根據最新的存儲器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調DRAM價格，漲幅預計將達到15%-20%。

業(yè)內分析師指出，上游制造商的關注點正在從NAND轉移到DRAM，特別是DDR4和DDR5等型號，成為下一輪價格上漲的關鍵推動力。

盡管市場需求目前尚未完全穩(wěn)定，但存儲器行業(yè)內部人士透露，他們最近收到了三星提出的警告，預計第1季DRAM價格至少將上漲15%。至于NAND的漲幅雖然尚未明確提出，但預計將繼續(xù)上漲，存儲器價格上漲趨勢可能會持續(xù)至2024年底。

此外，其他存儲器模組制造商也向客戶發(fā)布通知，預計在2024年第1季，三星和美光將相繼上調DRAM價格，漲幅約為15%到20%。與去年12月DRAM報價微幅上漲2%-3%相比，這一漲幅明顯低于3D TLC NAND的上漲幅度，后者約為10%。

隨著手機和服務器需求逐漸回升，預計2024年DRAM市場供應將持續(xù)緊張。從1月份開始，制造商將調整DRAM的新報價，以促使客戶提前規(guī)劃未來的使用需求。

業(yè)內觀察認為，進入2024年后，DRAM價格上漲的趨勢將變得更加顯著。由于DDR4庫存較高，導致市場價格相對疲弱，為了緩解營運虧損，預計2024年上半年將集中調整DDR4和DDR5的價格，而DDR3的產能和需求相對穩(wěn)定，其漲幅相對平穩(wěn)。

盡管上游制造商在第1季度啟動DRAM價格上漲行動并不令人意外，但存儲器模組制造商認為DRAM價格上漲的動力主要仍然來自于上游制造商的人為操縱。他們此前的內部預測已經表明，他們預計將迎來單季漲幅約15%到20%，因此近幾個月已陸續(xù)回購低價庫存。

預計這輪DRAM價格上漲將由三星率先發(fā)動，其操作方式幾乎與2023年第3季NAND價格上漲相似。然而，未來DRAM價格是否會像NAND Wafer一樣強勁攀升，還需觀察市場需求。

業(yè)內預計，隨著上游制造商醞釀2024年第1季DRAM價格上漲，多家記憶體模組制造商已經收到信號，啟動備貨計劃。預計向OEM廠提供的合同價格將在一個季度內有所延后，從第2季度開始將充分反映DRAM價格上漲的趨勢。