存儲器大廠美光科技（Micron）宣布推出采用 1β 制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)的 16Gb DDR5 存儲器。美光1β DDR5 DRAM 的內(nèi)置系統(tǒng)功能速率可達(dá)7200MT/s，目前已出貨給所有資料中心及 PC 端客戶。美光1β DDR5 存儲器采用先進(jìn)高介電常數(shù)CMOS 制程、四相位時(shí)脈及時(shí)脈同步，相較于前一代產(chǎn)品，性能可提升50%，每瓦性能功耗可降低33%。

美光科技指出，為應(yīng)對資料中心工作負(fù)載所需，CPU 內(nèi)核數(shù)持續(xù)增加，為突破「存儲器墻」（Memory Wall）瓶頸，同時(shí)為客戶提供最佳化的總擁有成本，對于存儲器頻寬及容量需求也隨之大幅提升。美光1β DDR5 DRAM 可擴(kuò)大運(yùn)算能力，并以更高性能輔佐資料中心及客戶端平臺，支持 AI 訓(xùn)練及推論、生成式 AI、資料分析、存儲器資料庫等。全新1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品在現(xiàn)有模組化密度中，速率可達(dá) 4800MT/s 至 7200MT/s，適用于資料中心及客戶端應(yīng)用。

美光核心運(yùn)算DRAM 產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程事業(yè)部企業(yè)副總裁 Brian Callaway 指出，量產(chǎn) 1β DDR5 DRAM 并提供給客戶及資料中心平臺，是業(yè)界一大里程碑，在我們與生態(tài)系伙伴及客戶合作下，將加速高性能存儲器產(chǎn)品的普及。

美光1β 技術(shù)協(xié)助提供更廣泛的存儲器解決方案，包括使用16Gb / 24Gb / 32Gb DRAM 晶粒 DDR5 RDIMMs 和 MCRDIMMs、使用 16Gb / 24Gb DRAM 晶粒的 LPDDR5X 及 HBM3E 與 GDDR7。全新美光 16Gb DDR5 存儲器產(chǎn)品可通過直接銷售及渠道伙伴供貨。

審核編輯：湯梓紅