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傳感器新增9處管控,第四代半導(dǎo)體被加入制裁!這42個國家加強對中國技術(shù)封鎖!

傳感器專家網(wǎng) ? 來源:傳感器專家網(wǎng) ? 作者:傳感器專家網(wǎng) ? 2023-12-18 15:39 ? 次閱讀
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近日,瓦森納協(xié)定全體會議在維也納舉行,共計42個成員國參加,包括美國等西方國家及俄羅斯、印度、以色列多國,會后發(fā)布了2023年度最新版《瓦森納協(xié)定》(亦稱瓦森納協(xié)議,Wassenaar Arrangement)。

《瓦森納協(xié)定》是美國等西方國家對中國實現(xiàn)高科技技術(shù)封鎖的基礎(chǔ),想必大家都有耳聞。瓦森納協(xié)定全體會議每年至少召開一次全會,由各成員國逐年輪流擔(dān)任會議主席,主要旨在各國協(xié)商一致,并對《瓦森納協(xié)定》根據(jù)科技的發(fā)展及需求進行更新。

2023年最新版《瓦森納協(xié)定》中,傳感器及激光器(Sensors and "Lasers")條目新增了9處修訂,是各條目中修訂次數(shù)最多,傳感器技術(shù)亦是被封禁最多的技術(shù)大類。

電子(Electronics)條目新增7處修改,是修訂次數(shù)第二多的技術(shù)大類,許多關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)歸類在電子條目中,尤其值得注意的是,新增了對第四代半導(dǎo)體制造設(shè)備的制裁。詳情見下文。

《瓦森納協(xié)定》年度更新!傳感器條目新增9處修訂,改動最多!第四代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料設(shè)備被新加入制裁! 12月1日,2023年最新版《瓦森納協(xié)定》公布,涵蓋了9大類技術(shù): 第1類“特殊材料與相關(guān)設(shè)備”共計21頁,第2類“材料加工”共計25頁,第3類“電子”共計28頁,第4類“計算機”共計6頁,第5類“電信和信息安全”共計23頁,第6類“傳感器與激光器”共計40頁,第7類“導(dǎo)航與航空電子”共計9頁,第8類“船舶”共計7頁,第9類“航空與推進設(shè)備”共計13頁。 從類目頁數(shù)上來看,傳感器與激光器(Sensors and “Lasers”)仍然是被禁技術(shù)種類最多的類目,多達40頁。 半導(dǎo)體技術(shù)主要包含在“電子Electronics”大類中,包含了系統(tǒng)、設(shè)備和組件、測試、檢查和生產(chǎn)設(shè)備、材料、軟件和技術(shù)等多個環(huán)節(jié),囊括了半導(dǎo)體的各個領(lǐng)域。

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▲2023新修改版《瓦森納協(xié)定》目錄 具體技術(shù)條目的修改方面,“傳感器與激光器”是修改最多的條目,有9處修改,“電子”條目有7處修改,是僅次于傳感器條目的第二多修訂技術(shù)大類。 其中,“傳感器與激光器”條目新增修改技術(shù)信息如下:

6.A.1.a.1.d. - “水下”替換為“潛水器” - 編輯

6.A.1.a.2.b. - TN 從 6.A.1.a.2.b.2 移至到條目末尾,語言與標準措辭一致 - 編輯

6.A.1.a.2.d.1. - 明確航向傳感器的精確度參數(shù)

6.A.1.b.1.b., 6.A.1.b.2. - 明確聲納記錄設(shè)備的精度參數(shù)

6.A.2.a.2. - 刪除 TN

6.A.3.a.3. - 明確電子條紋照相機的精度參數(shù)

6.A.5.d.1.e. - 更正 TN 起首部分的參考編號 - 編輯

6.A.5.f.3.a. - 明確光學(xué)設(shè)備的精度參數(shù)

6.C.5.b. - TN 換算成 Note - 編輯

本文編輯注:TN是Technical Note (技術(shù)注釋)的縮寫

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▲2023新修改版《瓦森納協(xié)定》修訂說明 從新修訂信息可見,本次主要進行“打補丁”式的修改,主要是通過對文字描述的修改及對技術(shù)參數(shù)的豐富,使制裁協(xié)議更全面細致,來避免技術(shù)制裁中的“漏網(wǎng)之魚”。 條目中的“編輯(editorial)”主要指文字措辭的修改,值得注意的是,重新修訂了航向傳感器、聲吶設(shè)備、條紋照相機、光學(xué)設(shè)備等4種關(guān)鍵傳感器技術(shù)參數(shù)。 以下是對本次新修訂的“傳感器與激光器”條目 6.A.3.a.3.電子條紋照相機條例的一些簡單翻譯:

6. A. 3. 以下攝像機、系統(tǒng)或設(shè)備及其組件:

a. 儀表相機及其專門設(shè)計的組件如下:

注:儀表相機,按 6.A.3.a.3 規(guī)定。到 6.A.3.a.5.,具有模塊化結(jié)構(gòu)的,應(yīng)根據(jù)其最大能力進行評估,并使用根據(jù)相機制造商的規(guī)格提供的插件。

1.自2017年起未使用

2.自2017年起未使用

3.時間分辨率小于(優(yōu)于)50納秒的電子條紋相機;

4.速度超過100萬幀/秒的電子分幅相機;

5. 具有以下所有條件的電子相機:

a.每幀電子快門速度(選通能力)小于 1 μs;和

b.讀出時間允許幀速率超過每秒 125 個幀;

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▲來源:2023新修改版《瓦森納協(xié)定》 條紋相機是實現(xiàn)超快過程探測的重要傳感設(shè)備,對基礎(chǔ)前沿科學(xué)研究和重大原始性創(chuàng)新具有重大意義,在高能量密度物理、激光慣性約束聚變、同步輻射光源、激光雷達成像、高壓放電、生物醫(yī)學(xué)、光物理、光化學(xué)等研究中發(fā)揮著重要作用,可獲取目標的時間、強度、空間等信息。 可以看到,瓦森納協(xié)定里對傳感器技術(shù)的應(yīng)用范圍、目的,以及具體參數(shù)等,都有比較明確而嚴苛的要求。

“電子”條目中,新增7項修改,包含了轉(zhuǎn)換器、諧波混頻器、信號發(fā)生器、信號分析儀等設(shè)備的技術(shù)參數(shù)修訂,其中,最值得關(guān)注的是3.B.1.a.2. 條目的修訂說明:addition of oxygen to compounds for equipment for epitaxial growth,resulting in the addition of gallium oxide 將氧添加到用于外延生長設(shè)備的化合物中,從而添加氧化鎵

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▲2023新修改版《瓦森納協(xié)定》修訂說明 3.B.1.a.2. 條目主要描述了金屬有機化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備(MOCVD)的技術(shù)管制參數(shù),是在基板上成長半導(dǎo)體薄膜的一種關(guān)鍵設(shè)備,此前該條目的技術(shù)參數(shù)中并沒有包含氧。以下為3.B.1.a.條目描述的簡單翻譯: 1.設(shè)計或改造的設(shè)備,用于生產(chǎn)除硅以外的任何材料層,其厚度在75 mm或以上的距離上均勻性小于±2.5%;包括原子層外延(ALE)設(shè)備。 2.金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)反應(yīng)器,設(shè)計用于具有以下元素中的兩種或多種的材料的化合物半導(dǎo)體外延生長:鋁、鎵、銦、砷、磷、銻、氧或氮; 3.使用氣體或固體源的分子束外延生長設(shè)備(MBE)。

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▲來源:2023新修改版《瓦森納協(xié)定》 氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,是被國際普遍關(guān)注并認可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比,氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者,從功率半導(dǎo)體特性來看,與前代半導(dǎo)體材料相比,氧化鎵材料具備更高的擊穿電場強度與更低的導(dǎo)通電阻,從而能量損耗更低,功率轉(zhuǎn)換效率更高。氧化鎵具有良好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,成本低,制備方法簡便、便于批量生產(chǎn),在產(chǎn)業(yè)化方面優(yōu)勢明顯。 今年3月份,西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片,這一成果標志著我國在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進展。

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▲來源:西安郵電大學(xué)官網(wǎng) 瓦森納協(xié)定限制了什么傳感器? 從全文看,瓦森納協(xié)定里,“sensor”(傳感器)一詞出現(xiàn)的次數(shù)多達141次,而此前因華為無芯可用,備受公眾矚目的芯片“Integrated circuit”(集成電路),全文出現(xiàn)次數(shù)為76次,“semiconductor”(半導(dǎo)體)一詞全文出現(xiàn)52次。

傳感器技術(shù)受制裁的范圍之廣,種類之多,在瓦森納協(xié)定中的各項管制技術(shù)中,排名前列,無論是力、聲學(xué)、光學(xué)……幾乎所有的傳感器種類在瓦森納協(xié)定中,都能找到被限制的規(guī)定,幾乎沒有瓦森納協(xié)定沒有限制的傳感器技術(shù)。 譬如在第2類材料加工中,對磁力軸承系統(tǒng)技術(shù)的限制中,特意列明:

“特別是為此設(shè)計的如下部件:……3、高溫(450K/177℃以上)的位置傳感器?!?/p>

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第7類導(dǎo)航與航空電子中,對慣性測量單元(IMU)、加速度計、陀螺儀等傳感器的限制。

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瓦森納協(xié)定中,傳感器全文共出現(xiàn)141次,主要對傳感器的限制列在了第6類傳感器與激光器中,主要有聲學(xué)、光學(xué)、激光器、雷達、重力計、電磁傳感器……等種類。 并且,不止是傳感器本身,只要是其他被禁技術(shù)中需要用到的關(guān)鍵傳感技術(shù),都一一列明,美國等西方國家對中國掌握先進傳感器技術(shù)的忌憚由此可見。什么是瓦森納協(xié)定? 從上文,我們看到了傳感器技術(shù)在瓦森納協(xié)定中的“地位”,那么,什么是瓦森納協(xié)定,對我們中國造成了多大麻煩? 瓦森納協(xié)定的前身是巴黎統(tǒng)籌委員會(簡稱“巴統(tǒng)”),“巴統(tǒng)”成立于1949年,在美國主導(dǎo)下,英國、日本、法國、澳大利亞等在內(nèi)的十七個國家參與,主要目的是蘇聯(lián)等社會主義國家發(fā)展高端武器,當(dāng)然也包括中國。 中國1952年被列入名單中,從此西方國家對新中國開始了長達70年的技術(shù)制裁。這也是人類歷史上,對單一國家技術(shù)封鎖最長的時間。 由于這個禁運,中國缺乏高級計算機,當(dāng)年中國的的核爆實驗計算是利用手搖式計算機完成的試驗計算。

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隨著蘇聯(lián)在1991年解體,巴黎統(tǒng)籌委員會名存實亡,1994年正式解散。然而中國并沒有迎來“好日子”,1996年在美國的提議下,轉(zhuǎn)頭成立了一個更嚴格的“旨在控制常規(guī)武器和高新技術(shù)貿(mào)易的國際性組織”,這就是“瓦森納協(xié)定”。 目前瓦森納協(xié)定中,有42個簽署國,其中17個是前“巴統(tǒng)”成員國。諷刺的是,俄羅斯、烏克蘭等前蘇聯(lián)核心成員國也加入了其中。

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▲瓦森納協(xié)定簽署國家分布 雖然瓦森納協(xié)定是個較松散的國際組織,各國可以視自己國家的情況而向非成員國出口產(chǎn)品,但就是這個框架,給美國對各國隨意干涉的理由。 瓦森納協(xié)定給中國造成了多大的麻煩? 包括傳感器產(chǎn)業(yè)、MEMS產(chǎn)業(yè)等在內(nèi)的許多中國高科技產(chǎn)業(yè),我們經(jīng)常聽到,落后的一個重要原因就是起步慢,起步慢使我們處于追逐的被動局面。 那么,是什么原因造成中國高科技產(chǎn)業(yè)起步慢呢?這就是瓦森納協(xié)定給中國帶來的巨大麻煩,也是中國許多高科技產(chǎn)業(yè)慢人一步的關(guān)鍵原因。

西方國家?guī)缀鯊男轮袊▏螅鸵恢睂χ袊M行嚴格的科技封鎖,因此,今天中國的科技底子,除了早期來自蘇聯(lián)的援助,都是自己自力更生發(fā)展起來的。 建國初期從蘇聯(lián)引進的156個項目以及相關(guān)技術(shù),這些項目包括了一個現(xiàn)代國家所需要的大部分工業(yè)門類,使中國初步建成了自己的工業(yè)生產(chǎn)和科研體系。

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以我國的傳感器產(chǎn)業(yè)為例,我國最早的傳感器,是20世紀50年代仿制前蘇聯(lián)的機械式或機電式傳感器,在仿制蘇制地-地導(dǎo)彈(1059)過程中,研究人員研制出國內(nèi)第一只渦輪式流量傳感器。五十年代末期,出現(xiàn)第一只半導(dǎo)體熱敏電阻。 我國傳感器制造行業(yè)正式發(fā)展始于20世紀60年代,在1972年組建成立中國第一批壓阻傳感器研制生產(chǎn)單位;1974年,研制成功中國第一個實用壓阻式壓力傳感器;1978年,誕生中國第一個固態(tài)壓阻加速度傳感器;1982年,國內(nèi)最早開始硅微機械系統(tǒng)(MEMS)加工技術(shù)和SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的研究。 傳感器是非常敏感的高科技技術(shù),一直以來受到瓦森納協(xié)定的強烈限制。因為無法獲得最新的科研成果,中國傳感器產(chǎn)業(yè)科研幾乎都需要自己摸索發(fā)展,是“慢”的重要原因。

這方面的一個著名例子,是2004年捷克取消了向中國出口的雷達訂單。捷克之前已批準了向中國出口價值6000萬美元的維拉雷達系統(tǒng)許可證,這個項目談了好幾年,雙方都很滿意。 結(jié)果到了2004年的5月19日,捷克突然取消了這筆交易,并解釋說是應(yīng)“偉大朋友”的要求而做出的決定,說該雷達能幫助中國探測到美國的隱形飛機。 幾天后,美國國務(wù)院證實,說美國的確與捷克政府討論了中國問題,并且為捷克做出這個決定而感到高興。

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除此之外,以瓦森納協(xié)定為武器,美國制約了許多中國企業(yè)的發(fā)展。 華為被制裁而無芯片可用不說,中芯國際為什么遲遲不能趕上三星、臺積電,制造更先進芯片? 因為中芯國際買不到先進制程的***!受美國的壓力,中芯國際只能購買5年前的ASML***!

Intel三星、臺積電2015年能買到ASML10NM的***。而大陸的中芯國際,2015年只能買到ASML2010年生產(chǎn)的32NM的***。5年時間對半導(dǎo)體來說,已經(jīng)足夠讓市場更新?lián)Q代3次了。

在此前2021年11月對瓦森納協(xié)定的修訂中,添加了ECAD軟件和GAAFET(全柵場效應(yīng)晶體管)的最新表述,其中ECAD軟件主要用于集成電路或印刷電路板的設(shè)計、分析、優(yōu)化和驗證環(huán)節(jié);當(dāng)FinFET結(jié)構(gòu)發(fā)展到7nm時,芯片制程的微縮會遇到困難,而GAAFET結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)能夠讓芯片工藝制程出現(xiàn)進一步縮小的可能。 而中芯國際的FinFET工藝,可以將14nm制程進一步提升至類似臺積電7nm制程水平! CAD等工業(yè)軟件,更是中國尚未全面掌握并且十分重要的關(guān)鍵科技,在工業(yè)仿真、設(shè)計等許多方面具有重要用途,具體參看《這才是中國傳感器被卡脖子最嚴重的地方!100%無國產(chǎn)!》內(nèi)容。 可見,這是為了防止中國企業(yè)掌握CAD相關(guān)技術(shù)、進軍7nm制程,而特意新增的限制。

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同樣的,早期紅外探測器芯片——紅外傳感器的核心,中國并不能生產(chǎn),需要從國外進口。 我國紅外傳感器企業(yè)高德紅外此前一直向法國公司購買紅外探測器芯片,然后進行封裝紅外傳感器售賣。 2008年,法國受到美國的壓力,禁止企業(yè)向高德紅外出口紅外探測器芯片,高德紅外陷入缺芯危機——這與今天華為手機無芯片可用是一樣的。 于是,高德紅外只能自研紅外探測器芯片,從而成為今天的中國紅外傳感器龍頭。關(guān)于高德紅外的故事可以參看《湖北首富,竟然也是做傳感器的》內(nèi)容。 結(jié)語 中國科技能夠發(fā)展到今天的地步,已經(jīng)是極不容易。 只要中國還沒掌握的技術(shù),擁有發(fā)展前景的高科技,幾乎都在瓦森納協(xié)定里面,這其中,尤以傳感器技術(shù)這樣的隱形王者最多。在產(chǎn)業(yè)中,幾乎所有高精度傳感器都涉及此類問題,因此中國傳感器企業(yè)在發(fā)展之初,最好堅定掌握自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)的信念,因為越往高端的傳感器走,越會碰到這堵“墻”。 致敬所有不斷突破壟斷封鎖技術(shù),抬高國產(chǎn)科技上限的所有中國企業(yè)!

審核編輯 黃宇

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    Melexis推出第四代汽車LIN電機驅(qū)動MLX81350,可為電機提供高達5W(0.5A)的功率。該驅(qū)動專為電動汽車(EV)的空調(diào)風(fēng)門與自動通風(fēng)系統(tǒng)設(shè)計,具備高性價比,不僅能實現(xiàn)電機靜音、高效運行,還可簡化系統(tǒng)集成流程,并
    的頭像 發(fā)表于 11-08 17:04 ?3094次閱讀

    第四代半導(dǎo)體“氧化鎵(Ga2O3)”材料的詳解

    ,還請大家海涵,如有需要可看文尾聯(lián)系方式,當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺上均以“ 愛在七夕時 ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 近兩年來,氧化鎵作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料,得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁帶半導(dǎo)體也屬于“第四代
    的頭像 發(fā)表于 09-24 18:23 ?7681次閱讀
    <b class='flag-5'>第四代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>“氧化鎵(Ga2O3)”材料的詳解

    派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用

    在 AI 基建中,碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性,成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設(shè)備的穩(wěn)定運行,派恩杰第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建的全鏈條。
    的頭像 發(fā)表于 08-18 15:56 ?1814次閱讀

    Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴苛的汽車環(huán)境設(shè)計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續(xù)工作,助力動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)最大性能。
    的頭像 發(fā)表于 08-11 16:54 ?3631次閱讀

    派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品

    近日,派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下,5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達7mΩ,達到國際領(lǐng)先水平。相比上一
    的頭像 發(fā)表于 08-05 15:19 ?2033次閱讀
    派恩杰發(fā)布<b class='flag-5'>第四代</b>SiC MOSFET系列產(chǎn)品

    三星第四代無線充電器能充三星手表s4嗎?

    三星第四代無線充電器兼容性存疑,需搭配特定功率充電,替代方案如Trio充電器更優(yōu)。
    的頭像 發(fā)表于 07-29 08:40 ?1597次閱讀
    三星<b class='flag-5'>第四代</b>無線充電器能充三星手表s4嗎?

    新唐科技發(fā)布第四代Gerda系列車用HMI顯示IC

    新唐科技日本有限公司 (NTCJ) 將于 2025 年 5 月開始量產(chǎn)第四代 Gerda 系列車用HMI[1]顯示IC,共三款型號(Gerda-4M、Gerda-4L 和 Gerda-4C)。
    的頭像 發(fā)表于 07-24 17:41 ?1339次閱讀

    雙擎革新,行業(yè)首批!美格智能發(fā)布基于高通躍龍?第四代FWA的AI CPE方案

    美格智能與高通技術(shù)公司多年深入合作,共同探索5G高速通信與邊緣計算的融合發(fā)展。作為行業(yè)首批采用高通躍龍第四代FWA平臺的無線通信模組及解決方案提供商之一,美格智能基于高通X855G調(diào)制解調(diào)及射頻
    的頭像 發(fā)表于 07-19 08:04 ?1102次閱讀
    雙擎革新,行業(yè)首批!美格智能發(fā)布基于高通躍龍?<b class='flag-5'>第四代</b>FWA的AI CPE方案
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