DMZ1520E

目前常見(jiàn)的MCU的工作電壓大多為2.7V～5.5V，在高輸入電壓供電的應(yīng)用里，MCU的供電大多使用耗盡型MOSFET+LDO的方案。

如圖1電路所示，使用耐壓值為150V的DMZ1520E搭配LDO給MCU提供精確的供電電壓。同時(shí)，為進(jìn)一步簡(jiǎn)化電路和節(jié)約成本，也可以僅使用DMZ1520E直接給MCU供電。

如圖2電路所示，在1mA～5mA的工作電流條件下，DMZ1520E的輸出電壓(VDD電壓)約為3.5V。

如圖2電路所示，僅使用1顆DMZ1520E，就能給工作電壓為2.7V～5.5V的MCU穩(wěn)定供電，同時(shí)為MCU提供瞬態(tài)浪涌保護(hù)。

圖2電路特點(diǎn)如下：

(1)DMZ1520E的工作電壓最高為150V，可直接工作于高輸入電壓條件下。

(2)DMZ1520E既能夠穩(wěn)定的給MCU供電，又能夠?yàn)镸CU提供良好的瞬態(tài)浪涌保護(hù)。

(3)DMZ1520E可靠性高，穩(wěn)定性好，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可有效節(jié)約成本。

通常MCU的工作電流約為1mA～5mA，因此在該條件下使用典型的DMZ1520E樣品按照?qǐng)D2電路進(jìn)行測(cè)試，測(cè)得VDD電壓值與電流的關(guān)系如圖3所示。

此外，該VDD電壓值與DMZ1520E的閾值電壓參數(shù)VGS(OFF)相關(guān)，典型DMZ1520E樣品的VGS(OFF)參數(shù)值隨結(jié)溫的變化關(guān)系如圖4所示。

DMZ1520E Datasheet