降額等級(jí)

1級(jí)降額，最大的降額，適用于： a.失效將導(dǎo)致人員傷亡或設(shè)備及保護(hù)措施的嚴(yán)重破壞； b.高可靠性要求的設(shè)備卻采用了新技術(shù)新工藝； c.設(shè)備失效不能維修； d.系統(tǒng)對(duì)設(shè)備的尺寸重量有苛刻限制。

2級(jí)降額，適用于： a.設(shè)備失效將導(dǎo)致設(shè)備與保障設(shè)備的損壞； b. 高可靠性要求； c.采用了專門(mén)的設(shè)計(jì)； d.較高的維修費(fèi)用；

3級(jí)降額，適用于： a.設(shè)備失效不會(huì)造成人員和設(shè)備的傷亡破壞； b.成熟的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)； c. 故障設(shè)備可迅速 、經(jīng)濟(jì)的加以修復(fù)； d.設(shè)備尺寸重量無(wú)大的限制；

降額參數(shù)與降額因子

1.電容

電容的降額參數(shù)與因子

2.電阻

電阻的降額參數(shù)與降額因子

3.集成電路

集成電路的降額參數(shù)及因子

4.其它器件

其它器件的降額參數(shù)及因子

運(yùn)算放大器降額設(shè)計(jì)實(shí)例

從數(shù)據(jù)手機(jī)上查得工作電壓額定值為： 正電源電壓VCC=+12V，負(fù)電源電壓VEE=-22V。 輸入差分電壓VID=+/-20V； 輸出短路電流IOS=20mA； 最高結(jié)溫Tjm=150°C。 總功率P=500mW；熱阻θJC=160°C/W。 以1級(jí)降額要求為例計(jì)算出： 正電源電壓VCC=+15.4V，負(fù)電源電壓VEE=-15.4V； 輸入差分電壓VID=+/-12V； 輸出短路電流IOS=14mA； 最高結(jié)溫Tjm=80°C； 總功率P=350mW；

大功率器件結(jié)溫降額

對(duì)于大功率器件，需要重點(diǎn)考慮結(jié)溫降額； 降額時(shí)需要考慮的數(shù)據(jù)包括：允許結(jié)溫、功耗、結(jié)-殼熱阻。 以MOSFET NCV8401為例，其允許的最高結(jié)溫為150°C，結(jié)-殼熱阻 根據(jù)估算，額定工作條件下消耗的功率為0.5W。 如果根據(jù)3級(jí)降額要求，其最高結(jié)溫為115°C，θJC=60°C/W(PCB散熱面積為200平方毫米)。 則允許最高工作溫度為：115-60*0.5=85°C。

編輯：黃飛