DDR采用菊花鏈拓撲結構時，由于信號傳輸線較長通常需要在DDR末端加上終端匹配電阻，端接的方式有很多，但是都是為了解決信號的反射問題，通常為了消除信號的反射可以在信號的源端或者終端進行解決，在源端處消除反射是采用電阻串聯的方式，在終端處消除反射是采用電阻并聯的方式（還有很多種端接），今天我們一起來看一下在采用菊花鏈拓撲結構時，末端加匹配電阻和不加匹配電阻時信號的質量有多大的區(qū)別。

信號末端終端匹配電阻

本次我們將從這個內存條PCB板中提取地址線拓撲以SigXplorer軟件觀察添加匹配電阻和不添加匹配電阻時信號的傳輸質量，本次案例為雙通道DDR3一拖8正反貼菊花鏈拓撲結構，通過軟件提取在經過我們整理之后的拓撲如下圖所示

信號從驅動端U21開始傳輸，依次經過的DDR顆粒為U14和U5 U6和U15 U7和U16 U8和U17,最后接上39ohm終端匹配電阻RN106，我們提取了其中一根地址線A3，激勵信號為533MHZ，觀察他的眼圖結果

以上為地址線A3的眼圖情況，根據菊花鏈的信號流向我們可以分辨出最左邊黃色信號為信號的驅動端，右邊信號為8個DDR3顆粒的信號。

我們觀察眼圖結果會發(fā)現整體信號有效，可以很明顯的觀察到眼寬與眼高，在加了端接電阻之后，最靠近驅動端的兩片DDR顆粒信號質量和靠近匹配電阻的兩片DDR顆粒相對比會發(fā)現，靠近匹配電阻的兩片DDR顆粒信號質量較差，過沖和下沖嚴重一些。但是信號質量合格沒有出現跌破VIH和VIL的情況。

上圖為不加端接電阻時的信號眼圖結果，我們可以看到信號的眼寬與眼高非常的窄，信號的VIH和VIL過線之后保持時間短，信號質量差，我們再次觀察了靠近驅動端的兩個DDR顆粒的眼圖結果和最末端的兩顆DDR顆粒的眼圖結果，我們會發(fā)現在不加端接電阻的時候眼圖結果和加端接電阻的時候結果相反，靠近驅動端的兩個DDR顆粒質量非常差，眼寬與眼高非常窄，然而最遠端的兩片DDR顆粒質量反而會好很多，雖然也有明顯的上沖和下沖，但是眼寬和眼高相對來說比較清晰。

我們可以通過以上仿真結果分析出，在采用菊花鏈拓撲結構時，端接電阻是很有必要加的，端接電阻有非常明顯的改善效果，但是需要注意的是，端接電阻務必要和傳輸線阻抗相匹配才可以達到最佳的改善能力。