈕，完成電路符號的建立。

（10）建立好I/O單元換電路圖后，同樣要對I/O單元環(huán)版圖進行DRC、LVS驗證，直至通過為止。