1月15日，日本索尼銀行官網(wǎng)公布關(guān)于投資三菱電機株式會社發(fā)行綠色債券的公告稱，已經(jīng)投資了該債券，希望通過提高SiC功率半導體的產(chǎn)能，實現(xiàn)脫碳社會。

公告顯示，該綠色債券發(fā)行額度為300億日元，年限為5年，發(fā)行日為2023年12月18日。

三菱機電綠色債券框架

三菱電機株式會社是一家成立于1921年的通用電子制造商，致力于“半導體于器件”業(yè)務(wù)領(lǐng)域發(fā)展。三菱根據(jù)國際資本市場協(xié)會 (ICMA)實施的“綠色債券原則2021” (Green BondPrinciples2021)，制定了“綠色債券框架”。債券募集的資金將用于三菱機電碳化硅功率半導體制造相關(guān)的資本投資、研發(fā)、投融資。

根據(jù)三菱機電（上海）公司官網(wǎng)顯示，該公司計劃于2023年11月10日首次發(fā)行綠色債券，旨在擴大SiC產(chǎn)能和建設(shè)工廠。發(fā)行日從2023年12月（計劃）開始。

三菱機電SiC產(chǎn)業(yè)布局

2023年3月14日，三菱機電宣布，截至2026年3月的五年期間，將把先前宣布的投資計劃增加一倍，達到約2600億日元，主要用于建設(shè)一個新的硅片工廠，以增加碳化硅SiC功率半導體的產(chǎn)量。根據(jù)該計劃，三菱電機預(yù)計將應(yīng)對電動汽車對Sic功率半導體快速增長的需求，以及新應(yīng)用市場的不斷擴大，例如低能耗、高溫運行或高速開關(guān)。

此次投資的追加部分（約1000億日元）主要將用于建造一座新的8英寸SiC晶圓廠和加強相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)施。新工廠生產(chǎn)大直徑8英寸碳化硅芯片，計劃于2026年4月啟動。此外，該公司將加強其6英寸SiC芯片的生產(chǎn)設(shè)施，以滿足日益增長的需求。

同時，三菱電機還將投資約100億日元建設(shè)一座新廠房，用于功率半導體的封裝和測試。將大大增強公司的開發(fā)能力，便于及時響應(yīng)市場需求進行批量生產(chǎn)。其余200億日元全部是新的投資，將用于改進設(shè)備、環(huán)境安排和相關(guān)業(yè)務(wù)。

2023年8月29日宣布，已在其功率器件制作所福山工廠完成了第一條12英寸硅晶圓生產(chǎn)線的建設(shè)。并且，通過樣品生產(chǎn)和測試，驗證了該生產(chǎn)線加工的功率半導體芯片達到了所需的性能水平。

合作方面，2023年11月13日，三菱機電宣布與Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術(shù)為Nexperia開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，用于開發(fā)SiC分立器件。

2023年10月10日，宣布投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)，將SiC業(yè)務(wù)分拆成立新公司，并將投資5億美元（約750億日元）。Coherent一直是三菱電機的SiC襯底供應(yīng)商，此次投資旨在通過加強與Coherent的縱向合作，擴大其SiC功率器件業(yè)務(wù)。

2023年7月28日宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導體，氧化鎵(Ga2O3)有望實現(xiàn)更高的擊穿電壓和更低的功率損耗。

2026年6月1日，三菱電機與Coherent達成合作，擴大生產(chǎn)200mm SiC功率器件。Coherent將為三菱電機未來新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件供應(yīng)200mm n型4H-SiC襯底。

隨著新能源汽車市場的發(fā)展，碳化硅產(chǎn)能的需求也在不斷提升。在2023年期間，三菱機電一直在開發(fā)和提升SiC方面的技術(shù)，同時也在新建工廠和與其他企業(yè)合作擴大SiC產(chǎn)能。由于車規(guī)級的碳化硅功率器件的性能和可靠性要求很高，目前只有少數(shù)企業(yè)能提供。這些問題都會導致當前碳化硅器件的供應(yīng)緊缺，各大廠商都在擴產(chǎn)應(yīng)對產(chǎn)能需求。