了解SiC器件的命名規(guī)則
作者：電源漫談
了解清楚SiC器件的命名規(guī)則，對(duì)快速分辨型號(hào)差異有很大的幫助，本文重點(diǎn)介紹一下SiC器件的命名詳細(xì)規(guī)則。
圖1 SiC的分立器件的命名規(guī)則
如圖1所示，對(duì)于分立SiC器件來(lái)說(shuō)，MSC前綴代表microchip產(chǎn)品，接下來(lái)的三位數(shù)字代表SiC二極管電流能力或者SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻，接著三位英文字母S代表是碳化硅器件，D代表是SiC二極管，而M代表是SiC mosfet，圖示中的y代表是產(chǎn)品的版本或者代數(shù)。接下來(lái)三位數(shù)字代表其耐壓，如070代表700V耐壓。
值得一提的是最后的字母部分，這代表其封裝參數(shù)，如B為TO-247-3L,B4代表TO-247-4L,K代表TO-220,D/S代表Die產(chǎn)品。S代表D3PAK,J代表SOT-227等。
圖2 SiC Power Module的型號(hào)命名說(shuō)明
SiC模塊的命名稍微復(fù)雜一些，如圖2中可以詳細(xì)參考，此處不詳述。
審核編輯 黃宇
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