MRAM HS4MANSQ1A-DS1在汽車(chē)電子中的應(yīng)用
車(chē)載電子設(shè)備實(shí)時(shí)收集汽車(chē)行駛狀態(tài)、駕車(chē)者和乘客的狀況、以及周邊環(huán)境等信息，并自動(dòng)判斷汽車(chē)自身及其乘員狀態(tài)，及時(shí)提醒駕乘人員采取相應(yīng)措施。
隨著汽車(chē)智能化水平的提升，車(chē)載電子設(shè)備需要更高性能和可靠性的非易失存儲(chǔ)器。MRAM具有納秒級(jí)高速寫(xiě)入和萬(wàn)億次擦寫(xiě)耐久度，可滿(mǎn)足汽車(chē)電子應(yīng)用場(chǎng)景的頻繁實(shí)時(shí)記錄數(shù)據(jù)的要求；以下是汽車(chē)信息采集系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖：
國(guó)芯思辰HS4MANSQ1A-DS1是一個(gè)容量為4Mbit的MRAM芯片，支持SPI/QPI(串行單線(xiàn)/四線(xiàn)接口)，該芯片可配置為1位I/O 獨(dú)立接口或4位I/O通用接口。HS4MANSQ1A-DS1在存儲(chǔ)器陣列中采用磁技術(shù)，在汽車(chē)電子中應(yīng)用滿(mǎn)足耐久性需求，數(shù)據(jù)可以保持10年以上。
HS4MANSQ1A-DS1封裝圖
MRAM HS4MANSQ1A-DS1單一電源VCC僅3.3V，待機(jī)電流只有2mA，休眠電流僅有2μA，可以很好的節(jié)省汽車(chē)中器件的電量消耗。從耐久度上來(lái)看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留10年以上，85℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留20年以上，由此，國(guó)芯思辰MRAMHS4MANSQ1A-DS1完全適合汽車(chē)電子的存儲(chǔ)系統(tǒng)。
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