（電子發(fā)燒友網 文/黃晶晶）過去的一年，存儲市場跌宕起伏，從低潮逐漸回暖，新興應用市場對存儲的拉動絲毫不減，服務器、汽車存儲馬力十足，帶動存儲新技術例如高速接口、HBM等快速發(fā)展。這一年在半導體投資低迷的形勢下存儲行業(yè)仍然出現(xiàn)不錯的投融資行為，曠日持久的知識產權糾紛案也終見分曉。讓我們一起回顧充滿挑戰(zhàn)的2023年，并迎接2024年的新機遇。

知識產權

首先跳出來的重大事件非美光和晉華達到全球和解莫屬。

2023年12月26日美光科技表示已經與福建晉華達成全球和解協(xié)議，兩家公司將在全球范圍內各自撤銷對對方的起訴，并結束雙方之間的所有訴訟。這場起源于2016年的涉及美光科技、聯(lián)華電子和福建晉華三方的知識產權案迎來終局。

在國內，存儲行業(yè)也同樣發(fā)生著知識產權案件。

12月18日，江波龍發(fā)布公告指出，近日收到了深圳中院出具的《民事判決書》的一審判決。深圳中院在判決書中認為：深圳市晶存科技有限公司未經許可在 LPDDR3 芯片測試經營業(yè)務中使用了公司在案件中主張的相關商業(yè)秘密密點的技術信息。根據(jù)判決，被告盧浩、趙迎、深圳市晶存科技有限公司于本判決生效之日起十日內連帶賠償原告深圳市江波龍電子股份有限公司經濟損失14,183,388.42元。

無論是和解還是判決，知識產權保護是芯片企業(yè)繞不開的話題。這些典型事件將促使行業(yè)更加重視知識產權，只有保護知識產權，才能保護創(chuàng)新。

去庫存

2023年以來存儲芯片廠商由于盈利情況不佳，大多處于持續(xù)削減產能、消化庫存的狀態(tài)，美光科技、三星電子、SK海力士、鎧俠等紛紛采取了減產動作。終端需求不振延緩去庫存的時間。2023年智能手機出貨量整體不佳。根據(jù) Counterpoint Research 的 《智能手機 360報告》 對全球智能手機出貨量的預測，預計2023年全球智能手機出貨量將同比下降5%，達到12億臺，為近十年最低水平。不過，今年第四季度出貨量將同比增長3%，達到3.12億臺。

我們知道芯片供求每隔兩三年都會出現(xiàn)周期性波動，但是像2023年出現(xiàn)的這般終端需求低迷、芯片供應過剩長時間持續(xù)的情況還是比較少見的。這也是前兩年芯片缺貨、瘋狂擴產的“后遺癥”體現(xiàn)。

裁員

受行業(yè)低迷影響，存儲大廠陸續(xù)傳出裁員的消息。美光在臺灣啟動大規(guī)模裁員。2023年2月，部分中國臺灣美光員工爆料該公司無預警裁員，“十分鐘通知走人”。美光公司發(fā)言人Erica Rodriguez Pompen表示，“由于我們努力使計劃、項目、時間表和路線圖與市場條件保持一致，美光現(xiàn)在預計裁員將接近15%，其中包括到2023年日歷年底的預期減員。另外，美光還在削減高管薪酬，并在本財年結束前不發(fā)放獎金?！?br />
10月份，SK海力士控股的英特爾前SSD業(yè)務部門Solidigm，在一份聲明中表示：“由于半導體行業(yè)的長期低迷及其對市場狀況的影響，Solidigm 已實施裁員。公司正在為即將離職的同事提供支持和遣散費?！?br />
裁員自然是行業(yè)周期波動影響到企業(yè)經營的體現(xiàn)。相信被裁員籠罩的陰影會隨著存儲行業(yè)的復蘇而消散。

漲價

西部數(shù)據(jù)12月5日對客戶發(fā)布漲價通知，預告NAND及HDD將展開浮動漲價。其中，NAND預計將在未來幾個季度內呈現(xiàn)周期性價格上漲，累計漲幅可能達55%；HDD將采取每周審查價格，預計價格漲勢將延續(xù)至2024年上半年。

12月25日，據(jù)日媒報道，DRAM的11月價格在2年零5個月以來首次上漲。據(jù)統(tǒng)計，11月DRAM大宗交易價格中，DDR4型8GB產品的單價約為1.65美元，環(huán)比上漲11％，這是自2021年6月以來首次出現(xiàn)價格上漲。與此同時，NAND型閃存的指標產品TLC 256GB產品的單價約為1.85美元，比上一季度上漲12％。

在減產、去庫存的調控下，部分存儲芯片供給又出現(xiàn)供不應求的局面，行業(yè)回暖將越來越明顯。機構預計，三星電子半導體業(yè)務DS（Device Solutions）部門在經歷前三季度累計運營虧損超過12萬億韓元（約合92.4億美元）之后，Q4三星電子DRAM業(yè)務將扭虧為盈，DS部門虧損收窄。

HBM

新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共五代產品。對于HBM3E，SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品，2024年開始量產。8層堆疊，容量達24GB，帶寬為1.15TB/s。

三星電子近日已確認將其第五代HBM3E產品命名為“Shinebolt”，并正在向客戶公司發(fā)送HBM3E產品Shinebolt原型機進行質量認可測試。Shinebolt為8層堆疊的24GB芯片，帶寬比HBM3高出約 50%，達到1.228TB/s。另外，后續(xù)還有12層堆疊的36GB產品開發(fā)。

而美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露，美光計劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。美光HBM3E正在進行英偉達認證，首批HBM3E采用8-Hi設計，提供24GB容量和超過1.2TB/s帶寬。計劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。存儲廠商的HBM3E配套給英偉達，主要是用于英偉達推出的H200 GPU以及GH200超級芯片，它們配備141GB HBM3E。

此外，SK海力士已確認2024年將啟動下一代HBM4的開發(fā)工作，為數(shù)據(jù)中心和人工智能產品提供動力。

高速接口IP

Rambus發(fā)布HBM3內存控制器IP，專為需要高內存吞吐量、低延遲和完全可編程性應用而設計。相比HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率，Rambus HBM3內存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了50%，總內存吞吐量超過1.2 TB/s，適用于推理系統(tǒng)的訓練、生成式AI以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負載。目前已與SK海力士、美光、三星完成了一整套的測試。對于選擇第三方HBM3 PHY（物理層）的客戶，Rambus還提供HBM3控制器的集成與驗證服務。

10月，新思科技PCI?Express(PCIe)6.0?IP在端到端64GT/s的連接下,成功實現(xiàn)與英特爾PCIe?6.0測試芯片的互操作性。新思科技PCIe?6.0?IP全面解決方案包括控制器IP、PHY?IP、驗證IP、以及完整性與數(shù)據(jù)加密(IDE)安全IP,能夠有效加速用于高性能計算及AI應用的芯片開發(fā)。

奎芯科技推出業(yè)界領先的LPDDR5X接口IP，傳輸速率可達8533Mbps?？綡BM接口可實現(xiàn)支持國產工藝 PHY+ Controller 全套方案，速率可達6.4Gbps?？究萍纪瞥鲎匝械幕ヂ?lián)方案M2LINK，通過將HBM/LPDDR的接口協(xié)議轉成UCIE的協(xié)議，組合成標準Chiplet模組，與主SOC合封，以實現(xiàn)降低主芯片和封裝成本、擴大內存容量和帶寬、提升性能等目的。

CXL

借助 CXL可以將內存放在非常類似于 PCIe 總線的東西上（CXL 使用 PCIe PHY 和電氣元件）。這讓系統(tǒng)能夠使用帶有標準 CXL 接口的卡來支持更多的內存模塊，而無需額外 DDR 通道。任何需要的 CPU、GPU 或張量處理單元 (TPU) 可以訪問基于標準的 CXL 接口設計的額外內存。CXL 最終將允許連接到大量的內存模塊，包括 SSD、DDR DRAM 和新興的持久內存。

到目前，CXL已經發(fā)表了1.0/1.1、2.0、3.0三個不同的版本，可以實現(xiàn)從單臺服務器的內存容量和帶寬拓展，到內存池，再到內存共享和內存訪問，擴展到多臺服務器的互聯(lián)與并存內存。

今年5月，三星電子宣布研發(fā)出其首款支持Compute Express Link（CXL）2.0的128GB DRAM。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬。預計明年上半年，會有相關產品的商用落地。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾至強平臺上取得了具有里程碑意義的進展。

SK海力士計劃在今年下半年將基于DDR5的96GB和128GB CXL 2.0內存解決方案產品商用化并提供給AI領域的客戶。

融資

在早前電子發(fā)燒友網分析師團隊觀察到2023年半導體投資熱潮下降的形勢，產業(yè)鏈企業(yè)融資相較之前變得困難。然而也不乏在第三代半導體、汽車芯片、AI等熱門領域持續(xù)獲得融資的例子。存儲作為半導體產業(yè)重要的組成部分，在融資降溫的情況下仍然備受關注。

11月10日深圳市時創(chuàng)意電子完成超3.4億元B輪戰(zhàn)略融資，由小米產投領投，動力未來等多家產業(yè)鏈上下游企業(yè)、機構跟投。本輪融資將用于持續(xù)強化時創(chuàng)意核心存儲技術及產品矩陣研發(fā)，推進全球化戰(zhàn)略部署。2023年以來，時創(chuàng)意已連續(xù)完成A輪和B輪兩輪戰(zhàn)略融資。

2023年12月，深圳市嘉合勁威宣布于近日成功完成超2億元C輪戰(zhàn)略融資。本輪融資將用于建設智能制造工廠，強化嘉合勁威存儲領域核心測試技術及產品研發(fā)。將助力嘉合勁威進一步提提升綜合實力，快速開拓新市場，繼續(xù)保持技術與市占率等領先優(yōu)勢。

汽車存儲

乘聯(lián)會預測，2023年12月，新能源汽車零售94.0萬輛左右，環(huán)比增長11.8%，同比增長46.6%，滲透率約41.4%。預計2023年新能源汽車零售約775萬輛，同比增長36.5%，滲透率35.8%，較去年全年提升8個百分點。

在風景這邊獨好的汽車市場，汽車存儲成為許多芯片廠商爭相發(fā)力的關鍵。這一領域美光占有較高的市場份額，而國產廠商在EEPROM、SLC NAND Flash、NOR Flash、eMMC等領域通過車規(guī)認證，打入汽車市場。

目前東芯半導體的SLC NAND Flash及NOR Flash均有產品通過AEC-Q100的測試，東芯表示將繼續(xù)在嚴苛的車規(guī)級應用環(huán)境標準下開發(fā)新的高可靠性產品，擴大車規(guī)級產品線的豐富度。

終端企穩(wěn)

IDC預計，2024年中國內地智能手機市場出貨量將達到2.87億臺，同比增長3.6%，實現(xiàn)2021年以來首次同比增長。日前，Canalys預測顯示，2024年智能手機總出貨量中，AI手機的出貨量將達到6000萬部。預計到2024年，全球智能手機市場將實現(xiàn)反彈，出貨量將達到11.7億部，較2023年上漲4%。

不僅是數(shù)據(jù)中心、AI需要大容量高速的存儲，智能手機的存儲容量也更大，搭配大存儲容量儼然成為各家手機廠商的產品賣點。今年11月推出的vivo Y100i，12GB+512GB售價1599元。12GB/16GB內存、512GB/1TB閃存搭配的智能手機比比皆是。

此外，長江存儲致態(tài)正式發(fā)布Ti600和TiPlus7100的4TB SSD，采用長江存儲QLC顆粒，晶棧Xtacking 3.0架構，Ti600 4TB版本單顆芯片接口速度可達2400MT/s；順序讀寫速度最高可達7000MB/s、6000MB/s。全面兼容Gen4及大部分Gen3系統(tǒng)。

11月28日，長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在國內主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。長鑫存儲正完善中高端移動設備市場產品布局。

小結：

繼存儲芯片廠商的238層閃存量產后，閃存向著更高層數(shù)邁進。隨著英特爾新一代平臺Meteor lake對DDR5的全面支持，以及AI PC的帶動，DDR5滲透率將更高。明年HBM3E進入量產，HBM4研發(fā)開啟。

WSTS對2024年半導體市場成長率預估，由6月預測的11.8%上調至13.1%。若達成這個成長率，2024年按營收計算的半導體市場規(guī)模，將刷新2022年創(chuàng)下的5,740.8億美元新高記錄，總規(guī)模將攀至創(chuàng)紀錄的5,883.6億美元。存儲芯片將引領2024年全球半導體市場成長，銷售額將較2023年躍增44.8%。

可以看到，存儲行業(yè)復蘇已來，2024年將是興旺繁榮的一年。