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Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET

jf_pJlTbmA9 ? 2023-11-30 11:47 ? 次閱讀
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36V 鋰離子電池是當今工具和戶外動力設(shè)備的常用電源。由 36V 電池供電的產(chǎn)品得益于高功率輸出和較長的電池壽命,同時也相對較輕且易于使用。然而,36V 電池的高能量密度也需要實現(xiàn)高效和安全的電池隔離。

隔離的需求源于該技術(shù)固有的安全風險。鋰離子電池含有易燃電解質(zhì):如果損壞或充電或放電不正確,可能會導(dǎo)致火災(zāi)或爆炸。為了安全地對電池進行充電和放電,并將它們與負載隔離,電池系統(tǒng)設(shè)計人員通常使用 MOSFET,如圖 1 所示。

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△圖 1:典型應(yīng)用電路中的簡單高邊放電 MOSFET

這種 MOSFET 最常見的要求是:

?足夠的Vds漏源電壓額定值。

?低導(dǎo)通電阻,可降低導(dǎo)通損耗。

?較高的Id額定電流,使 MOSFET 可以處理大功率應(yīng)用中的峰值過載和故障電流。

?較低的Idss漏電流,降低電池長時間不工作時的放電率。

?堅固的封裝和良好的板級可靠性。這對于暴露于惡劣環(huán)境(例如極端溫度或振動)的應(yīng)用非常重要。

設(shè)計人員在評估高邊放電 MOSFET 選擇時考慮的其他因素包括:

?較高的雪崩能力。當快速隔離大電流負載時,通常會在電池故障保護機制下.斷開時常觸發(fā)的事件,高雪崩能量可能會通過 MOSFET 耗散。

?較大的安全工作區(qū)(SOA)。在故障情況下,當過載期間試圖關(guān)閉電機時,放電晶體管通常會在其電阻大幅上升時會短暫進入線性模式。在這些條件下,電池電壓會在高負載電流下衰減,并且 MOSFET 柵極電壓可能不足以確保晶體管完全導(dǎo)通。具有較大的 SOA 的 MOSFET 可以承受這些條件。

?較低的柵極泄漏電流,以避免在線性模式下發(fā)生不必要的關(guān)斷事件。

在包含 10 節(jié)串聯(lián)電池的電池組中,電壓通常為 36V;最大充電電壓為 42 V。額定擊穿電壓介于 45 V 和 52.5 V 之間的 MOSFET 可提供至少 80% 的降額。

然而,在這些應(yīng)用中通常使用 60 V MOSFET,因為它提供了更高的降額。但這是以雪崩等級、SOA、柵極電荷和泄漏性能等其他因素為代價的。在許多 MOSFET 中,硅結(jié)構(gòu)會使元胞之間單元間距變窄,以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,但是會影響 SOA 變?nèi)醪⒔档脱┍滥芰俊?/p>

因此,設(shè)計工程師已經(jīng)習(xí)慣于接受效率和隔離能力之間的折衷。然而,來自 Nexperia 的最新特定應(yīng)用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了這樣的折衷。它們得益于卓越的超結(jié)技術(shù),可產(chǎn)生較低的導(dǎo)通電阻,而不會影響其他參數(shù)的性能。

例如,采用 LFPAK88銅夾片封裝的 Nexperia PSMNR90-50SLH 在 10 V 柵源電壓下具有 0.9 mΩ的最大導(dǎo)通電阻。且最大漏極電流額定值可達 410 A。盡管導(dǎo)通電阻很低 ,并且具有最佳的 SOA 電流能力,在 40 V/Tp=1 ms下具有8.1 A 電流,如圖 2 所示。

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△圖 2:PSMNR90-50SLH MOSFET 的 40 V/1 ms SOA 圖

對于更多空間受限的應(yīng)用,具有 200 A 額定電流的 50 V 和 55 V 器件也可采用 5 mm x 6 mm LFPAK56E 封裝。

除了優(yōu)化用于 36V 電池系統(tǒng)的關(guān)鍵參數(shù)外,Nexperia 還優(yōu)化這些 MOSFET 在高溫下的運行能力。在 175°C和 100% Vds 電壓額定值下進行了 1,000 小時的高溫反向偏置壽命測試 (HTRB)。

根據(jù) MIL-STD-750-1 M1038 Method A標準,60 V 器件的行業(yè)標準是在 175°C和80%的漏源電壓額定值(48 V)下工作 1,000 小時。

廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品選擇

Nexperia 放電 MOSFET 采用 100% 銅夾片LFPAK 封裝。該封裝堅固耐用,提供較高的板級可靠性和出色的熱性能。LFPAK 封裝適用于汽車以及工業(yè)和消費類應(yīng)用。

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△具有較大 SOA 的 Nexperia MOSFET適用于 36V 鋰電池系統(tǒng)應(yīng)用

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia(安世半導(dǎo)體),作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管ESD保護二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia 總部位于荷蘭奈梅亨,每年可交付1000多億件產(chǎn)品,產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。其產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業(yè)廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術(shù),可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗,Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù),并在亞洲、歐洲和美國擁有超過14,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認證

審核編輯 黃宇

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