HIGH NA無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。

Trendforce 報道稱，英特爾將獲得ASML可能于 2024 年發(fā)貨的 10 種HIGH NA 光刻機中的6 種。三星副董事長 Kyung Kye-hyun 的話說“三星已經(jīng)獲得了HIGH NA 設備技術的優(yōu)先權”。這似乎意味著英特爾獲得了最HIGH NA 光刻機，其次是三星，而且其最近宣布與韓國 ASML 投資 7.55 億美元。

這將使臺積電處于不同尋常的第三位，與目前在 EUV 領域的主導地位（占全球 EUV 光刻機的 70%）形成鮮明對比。

2024 年 ASML 北美銷售額將達到 3.5 至 40 億美元？

如果我們假設光刻機成本為 3.5 億至 4 億美元，并且 2024 年 10 個光刻機的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。

我們認為，ASML 的HIGH NA 帶來的潛在上漲空間并未體現(xiàn)在股價中，因為對于大多數(shù)人來說，十種光刻機聽起來有點夸張，但如果能做到這一點，那就意味著強勁的上漲空間。

蔡司是看門人

如果 ASML 確實在 2024 年交付了 10 種光刻機，那么這種增長將意味著在 2025 年輕松增加到 15 種或更多光刻機，并可能在 2026 年增加到 20 種以上。

與常規(guī) EUV 光刻機一樣，蔡司的鏡頭可用性將再次成為限制因素，因為HIGH NA 鏡頭比當前已經(jīng)很困難的 EUV 鏡頭復雜得多。

鑒于 EUV 光源將保持一定程度的不變，并且階段增量實際上完全取決于鏡頭。

誰會得到它們？何時何地？

如果我們假設英特爾確實按照建議獲得了前 6 個HIGH NA 光刻機，我們可以想象英特爾將至少獲得前兩個光刻機，其他光刻機將在 2024 年前往亞利桑那州或俄亥俄州。

在其他四種光刻機中，三星可能至少有兩到三種光刻機，而臺積電則獲得一到兩種光刻機。

我們猜測臺積電可能會更加努力地推動當前 EUV 的多重圖案化，而不是立即跳到HIGH NA。

許多業(yè)界人士認為，與現(xiàn)有的多圖案 EUV 光刻機相比，高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機將難以在成本上證明其合理性。時間會證明一切。從英特爾的角度來看，他們別無選擇，只能大力推進，因為他們過去在 EUV 上的緩慢是臺積電在摩爾定律中超越他們的原因之一。

很明顯，英特爾不希望重蹈最初的 EUV 光刻機的覆轍，因此很早就向 ASML 承諾獲得一年多前宣布的第一批HIGH NA 光刻機。

如果HIGH NA 確實成功，這將是英特爾需要迎頭趕上的“重要一躍”。

如果我們對 2025 年 15 種光刻機的猜測靠譜的話，預計英特爾、三星和臺積電之間的份額會更加均勻，而歐洲 IMEC 的一款光刻機與 ASML 密切合作，很可能也會獲得一款用于研發(fā)。

到 2026 年，三大晶圓代工/邏輯制造商之間可能會出現(xiàn) 20 種光刻機的情況，很可能會像最近宣布的那樣為紐約增加一款用于研發(fā)的HIGH NA 光刻機。

我們預計存儲器制造商在最初幾年不會采用高數(shù)值孔徑，因為他們現(xiàn)在才剛剛開始采用常規(guī) EUV，并且仍落后于 EUV 光刻技術的代工/邏輯需求 4 到 6 年。

不會感到驚訝的是，經(jīng)過 3 年的HIGH NA 出貨量，英特爾擁有大部分HIGH NA 光刻機，就像臺積電擁有當前 EUV 技術的最大份額一樣。

對英特爾來說這是一個重大但必要的賭注

如果英特爾在 2024 年購買 6 個HIGH NA 光刻機，則意味著HIGH NA 光刻機資本支出將達到 21億至24億美元。這是一個相當大的賭注……但如果它有助于追趕臺積電，那么這筆錢花得值。別無選擇，因為如果不這樣做，英特爾就會落后于臺積電，如果幸運的話，最好的情況是與臺積電處于同等地位。

高數(shù)值孔徑將比標準 EUV 更快投入生產(chǎn)

盡管 EUV 和高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機之間存在顯著差異，但基本概念是相同的。EUV 與 ARF 沉浸式技術相比并不是巨大的飛躍。芯片制造商將需要盡快讓這些新光刻機投入使用。他們還必須集中精力在單一圖案HIGH NA 與多圖案標準 EUV 上獲得經(jīng)濟回報。

這一消息如果屬實，甚至接近屬實，對于 ASML 和英特爾來說都是一個重大利好。然而，我們還不認為這對臺積電來說是負面的，因為他們可能在 EUV 領域總體上保持強勢地位。

假設生產(chǎn)沒有出現(xiàn)問題，ASML 及其股票可能會在 2024 年經(jīng)歷HIGH NA EUV 浪潮。

審核編輯：黃飛