GaN新技術可使散熱能力提高2倍以上
近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。
隨著半導體技術不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。
據(jù)悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。
在最新研究中，大阪公立大學的科學家們成功地用金剛石作為襯底制造了GaN高電子遷移率晶體管。為了進一步提高金剛石的導熱性，研究人員在GaN和金剛石之間加入了一層3C-SiC（立方碳化硅）層。這一技術顯著降低了界面的熱阻，從而提高了散熱效率。
審核編輯：劉清
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
78文章
10446瀏覽量
148714 -
氮化鎵
+關注
關注
67文章
1917瀏覽量
120178 -
GaN
+關注
關注
21文章
2387瀏覽量
84690 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3559瀏覽量
52683
原文標題：GaN新技術可使散熱能力提高2倍以上
文章出處：【微信號：芯長征科技，微信公眾號：芯長征科技】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
【技術貼】液冷散熱新選擇：艾為AW86320 深度解析：高壓強驅 + 超低功耗
倍以上，能精準應對芯片核心區(qū)域散熱痛點，正成為高端電子設備散熱方案升級的主流選擇。近日艾為電子推出的全新的國產液冷驅動AW86320壓電驅動器【新品發(fā)布】“靜界·
基本半導體推出第三代碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列產品
基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺，基本半導體推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7三款頂部散熱封裝產品。該系列產品聚焦工業(yè)與車載功率電子應用的實際痛點，在芯片性能與封裝設計上進行針對性優(yōu)化，在實現(xiàn)更低損耗與更高效率的同時，
5G射頻器件散熱解決方案：4G迭代到6G預研的路線圖
隨著5G技術向毫米波頻段、Massive MIMO陣列及GaN高功率芯片方向演進，射頻器件的功率密度較4G時代提升3倍以上，熱流密度突破300W/cm2，局部工作溫度甚至可達120℃
CHA6154-99F三級單片氮化鎵（GaN）中功率放大器
- 7.75 GHz技術工藝：GaN-on-SiC HEMT封裝形式：裸片（Bare Die）芯片尺寸：4.08 × 1.7 mm2芯片厚度：100 μm ± 10 μm電氣特性（Tbackside
發(fā)表于 02-04 08:56
Neway電機方案的技術特性
器件，例如TI的DRV7308 GaN IPM可以將逆變器效率提高到99%以上，而傳統(tǒng)的IGBT解決方案只能達到97%。寬溫工作能力：Neway電機方案的工作溫度范圍覆蓋-40℃至+8
發(fā)表于 01-22 09:32
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術投入與規(guī)?；当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
PCB設計中的散熱考慮：通過設計有效提升電路板散熱效能
本文探討PCB設計中的關鍵散熱考量因素，從布局規(guī)劃、材料選擇到結構設計，全面解析如何通過優(yōu)化設計提升電路板的散熱能力，確保電子產品的穩(wěn)定運行與長期可靠性。
液冷技術新趨勢-AI服務器微通道水冷板（MLCP）質量保證
2000W 以上。然而，當前主流的單相冷板方案存在明顯瓶頸，其散熱能力上限約為 1500W，已難以滿足 Rubin 系列算力芯片的散熱需求。這一供需差推動液冷技術加速迭代，具備更強
微軟最新研發(fā)微流體冷卻系統(tǒng)助力散熱效率提升最高三倍
當AI技術芯片的功耗和熱量不斷攀升，散熱成為技術進步新瓶頸。微軟最新研發(fā)的微流體冷卻系統(tǒng)突破傳統(tǒng)冷板限制，將液體冷卻劑直接引入芯片內部，散熱效率提升最高3
新型功率半導體決勝關鍵：智威科技憑超高散熱封裝GaN氮化鎵脫穎而出
到元件制作的技術與應用均已突破，散熱及封裝型式問題仍導致應用效果遠不符產業(yè)期待，成長性大打折扣。 智威科技董事長鐘鵬宇說，透過材料與制程創(chuàng)新，以系統(tǒng)性思維打造功率半導體新封裝技術平臺。(圖片來源:智威科技) 尤其
Leadway GaN系列模塊的功率密度
，開關速度可達硅基的10倍。這一特性使得GaN模塊在高頻應用中損耗更低，允許通過提升開關頻率（如10MHz以上）縮小電感、變壓器等被動元件尺寸，從而直接提升功率密度。磁集成與拓撲優(yōu)化：
Leadway
發(fā)表于 10-22 09:09
?STTH120RQ06-M2Y超快橋接模塊技術解析與應用指南
散熱能力和嵌入式陶瓷的絕緣特性，該集成模塊將通過極高的散熱性能（頂部冷卻）來提高應用的功率密度。這些器件特別適合用于集成到車輛或充電站中的充電器應用；STMicroelectronics STTH120RQ06-M
解決高功率快充散熱難題，傲琪G500導熱硅脂的專業(yè)方案
使用壽命需求。 三、在快充電源中的實戰(zhàn)應用價值 在快充電源的散熱設計中，G500展現(xiàn)出多重技術價值： ? 突破空間限制的散熱能力- 在變壓器與散熱片之間、主控IC與金屬外殼之間等間隙
發(fā)表于 08-04 09:12
【技術貼】超低功耗黑科技！艾為AW86320 高壓液冷驅動IC，散熱新寵誕生
倍以上，能精準應對芯片核心區(qū)域散熱痛點，正成為高端電子設備散熱方案升級的主流選擇。近日艾為電子推出的全新的國產液冷驅動AW86320壓電驅動器【新品發(fā)布】“靜界·
LED封裝器件熱阻測試與散熱能力評估
熱阻概念與重要性熱阻是衡量熱量在熱流路徑上所遇阻力的物理量，它反映了介質或介質間傳熱能力的強弱，具體表現(xiàn)為1W熱量引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W?？梢詫崃勘茸麟娏?，溫差比作電壓，那么熱阻
評論