日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

車規(guī)氮化鎵功率模塊

jf_94163784 ? 來源:jf_94163784 ? 作者:jf_94163784 ? 2023-11-28 08:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH 建立合作關(guān)系,攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系,此次進(jìn)一步合作的目標(biāo)是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應(yīng)用。

隨著客運(yùn)車輛日益電氣化,市場對功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高,需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合,可以滿足對更高效率、更高功率密度和更低系統(tǒng)成本的要求。

GaN 功率器件在電氣化應(yīng)用中不僅可以提供出色性能,還能滿足市場對主流技術(shù)的可靠性、耐用性和可制造性的期望,可服務(wù)于多個(gè)市場細(xì)分領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。Nexperia(安世半導(dǎo)體)采用成熟的大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù),在自有工廠量產(chǎn) GaN 器件,經(jīng)過驗(yàn)證能夠滿足 AEC-Q101 器件認(rèn)證的嚴(yán)苛可靠性要求。

KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH 傳感與控制部門副總裁 Thomas Rinschede 表示:

我們非常高興最終將我們成功的長期關(guān)系轉(zhuǎn)變?yōu)檎嬲暮献骰锇殛P(guān)系,進(jìn)一步加強(qiáng) KYOCERA AVX 的戰(zhàn)略,提供高質(zhì)量的車規(guī)模塊。Nexperia 是一個(gè)值得信賴的伙伴,他們提供高性能 GaN,在汽車器件生產(chǎn)領(lǐng)域擁有極高的市場信譽(yù)。

Nexperia 副總裁兼 GaN 總經(jīng)理 Carlos Castro 評論道:

GaN 器件為 EV 應(yīng)用帶來了許多益處,包括增加功率密度、提高效率和降低整體系統(tǒng)成本等。然而,為了更充分地發(fā)揮 GaN 器件的優(yōu)點(diǎn),尤其是在高功率系統(tǒng)中,優(yōu)化的封裝技術(shù)必不可少。Nexperia 充分認(rèn)可 KYOCERA AVX 在汽車行業(yè)的先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品和領(lǐng)先地位,并堅(jiān)信雙方在車規(guī) GaN 功率模塊開發(fā)方面的攜手合作,能夠向我們的客戶提供出色的EV功率系統(tǒng)解決方案。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2226

    瀏覽量

    95510
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1916

    瀏覽量

    120176
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    內(nèi)置氮化成主流?AHB技術(shù)你又了解多少?

    幫助整機(jī)提升效率、降低熱損耗、支持高功率密度設(shè)計(jì)的 AHB 方案,有望繼續(xù)獲得更多廠商關(guān)注;尤其是與 GaN、高集成控制器結(jié)合后,其工程價(jià)值還會進(jìn)一步提升。 而在這其中,內(nèi)置氮化已成為當(dāng)前 AHB
    發(fā)表于 04-18 10:35

    意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN氮化功率器件

    從快充充電器到工業(yè)自動化,氮化正成為高功率密度電源設(shè)計(jì)的核心選擇。意法半導(dǎo)體近日推出四款全新VIPERGAN氮化
    的頭像 發(fā)表于 04-11 16:17 ?3520次閱讀
    意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>器件

    意法半導(dǎo)體推出氮化功率開關(guān)管半橋模塊MasterGaN6

    意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化功率開關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6,該功率系統(tǒng)級封裝(SiP)在一個(gè)封裝內(nèi)集成新的BCD柵極驅(qū)動器和導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅
    的頭像 發(fā)表于 03-20 15:44 ?1815次閱讀

    氮化GaN FET/GaN HEMT 功率驅(qū)動電路選型表

    PC5012 是一款 700V、1.2Ω?的氮化(GaN)功率場效應(yīng)晶體管(FET),集成了單通道低端驅(qū)動器,專為高速應(yīng)用中的氮化高電子
    發(fā)表于 03-17 16:26 ?3次下載

    規(guī)藍(lán)牙模塊技術(shù)深度剖析

    在汽車電子化迅猛發(fā)展的當(dāng)下, 規(guī)藍(lán)牙模塊 ——這一集成藍(lán)牙功能的PCBA(印刷電路板組裝件),已成為推動汽車智能化、網(wǎng)聯(lián)化的核心力量。本文將從技術(shù)層面深入剖析
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:04 ?912次閱讀

    CHA6154-99F三級單片氮化(GaN)中功率放大器

    CHA6154-99F三級單片氮化(GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三級單片氮化
    發(fā)表于 02-04 08:56

    六邊形戰(zhàn)士——氮化

    產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”,綜合性能全面,而射頻應(yīng)用作為氮化的“王牌分支”,憑借出眾的“高頻、高功率、高效
    的頭像 發(fā)表于 12-24 10:23 ?6768次閱讀
    六邊形戰(zhàn)士——<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>

    CHA8107-QCB兩級氮化(GaN)高功率放大器

    CHA8107-QCB兩級氮化(GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款兩級氮化
    發(fā)表于 12-12 09:40

    深度解析規(guī)級低邊單通道門極驅(qū)動SiLM27531H

    門極驅(qū)動器,正是為驅(qū)動先進(jìn)功率器件、解鎖高效電源系統(tǒng)潛能而量身打造的一款高性能解決方案。它不僅滿足規(guī)級AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),更在驅(qū)動能力、開關(guān)速度、魯棒性及供電靈活性上實(shí)現(xiàn)了卓越平衡,旨在成為高頻
    發(fā)表于 12-12 08:39

    “芯”品發(fā)布|未來推出“9mΩ”規(guī)級 GaN FET,打破功率氮化能效天花板!

    在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步,打破車規(guī)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日,未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:17 ?2106次閱讀

    請問芯源的MOS管也是用的氮化技術(shù)嘛?

    現(xiàn)在氮化材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化材料技術(shù)嘛?
    發(fā)表于 11-14 07:25

    英飛凌推出首款100V規(guī)級晶體管,推動汽車領(lǐng)域氮化(GaN)技術(shù)創(chuàng)新

    【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化(GaN)晶體管系列
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:31 ?6w次閱讀
    英飛凌推出首款100V<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b>級晶體管,推動汽車領(lǐng)域<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)技術(shù)創(chuàng)新

    氮化快充芯片U8725AHE的工作原理

    氮化充電器的高功率密度,能在很小的體積里給出更高的功率,所以氮化充電器個(gè)頭更小,重量也更輕。
    的頭像 發(fā)表于 07-18 16:08 ?3367次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充芯片U8725AHE的工作原理

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?3190次閱讀
    納微半導(dǎo)體雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開關(guān)深度解析

    浩思動力推Gemini微型增程器,首搭氮化模塊引關(guān)注

    行業(yè)技術(shù)新高度。Gemini微型增程器采用水平對置雙缸四沖程發(fā)動機(jī)與P1永磁同步電機(jī)相結(jié)合,并首發(fā)搭載自研“冰刃”系列氮化(GaN)功率模塊,是全球首款應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 05-13 09:36 ?1114次閱讀
    浩思動力推Gemini微型增程器,首搭<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>模塊</b>引關(guān)注
    久治县| 凤阳县| 乐东| 鄂托克旗| 广平县| 安阳市| 会东县| 颍上县| 壤塘县| 蒙阴县| 宜兰县| 墨竹工卡县| 铁岭县| 景宁| 阳城县| 蛟河市| 安宁市| 沽源县| 大宁县| 吉木萨尔县| 岳西县| 安西县| 苏尼特右旗| 萨嘎县| 阿拉善左旗| 那曲县| 呼玛县| 普兰店市| 原平市| 张家港市| 东港市| 马关县| 铜山县| 滦南县| 鹤岗市| 萨嘎县| 祁东县| 榆树市| 喜德县| 射洪县| 潜山县|