氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)

幾十年來，氮化鎵一直被用于稱為發(fā)光二極管的節(jié)能光源。氮化鎵也用于普通的技術產品，如藍光光盤播放器。但耐熱性和耐輻射性使其在軍事和航天領域得到了廣泛的應用。今天，GaN芯片還被用于反彈道導彈雷達和太空圍欄，美國空軍的雷達系統(tǒng)用于跟蹤空間碎片。

第一代半導體是硅，主要解決數據計算和存儲的問題。第二代半導體以砷化鎵為代表，應用于光纖通信，主要解決數據傳輸問題。第三代半導體以氮化鎵為代表，在電和光的轉換方面具有突出的性能，在微波信號傳輸方面具有更高的效率，因此可廣泛應用于照明、顯示、和通訊等各個領域。

氮化鎵(化學式GaN)被稱為“終極半導體材料”，可用于制造用途廣泛、性能強大的新一代微芯片。屬于所謂的寬禁帶，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV(電子伏)的半導體，它是一種用于發(fā)展高效率、大功率微電子器件和光電子器件的新型半導體材料。氮化鎵，分子式GaN，英文名氮化鎵是一種氮和鎵的化合物，鎵是一種具有直接帶隙的半導體材料，自1990年以來一直在發(fā)光二極管中廣泛使用。這種化合物的結構類似于纖鋅礦，其硬度很高。Keep Tops的氮化鎵具有3.4電子伏的極寬能隙，可用于大功率、高速的光電元件，其單芯片亮度理論上可達到過去的10倍。

Keep Tops氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的導熱性、良好的化學穩(wěn)定性、強的抗輻射性、高的內、外量子效率、高的發(fā)光效率、高的強度和硬度。其耐磨性接近金剛石)。這種特性和特性可以制成高效率的半導體發(fā)光器件--發(fā)光二極管(即發(fā)光二極管)和激光器(簡稱LD)。并可擴展到白光LED和藍光LD。耐磨性接近金剛石的特性將有助于開啟觸摸屏、太空載具以及射頻(RF)MEMS等需要高速、高振動技術的新應用。

特別是藍光和綠光LED，廣泛應用于大屏幕全彩顯示屏、汽車燈具、多媒體成像、LCD背光、交通燈、光纖通信、衛(wèi)星通信、海洋光通信、全息圖像顯示、圖形識別等領域。。體積小，重量輕，驅動電壓低(3.5-4.0V)，響應時間短，壽命長(。10萬小時以上，冷光源，光效高，具有防爆、節(jié)能等功能。半導體激光器，特別是藍光半導體激光器，具有波長短、體積小、易于作高頻調制等優(yōu)點，可大大提高目前激光閱讀器的信息存儲能力和探測器的精確性、隱蔽性。尋道時間也將大大縮短，在民用和軍用領域有著巨大的應用潛力。它被廣泛應用于光纖通信、探測器、數據存儲、光學讀取、激光高速打印等領域，并將取代目前的紅外光等激光器。白光LED是藍色發(fā)光二極管和YAG熒光物質的結合體，其合成光譜為白光，在不久的將來將取代目前傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈，從而引起世界照明行業(yè)的一場革命。

審核編輯：湯梓紅