【科普小貼士】MOSFET的性能：雪崩能力
作為MOSFET的一個(gè)特性，如果它在一定的能量、漏極電流ID范圍內(nèi)，并且低于額定結(jié)溫Tch，則即使超過了額定電壓VDSS，它也不會(huì)擊穿損壞。
這就是所謂的雪崩能力，允許能量被稱為雪崩能量，電流被稱為雪崩電流。
圖3-10雪崩能力（能量、電流）測(cè)試電路、波形及計(jì)算公式
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10834瀏覽量
235080
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
FDA69N25 N溝道UniFET MOSFET：高性能開關(guān)利器
條紋和DMOS技術(shù)的高壓MOSFET家族成員。該技術(shù)旨在降低導(dǎo)通電阻，提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。這種MOSFET適用于多種開關(guān)
onsemi N-Channel MOSFET：高性能功率解決方案
產(chǎn)品概述 這三款MOSFET均為N溝道器件，額定電壓為100V，最大連續(xù)漏極電流可達(dá)76A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至13mΩ。它們具備低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和100%雪崩
Onsemi N溝道UniFET MOSFET：高性能開關(guān)利器
的 UniFET MOSFET 是基于平面條紋和 DMOS 技術(shù)的高壓 MOSFET 系列。這個(gè)系列的設(shè)計(jì)目標(biāo)很明確，就是降低導(dǎo)通電阻，提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。該系列
onsemi FDPF17N60NT：高性能N溝道MOSFET的卓越之選
家族，該家族基于先進(jìn)的平面條紋和DMOS技術(shù)打造。這種先進(jìn)技術(shù)使得UniFET II MOSFET在平面MOSFET中擁有最小的導(dǎo)通電阻，同時(shí)具備出色的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。此
深入解析onsemi FDL100N50F MOSFET：性能、特性與應(yīng)用
的UniFET MOSFET家族，該家族基于平面條紋和DMOS技術(shù)。這種MOSFET專為降低導(dǎo)通電阻、提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度而設(shè)計(jì)。同時(shí)，通過壽命控制技
Onsemi FDH45N50F：高性能N溝道MOSFET的技術(shù)剖析
基于平面條紋和DMOS技術(shù)，專為降低導(dǎo)通電阻、提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度而設(shè)計(jì)。特別是UniFET FRFET MOSFET，通過壽命控制增強(qiáng)了體二極管的
onsemi FDH44N50 MOSFET：高性能開關(guān)應(yīng)用的理想之選
MOSFET 系列，這是基于平面條紋和 DMOS 技術(shù)的高壓 MOSFET 家族。該系列 MOSFET 旨在降低導(dǎo)通電阻，提供更好的開關(guān)性能和更高的
探索 onsemi FDA59N30：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選
MOSFET 家族，該家族基于平面條紋和 DMOS 技術(shù)打造。這種技術(shù)使得這款 MOSFET 能夠有效降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)具備出色的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。它適用于多種開關(guān)電
onsemi FDA24N40F MOSFET：高性能開關(guān)利器
系列。該系列MOSFET旨在降低導(dǎo)通電阻，提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。其中，UniFET FRFET MOSFET通過壽命控制增強(qiáng)了體二極管的反向恢復(fù)
功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀
在功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)與選型中，單脈沖雪崩能量（Single Pulse Avalanche Energy, EAS）是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)。它量化了器件在極端過壓條件下，單次承受雪崩能量的
MOSFET耐壓BVdss
脈沖電壓的持續(xù)只有幾個(gè)或幾十個(gè)ns，MOSFET管也會(huì)進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài)而發(fā)生損壞。
（3）因此MOSFET管的雪崩電壓通常發(fā)生在1.2～1.3倍的BVDSS，而且持續(xù)的時(shí)間通常都是μ
發(fā)表于 12-23 08:37
功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析
？
回復(fù)：功率MOSFET管具有抗雪崩UIS能力，只要不超過UIS額定值，即使是高于額定的電壓值，單獨(dú)一次雪崩不會(huì)擊穿損壞功率MOSFET
發(fā)表于 11-19 06:35
揚(yáng)杰科技推出用于PD電源的N100V MOSFET產(chǎn)品
N100V MOSFET產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
MDD肖特基二極管的雪崩耐量及其工程意義
在功率器件的參數(shù)表中，我們?？吹?b class='flag-5'>MOSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent(IAR)指標(biāo)，用于描述器件在雪崩條件下的承受能力。然而，在MDD肖特基二極管
MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式
單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串聯(lián)感性負(fù)載時(shí)，在單次脈沖(工作到關(guān)斷)狀態(tài)下，所能承受的最大能量消耗，單位是焦耳(J)，其值越大，器件在電路中遭遇瞬間過電壓或過電流
評(píng)論