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基本半導(dǎo)體推出第三代碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列產(chǎn)品

基本半導(dǎo)體 ? 來源:基本半導(dǎo)體 ? 2026-04-23 15:32 ? 次閱讀
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基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺,基本半導(dǎo)體推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7三款頂部散熱封裝產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品聚焦工業(yè)與車載功率電子應(yīng)用的實際痛點,在芯片性能與封裝設(shè)計上進行針對性優(yōu)化,在實現(xiàn)更低損耗與更高效率的同時,大幅提升散熱能力與系統(tǒng)適配性,為高功率密度的設(shè)計需求提供理想選擇。

核心規(guī)格參數(shù)

本次推出的三款封裝產(chǎn)品主打650V主流電壓段,其中QDPAK封裝延伸至1200V電壓段,提供25mΩ、40mΩ兩種導(dǎo)通電阻選擇,并覆蓋工業(yè)級、汽車級兩大可靠性等級,滿足不同場景的精準選型需求。

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核心特性

第三代技術(shù)內(nèi)核

依托基本半導(dǎo)體第三代B3M系列碳化硅MOSFET技術(shù),實現(xiàn)更優(yōu)的品質(zhì)因數(shù)(FOM=RDS(ON)*QG)和更低的開關(guān)損耗。器件高溫穩(wěn)定性優(yōu)異,在175℃結(jié)溫下導(dǎo)通電阻漂移幅度小,能穩(wěn)定適配高溫、高頻的嚴苛工作環(huán)境,滿足工業(yè)電源、車載系統(tǒng)的核心性能要求。

高效散熱設(shè)計

QDPAK、TOLT、T2PAK-7封裝采用頂部散熱設(shè)計,熱量可直接傳導(dǎo)至外部散熱器,有效避免PCB銅層導(dǎo)熱瓶頸,大幅提升散熱效率,以緊湊結(jié)構(gòu)實現(xiàn)散熱與小型化的平衡,適配空間受限的設(shè)計場景。

高適配性

三款封裝均與行業(yè)主流功率器件引腳兼容,替換便捷,降低客戶設(shè)計改造成本。

應(yīng)用價值

降本增效

豐富的封裝與型號選擇,可精準匹配不同場景的空間、散熱、功率需求,封裝與主流器件的高兼容性,簡化了傳統(tǒng)硅基或其他碳化硅器件的替換流程,減少設(shè)計開發(fā)與測試成本,縮短產(chǎn)品上市周期。

提升系統(tǒng)性能

頂部散熱設(shè)計可直接對接風(fēng)冷、液冷散熱器,無需依賴PCB導(dǎo)熱,簡化了系統(tǒng)散熱設(shè)計,滿足小型化功率系統(tǒng)的散熱需求。

全場景適配

工業(yè)級與汽車級型號同步推出,既滿足工業(yè)電源、儲能、逆變器等工業(yè)場景的需求,也能適配輕型電動車、車載充電等車載場景,客戶可實現(xiàn)一站式選型,提升供應(yīng)鏈效率。

應(yīng)用領(lǐng)域

AI服務(wù)器電源

光伏逆變器

儲能系統(tǒng)

充電樁

OBC

關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳,在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊,核心團隊由來自清華大學(xué)、中國科學(xué)院、英國劍橋大學(xué)等國內(nèi)外知名高校及研究機構(gòu)的博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù),研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計、晶圓制造封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等,服務(wù)于電動汽車、風(fēng)光儲能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國家級專精特新“小巨人”企業(yè),承擔(dān)了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心,是國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一,獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:新品速遞 | 第三代碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列,解鎖光儲充與服務(wù)器電源能效新高度

文章出處:【微信號:基本半導(dǎo)體,微信公眾號:基本半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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