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并購(gòu)、擴(kuò)產(chǎn)、合作——盤點(diǎn)2023年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

Hobby觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2024-02-18 00:03 ? 次閱讀
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在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)下,近年來(lái)第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無(wú)前例的關(guān)注,市場(chǎng)以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度,擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過(guò)去的2023年,全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也發(fā)生了不少的大事件,海外大廠并購(gòu)、擴(kuò)產(chǎn),國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈也獲得了大量突破性進(jìn)展。
下面我們就來(lái)盤點(diǎn)一下2023年全球碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)生的十大事件。
特斯拉宣布降低75% SiC用量
在3月舉辦的特斯拉2023投資日上,特斯拉宣布了未來(lái)降低成本的舉措,其中除了期望從整車量產(chǎn)規(guī)?;?、動(dòng)力總成和生產(chǎn)制造三個(gè)方面來(lái)降低50%的成本之外,另一個(gè)對(duì)行業(yè)影響較大的舉措是,特斯拉在下一代平臺(tái)中將減少動(dòng)力總成部分75%的碳化硅“使用量”,且不影響能效。
這個(gè)消息對(duì)當(dāng)時(shí)的SiC行業(yè)帶來(lái)了不小的沖擊,全球各大SiC上市公司股價(jià)應(yīng)聲下跌。不過(guò)特斯拉沒(méi)有公布具體的實(shí)現(xiàn)方式,是否會(huì)影響其他車企對(duì)技術(shù)路線方向的選擇,以及相關(guān)功率模塊供應(yīng)商的產(chǎn)品策略,還不得而知。
意法半導(dǎo)體與三安光電合資建8英寸SiC晶圓廠
6月7日晚間,三安光電與意法半導(dǎo)體(ST)宣布,雙方已簽署協(xié)議在重慶合資共同建立一個(gè)新的碳化硅器件制造工廠。與此同時(shí),為配套供應(yīng)襯底材料,三安光電還將在當(dāng)?shù)鬲?dú)資建立一個(gè)8英寸碳化硅襯底工廠。
根據(jù)三安光電的公告,三安光電與ST的合資項(xiàng)目公司將由三安光電控股,暫定名為“三安意法半導(dǎo)體(重慶)有限公司”,其中由三安光電全資子公司湖南三安持股51%,意法半導(dǎo)體(中國(guó))投資有限公司持股49%。
項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資總額達(dá)32億美元(228億元人民幣),目前正在等待監(jiān)管部門批準(zhǔn),批準(zhǔn)后即開(kāi)工建設(shè),計(jì)劃在2025年第四季度點(diǎn)火生產(chǎn),并預(yù)計(jì)到2028年全面達(dá)產(chǎn)。
ST表示,該合資項(xiàng)目工廠將采用ST的碳化硅專利制造工藝技術(shù),專注于為ST生產(chǎn)碳化硅器件,作為ST的專用晶圓代工廠,以滿足未來(lái)中國(guó)客戶的需求。同時(shí)在項(xiàng)目投資總額的32億美元中,有24億美元是未來(lái)五年的資本支出,而資金來(lái)源包括ST和三安光電的資金投入、來(lái)自重慶政府的支持以及由合資企業(yè)的對(duì)外貸款。
除了合資的碳化硅晶圓廠之外,上游材料配套方面也由三安包攬。三安光電計(jì)劃投資約70億元,獨(dú)資在重慶設(shè)立8英寸碳化硅襯底工廠,將利用自有的碳化硅襯底工藝單獨(dú)建立和運(yùn)營(yíng),以滿足合資工廠的襯底需求,并與其簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的角度來(lái)看,海外碳化硅功率器件龍頭在國(guó)內(nèi)建立工廠,為上游襯底產(chǎn)業(yè)也帶來(lái)了很多積極作用。
國(guó)產(chǎn)SiC襯底供應(yīng)商,打進(jìn)英飛凌、博世供應(yīng)鏈
4月底,天岳先進(jìn)在2022年年報(bào)中披露去年公司與博世集團(tuán)簽署了長(zhǎng)期協(xié)議,公司將為博世供應(yīng)碳化硅襯底產(chǎn)品。
5月3日在天岳先進(jìn)上海工廠產(chǎn)品交付儀式舉辦當(dāng)天,英飛凌也宣布與天岳先進(jìn)簽訂一項(xiàng)新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,天岳先進(jìn)將為德國(guó)半導(dǎo)體制造商英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競(jìng)爭(zhēng)力的150毫米(6英寸)碳化硅晶圓和晶錠,其供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。英飛凌還表示未來(lái)天岳先進(jìn)也會(huì)助力公司往200mm直徑碳化硅晶圓的過(guò)渡,即未來(lái)天岳先進(jìn)將向英飛凌供應(yīng)8英寸碳化硅晶圓。
同時(shí),英飛凌還宣布與另一家中國(guó)碳化硅供應(yīng)商天科合達(dá)簽訂了一份長(zhǎng)期協(xié)議,天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品的高質(zhì)量并且有競(jìng)爭(zhēng)力的150毫米碳化硅晶圓和晶錠,其供應(yīng)量預(yù)計(jì)同樣將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。根據(jù)該協(xié)議,第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料的供應(yīng),未來(lái)天科合達(dá)也將提供8英寸直徑碳化硅材料。
對(duì)于國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)而言,能夠接連得到多家海外芯片巨頭的訂單,意義非凡。這一定程度上意味著國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底在核心參數(shù)上已經(jīng)能夠滿足海外半導(dǎo)體巨頭的產(chǎn)品需求,可能會(huì)是國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底在技術(shù)水平上追上國(guó)際主流的里程碑。
英飛凌收購(gòu)GaN Systems
3月,英飛凌官宣收購(gòu)氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems,交易總值8.3億美元現(xiàn)金,約合57億元人民幣,并最終在10月完成對(duì)GaN Systems的收購(gòu)。
根據(jù)TrendForce的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),GaN Systems在2022年全球GaN功率器件出貨量排名中位列第五,市場(chǎng)份額約12%。英飛凌在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,曾進(jìn)行過(guò)多次收購(gòu),包括2015年收購(gòu)功率GaN公司IR(國(guó)際整流器公司),2018年收購(gòu)SiC晶圓冷切割技術(shù)公司Siltectra等。
而這次英飛凌高價(jià)收購(gòu)GaN Systems給氮化鎵行業(yè)也帶來(lái)了不少的信心。
瑞薩收購(gòu)Transphorm
繼英飛凌收購(gòu)GaN Systems之后,2024年1月,另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購(gòu)了功率GaN公司Transphorm。根據(jù)協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股,估值約3.39億美元,較Transphorm在2024年1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%。
Transphorm在2022年出貨量占功率GaN市場(chǎng)的9%,僅次于GaN Systems。而在這次收購(gòu)之后,此前全球出貨量排名前六的功率GaN廠商已經(jīng)有兩家被大廠并購(gòu),接下來(lái)的2024年會(huì)不會(huì)繼續(xù)掀起功率GaN行業(yè)的并購(gòu)潮值得關(guān)注。
PI發(fā)布 1250V耐壓GaN
11月,Power Integrations發(fā)布了一款具有里程碑意義的1250V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品InnoSwitch3-EP 1250V IC,對(duì)于目前市場(chǎng)上主流的650V功率GaN產(chǎn)品而言,這款產(chǎn)品突破了高壓領(lǐng)域的天花板,拓展至更多的應(yīng)用場(chǎng)景。
由于1250V的絕對(duì)最大值可以滿足80%的行業(yè)降額標(biāo)準(zhǔn),在使用新款這款1250V IC時(shí),設(shè)計(jì)人員可以放心地設(shè)計(jì)可以在1000V峰值電壓工作的電源,利用巨大的裕量抵御電網(wǎng)波動(dòng)、浪涌及其他電力擾動(dòng),滿足具有挑戰(zhàn)性電網(wǎng)環(huán)境的應(yīng)用要求。
Wolfspeed投資20億美元德國(guó)建廠
早在2023年1月,德媒就傳出了Wolfspeed計(jì)劃與采埃孚合作,投資20億美元在德國(guó)建造碳化硅工廠。該工廠計(jì)劃在未來(lái)四年內(nèi)投入運(yùn)營(yíng),并有望成為全球最大的碳化硅晶圓廠。
去年關(guān)于碳化硅擴(kuò)產(chǎn)的消息非常多,擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模巨大,海內(nèi)外巨頭都在計(jì)劃新的產(chǎn)能和加大投資力度。而在全球碳化硅襯底龍頭Wolfspeed的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃曝光后,接下來(lái)各大廠商都開(kāi)始通過(guò)收購(gòu)、新增產(chǎn)線等擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。
博世收購(gòu)TSI、羅姆收購(gòu)Solar Frontier工廠
7月,羅姆宣布收購(gòu)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)商Solar Frontier在宮崎縣國(guó)富町的工廠,計(jì)劃將該工廠用于擴(kuò)大碳化硅功率器件的產(chǎn)能,未來(lái)還將成為羅姆的主要生產(chǎn)基地之一。Solar Frontier曾在該工廠生產(chǎn)CIS薄膜太陽(yáng)能電池,但已停止運(yùn)營(yíng)。
據(jù)羅姆的估算,通過(guò)收購(gòu)該工廠,2030財(cái)年達(dá)產(chǎn)后新的生產(chǎn)基地將會(huì)幫助歐姆將整體碳化硅產(chǎn)能提升到2021財(cái)年的35倍。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo),羅姆計(jì)劃到2025年開(kāi)始轉(zhuǎn)向8英寸碳化硅晶圓,而屆時(shí)可能也會(huì)在這次收購(gòu)的工廠中引進(jìn)8英寸晶圓制造設(shè)備。
德國(guó)老牌Tier1在8月底完成了對(duì)美國(guó)芯片制造商TSI Semiconductors的資產(chǎn)收購(gòu),包括位于羅斯威爾的工廠、設(shè)備、半導(dǎo)體業(yè)務(wù)等。TSI此前從事模擬、混合信號(hào)和設(shè)備IC設(shè)計(jì)和制造,主要以8英寸硅晶圓代工制造為主。
在收購(gòu)了TSI位于羅斯威爾的工廠后,博世擁有了在美國(guó)本土制造能力,在美國(guó)市場(chǎng)上構(gòu)建了供應(yīng)優(yōu)勢(shì)。由于羅斯威爾工廠此前主要面向硅晶圓制造,因此博世計(jì)劃投資約15億美元將該工廠改造為用于碳化硅半導(dǎo)體器件制造以及測(cè)試的工廠,并在未來(lái)幾年將制造設(shè)備升級(jí)以支持最先進(jìn)工藝,到2026年將生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓。
電裝、三菱入股Coherent
全球第三大的碳化硅襯底供應(yīng)商Coherent(前II-VI)在10月官宣,由日本電裝和三菱電機(jī)各投資5億美元,分別獲得Coherent碳化硅業(yè)務(wù)的12.5%非控股所有權(quán),Coherent則持有余下75%的所有權(quán)。在這次交易完成之前,Coherent會(huì)將其碳化硅業(yè)務(wù)剝離并成立新的子公司獨(dú)立運(yùn)營(yíng)。
Coherent目前的主要業(yè)務(wù)包括光子解決方案以及化合物半導(dǎo)體,而將碳化硅業(yè)務(wù)剝離出來(lái)后,獨(dú)立運(yùn)營(yíng)的碳化硅業(yè)務(wù)將能夠集中資源,加速擴(kuò)大業(yè)務(wù)規(guī)模,而Coherent目前主要的光通信、激光器等光子解決方案業(yè)務(wù)也能夠更加專注,明確發(fā)展方向。
而電裝和三菱投資的主要目的,是保障碳化硅襯底的供應(yīng)。兩家公司合計(jì)投資10億美元的同時(shí),Coherent也與雙方簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議,將長(zhǎng)期為三菱和電裝供應(yīng)6英寸以及8英寸的碳化硅襯底和外延片。
國(guó)產(chǎn)SiC上車
在上個(gè)月,我們統(tǒng)計(jì)了15家國(guó)產(chǎn)廠商在2023年推出的車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品。而這只是功率分立器件層面的,在功率模塊、晶圓制造方面,車規(guī)的產(chǎn)品則更多。在前些年,國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)品雖然供應(yīng)商較多,但實(shí)際上量產(chǎn)上車的幾乎沒(méi)有,當(dāng)然那段時(shí)間全球范圍內(nèi)用上SiC的車型也不算多,供應(yīng)商則集中在英飛凌、ST、羅姆等幾家海外廠商。
但2023年,越來(lái)越多的國(guó)產(chǎn)SiC功率產(chǎn)品量產(chǎn)上車?;景雽?dǎo)體的車規(guī)級(jí)SiC功率模塊據(jù)稱已經(jīng)收獲近20家整車廠和Tier1電控客戶的定點(diǎn),成為國(guó)內(nèi)第一批碳化硅模塊量產(chǎn)上車的頭部企業(yè);斯達(dá)半導(dǎo)的SiC功率器件、功率模塊等也已經(jīng)與多家主機(jī)廠合作,據(jù)財(cái)報(bào)顯示,在2023上半年,公司車規(guī)級(jí)SiC模塊在新能源汽車行業(yè)開(kāi)始大批量裝車應(yīng)用;三安半導(dǎo)體與理想汽車設(shè)立合資公司,將合作制造SiC功率模塊和芯片;芯聚能供應(yīng)的SiC功率模塊在極氪、smart等車型上量產(chǎn)上車。
2024年在完成測(cè)試驗(yàn)證后,相信在今年上市的新車中,還將會(huì)看到一大批國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)品被搭載。
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    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1076次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?928次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1742次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2898次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1100次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
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