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意法半導體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器

意法半導體工業(yè)電子 ? 來源:意法半導體PDSA ? 2024-02-27 09:05 ? 次閱讀
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STGAP系列隔離柵極驅(qū)動器具有穩(wěn)健性能、簡化設計、節(jié)省空間和高可靠性的特性

意法半導體(下文為ST)的功率MOSFETIGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。這些驅(qū)動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅(qū)動器,非常適合各種應用。在確保安全控制方面,STGAP系列隔離柵極驅(qū)動器作為優(yōu)選解決方案,在輸入部分和被驅(qū)動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離,確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。

選擇正確的柵極驅(qū)動器對于實現(xiàn)最佳功率轉換效率非常重要。隨著SiC 技術得到廣泛采用,對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高,而ST的STGAP 系列電氣隔離柵極驅(qū)動器在此成為必不可缺的一環(huán)。STGAP2SICS系列針對SiCMOSFET 的安全控制進行了專門優(yōu)化,并可在高達1200V的高壓下工作,使其成為節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制裝置的絕佳選擇。從工業(yè)電動汽車充電系統(tǒng)到太陽能、感應加熱和汽車 OBC DC-DC,STGAP2SICS系列可簡化設計、節(jié)省空間并增強穩(wěn)健性和可靠性。

STGAP2SICSA 是一款符合汽車AEC-Q100 標準的單通道柵極驅(qū)動器,優(yōu)化控制SiCMOSFET,其采用了節(jié)省空間的窄體 SO-8封裝 (相關型號:STGAP2SICSAN)和寬體 SO-8W 封裝(相關型號:STGAP2SICSA),通過精確PWM控制提供強大的性能。

STGAP2SICSA 在柵極驅(qū)動通道和低壓控制之間具有電氣隔離,可在高達1700V(SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的電壓工作。其小于45ns 的輸入到輸出傳播時間可確保高PWM 精度,并憑借±100V/ns的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI) 實現(xiàn)可靠的開關。內(nèi)置保護包括欠壓鎖定(UVLO),防止SiC電源開關在低效率或不安全條件下運行,以及熱關斷,如果檢測到結溫過高,則將兩個驅(qū)動器輸出調(diào)低。

STGAP2SICSA 具有帶米勒鉗位功能的單輸出配置。單輸出增強了高頻硬開關應用的穩(wěn)定性,利用米勒鉗位來防止電源開關振蕩。

STGAP2SICSA 邏輯輸入低至3.3V并且與TTL 和 CMOS 邏輯兼容,簡化了與主機微控制器DSP的連接。該驅(qū)動器可在高達26V的柵極驅(qū)動電壓下的推拉電流高達4A。具有獨立輸入引腳的關斷模式有助于最大限度地降低系統(tǒng)功耗。

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近日,ST宣布與致瞻科技(下文為ZINSIGHT)建立合作伙伴關系。ZINSIGHT作為全球唯一一家在新能源汽車400V、800V、1000V平臺上成熟量產(chǎn)基于碳化硅方案的電動壓縮機控制器企業(yè),ST第三代SiC MOSFET和隔離柵極驅(qū)動器技術在ZINSIGHT一流的電動壓縮機解決方案得以成功應用。



審核編輯:劉清

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